基于检测甲烷气敏传感器的制备和研究
| 摘要 | 第1-3页 |
| 英文摘要 | 第3-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-11页 |
| 第二章 文献综述 | 第11-28页 |
| ·甲烷气体传感器的检测机理和发展现状 | 第11-19页 |
| ·载体催化元件的检测机理和发展现状 | 第11-14页 |
| ·氧化物半导体气敏传感器的检测机理和发展现状 | 第14-16页 |
| ·红外光谱法检测甲烷传感器的发展现状 | 第16-17页 |
| ·吸收型光纤甲烷传感器的发展现状 | 第17-18页 |
| ·其它甲烷传感器的检测机理和发展现状 | 第18-19页 |
| ·氧化物半导体气敏传感器 | 第19-27页 |
| ·氧化物半导体气敏传感器的分类 | 第20页 |
| ·氧化物半导体气敏传感器的敏感机理 | 第20-21页 |
| ·主要氧化物半导体气敏材料 | 第21-24页 |
| ·SnO_2基气敏材料 | 第21-23页 |
| ·ZnO 基气敏材料 | 第23页 |
| ·WO_3基气敏材料 | 第23-24页 |
| ·Fe_2O_3基气敏材料 | 第24页 |
| ·氧化物半导体气敏材料的合成方法和性能改进 | 第24-27页 |
| ·氧化物半导体气敏材料的合成方法 | 第25-26页 |
| ·其它合成方法和发展趋势 | 第26-27页 |
| ·小结 | 第27-28页 |
| 第三章 试验和研究方法 | 第28-40页 |
| ·氧化物半导体气敏材料的制备 | 第28-30页 |
| ·纳米SnO_2的制备 | 第28-29页 |
| ·SnO_2材料的掺杂和热处理 | 第29页 |
| ·纳米WO_3的制备 | 第29-30页 |
| ·气敏材料的表征 | 第30-31页 |
| ·X 射线衍射 | 第30-31页 |
| ·傅立叶红外光谱 | 第31页 |
| ·差热-热重分析 | 第31页 |
| ·扫描电镜分析 | 第31页 |
| ·透射电镜及电子衍射和能谱分析 | 第31页 |
| ·氧化物半导体气敏传感元件制备和性能测试 | 第31-36页 |
| ·氧化物半导体气敏传感元件的结构 | 第31-32页 |
| ·气敏元件的制备工艺 | 第32-33页 |
| ·气敏传感元件的主要特性参数 | 第33-35页 |
| ·测试方式 | 第35-36页 |
| ·载体催化元件的制备和结构性能测试 | 第36-40页 |
| ·载体催化材料的制备 | 第36页 |
| ·载体催化法的器件结构和测试 | 第36-38页 |
| ·新设计的器件结构 | 第38-40页 |
| 第四章 SnO_2气敏材料的气敏特性和表征 | 第40-57页 |
| ·SnO_2基气敏材料的分析 | 第40-48页 |
| ·X 射线衍射(XRD)物相分析 | 第40-41页 |
| ·TG 与DTA 分析 | 第41-42页 |
| ·FR-IR 分析 | 第42-43页 |
| ·扫描电镜(SEM)分析 | 第43-46页 |
| ·透射电镜分析 | 第46-48页 |
| ·SnO_2基气敏元件性能分析 | 第48-55页 |
| ·元件的气敏性能指标 | 第48-50页 |
| ·不同工艺对元件气敏性能的影响 | 第50-55页 |
| ·热处理温度对元件性能的影响 | 第50-53页 |
| ·掺杂对元件性能的影响 | 第53-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 WO_3气敏材料的气敏特性和表征 | 第57-64页 |
| ·WO_3元件气敏性能指标 | 第57-58页 |
| ·WO_3气敏材料分析 | 第58-62页 |
| ·X 射线衍射(XRD)物相分析 | 第58-59页 |
| ·TG 与DTA 分析 | 第59-60页 |
| ·扫描电镜(SEM)分析 | 第60-61页 |
| ·透射电镜分析 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-64页 |
| 第六章 载体催化元件新结构的研究 | 第64-73页 |
| ·载体催化元件基材分析 | 第64-65页 |
| ·温差电动势原理和赛贝克效应 | 第65-67页 |
| ·新设计的器件结构 | 第67-68页 |
| ·新的结构器件性能测试 | 第68-71页 |
| ·本章小结 | 第71-73页 |
| 结论 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 个人简历 | 第82-83页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第83页 |
