| 引言 | 第1-9页 |
| 第一章 硅双结色敏器件的结构和工作原理 | 第9-17页 |
| §1.1 半导体的内光电效应 | 第9-10页 |
| §1.2 硅双结色敏器件的结构和制作工艺 | 第10-12页 |
| §1.3 硅双结色敏器件测量光的波长的基本原理 | 第12-15页 |
| §1.4 硅双结色敏器件测量光功率的基本原理 | 第15-17页 |
| 第二章 光功率的测量误差及补偿算法的原理 | 第17-25页 |
| §2.1 硅双结色敏器件测量光功率的误差分析 | 第17-18页 |
| §2.2 光功率补偿算法的基本原理 | 第18-19页 |
| §2.3 光功率补偿算法的数值模拟分析 | 第19-25页 |
| 第三章 基于硅双结色敏器件的光功率波长同步测量系统的设计 | 第25-47页 |
| §3.1 基于硅双结色敏器件的光功率、波长同步测量系统的总体设计 | 第25-26页 |
| §3.2 基于硅双结色敏器件的光功率、波长同步测量系统的硬件设计 | 第26-35页 |
| §3.3 单片机嵌入式软件设计 | 第35-44页 |
| §3.4 PC可视化软件设计 | 第44-47页 |
| 第四章 系统的可靠性设计 | 第47-49页 |
| 结论 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 附1: 基于硅双结色敏器件的光功率、波长同步测量系统实物图和应用软件界面 | 第55-56页 |
| 附2: 基于硅双结色敏器件的光功率波长同步测量系统的电路图 | 第56-58页 |
| 附3: 单片机部分子程序 | 第58-60页 |
| 附4: VB部分子程序 | 第60-61页 |
