| 第一章 引言 | 第1-16页 |
| ·铁电材料 | 第8-12页 |
| ·电介质基本理论 | 第8-10页 |
| ·铁电材料简介 | 第10-12页 |
| ·电介质在DRAM 中的应用 | 第12-13页 |
| ·研究现状以及本文研究方向和意义 | 第13-16页 |
| ·钛酸锶铅的研究背景 | 第13-14页 |
| ·本论文的研究意义和内容 | 第14-16页 |
| 第二章 薄膜制备与表征方法 | 第16-28页 |
| ·脉冲激光沉积法 | 第16-22页 |
| ·脉冲激光沉积过程及其特点 | 第16-20页 |
| ·脉冲激光沉积系统及沉积参数分析 | 第20-21页 |
| ·PLD 制备薄膜样品 | 第21-22页 |
| ·样品电极的制备 | 第22-24页 |
| ·薄膜性质的测试方法 | 第24-28页 |
| 第三章 Pb_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3与Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3、Pb_(0.5)Ba_(0.5)TiO_3单层膜的比较 | 第28-35页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·结果与讨论 | 第28-34页 |
| ·薄膜样品的结构表征 | 第28-29页 |
| ·薄膜的介电特性 | 第29-30页 |
| ·薄膜的漏电特性测试 | 第30-31页 |
| ·薄膜的铁电性 | 第31-33页 |
| ·薄膜样品的电滞回线测试 | 第31-32页 |
| ·薄膜样品的C-V 测试 | 第32-33页 |
| ·薄膜温度特性的测试 | 第33-34页 |
| ·结论 | 第34-35页 |
| 第四章 Pb_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3薄膜的介电弛豫现象 | 第35-42页 |
| ·引言 | 第35页 |
| ·结果与讨论 | 第35-41页 |
| ·薄膜样品的结构表征 | 第35-36页 |
| ·介电性能 | 第36页 |
| ·薄膜的温度谱及其弛豫特性 | 第36-41页 |
| ·结论 | 第41-42页 |
| 第五章 PLD 制备(Pb,Sr)TiO_3多层膜的介电增强 | 第42-49页 |
| ·引言 | 第42页 |
| ·样品的制备 | 第42-43页 |
| ·结果与讨论 | 第43-48页 |
| ·薄膜样品的结构表征 | 第43-44页 |
| ·薄膜样品的介电性能 | 第44-48页 |
| ·结论 | 第48-49页 |
| 第六章 总结 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-54页 |
| 硕士期间发表论文 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 详细摘要 | 第56-58页 |
