| 前言 | 第1-4页 |
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 主要创新点 | 第6-10页 |
| 第1章 文献综述 | 第10-28页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·材料计算与设计概述 | 第10-13页 |
| ·材料计算机模拟研究的意义 | 第10-11页 |
| ·计算机模拟与第一原理的比较 | 第11-12页 |
| ·材料设计的模拟尺度 | 第12页 |
| ·材料微结构及其计算尺度 | 第12-13页 |
| ·计算机模拟方法 | 第13-18页 |
| ·蒙特卡罗(MC)方法及对沉淀过程的模拟 | 第13-15页 |
| ·分子动力学(MD)方法 | 第15-16页 |
| ·相场法及对沉淀过程的模拟 | 第16-18页 |
| ·沉淀过程的非匀相转变 | 第18-22页 |
| ·经典形核长大理论 | 第18-19页 |
| ·非经典成核理论 | 第19-20页 |
| ·长大以及粗化的LSW理论 | 第20-21页 |
| ·形核、长大和粗化作为伴随过程的描述 | 第21-22页 |
| ·沉淀过程的匀相转变 | 第22-24页 |
| ·失稳分解 | 第22-23页 |
| ·失稳有序化 | 第23页 |
| ·统一理论 | 第23-24页 |
| ·界面结构研究现状 | 第24-25页 |
| ·合金沉淀过程模拟研究进展 | 第25-26页 |
| ·本文研究内容及构架体系 | 第26-28页 |
| 第2章 微观相场动力学模型 | 第28-40页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·模型的基本假设 | 第28-29页 |
| ·模型的特点和优点 | 第29-30页 |
| ·微观相场动力学方程的建立 | 第30-31页 |
| ·微扩散方程 | 第30-31页 |
| ·微观Langevin方程 | 第31页 |
| ·三元体系动力学模型 | 第31-37页 |
| ·三元体系微扩散方程 | 第31-32页 |
| ·傅立叶空间中的微观Langevin方程 | 第32-33页 |
| ·平均场自由能 | 第33-34页 |
| ·应用于fcc晶格 | 第34-35页 |
| ·三维fcc晶格的二维投影 | 第35-36页 |
| ·热起伏的产生 | 第36页 |
| ·投影后的最终动力学方程 | 第36-37页 |
| ·研究合金的温度及浓度选择 | 第37-39页 |
| ·编程思路 | 第39-40页 |
| 第3章 温度对Ni_(75)Al_(4.5)V_(20.5)合金沉淀行为的影响 | 第40-52页 |
| ·引言 | 第40页 |
| ·1250K下Ni_(75)Al_(4.5)V_(20.5)合金沉淀过程的模拟 | 第40-43页 |
| ·1120K下Ni_(75)Al_(4.5)V_(20.5)合金沉淀过程的模拟 | 第43-46页 |
| ·1000K下Ni_(75)Al(4.5)V_(20.5)合金沉淀过程的模拟 | 第46-50页 |
| ·沉淀驱动力对组织形貌的影响 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第4章 温度对Ni_(75)Al_(6.5)V_(18.5)合金沉淀行为的影响 | 第52-64页 |
| ·引言 | 第52页 |
| ·1250K下Ni_(75)Al_(6.5)V_(18.5)合金沉淀过程的模拟 | 第52-55页 |
| ·1120K下Ni_(75)Al_(6.5)V_(18.5)合金沉淀过程的模拟 | 第55-58页 |
| ·1000K下Ni_(75)Al_(6.5)V_(18.5)合金沉淀过程的模拟 | 第58-62页 |
| ·不同温度下沉淀机制的连续转变 | 第62-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第5章 温度对Ni_(75)Al_(7.5)V_(17.5)合金沉淀行为的影响 | 第64-76页 |
| ·引言 | 第64页 |
| ·1250K下Ni_(75)Al_(7.5)V_(17.5)合金沉淀过程的模拟 | 第64-67页 |
| ·1120K下Ni_(75)Al_(7.5)V_(17.5)合金沉淀过程 | 第67-69页 |
| ·1000K下Ni_(75)Al_(7.5)V_(17.5)合金沉淀过程 | 第69-72页 |
| ·两种有序相析出的驱动力判据 | 第72-74页 |
| ·本章小结 | 第74-76页 |
| 第6章 界面结构演化及界面迁移性 | 第76-92页 |
| ·引言 | 第76页 |
| ·界面结构类型 | 第76-80页 |
| ·L1_2相界面结构类型 | 第76-77页 |
| ·D0_(22)相界面结构类型 | 第77-79页 |
| ·L1_2和D0_(22)之间界面结构类型 | 第79-80页 |
| ·界面的演化 | 第80-85页 |
| ·[010]_θ方向界面演化过程 | 第80-83页 |
| ·[001]_θ和[010]_θ方向界面演化过程 | 第83-85页 |
| ·有序畴界面迁移性 | 第85-90页 |
| ·L1_2超晶格界面迁移 | 第85-87页 |
| ·D0_(22)超晶格界面迁移 | 第87-88页 |
| ·界面结构与迁移性 | 第88-90页 |
| ·本章小结 | 第90-92页 |
| 第7章 有序相形核机制的研究 | 第92-107页 |
| ·引言 | 第92页 |
| ·成核孕育期 | 第92-96页 |
| ·温度对孕育期的影响 | 第92-94页 |
| ·浓度对孕育期的影响 | 第94-96页 |
| ·非均匀成核机制 | 第96-101页 |
| ·L1_2相在D0_(22)相界面的沉淀方式 | 第97-98页 |
| ·L1_2相在有序无序相上的沉淀方式 | 第98-100页 |
| ·D0_(22)相在L1_2相界面的沉淀方式 | 第100-101页 |
| ·D0_(22)相在有序无序相上的沉淀方式 | 第101页 |
| ·有序相临界晶核判据 | 第101-105页 |
| ·D0_(22)有序相临界晶核 | 第103-104页 |
| ·两种有序相临界晶核对比 | 第104-105页 |
| ·本章小结 | 第105-107页 |
| 结论 | 第107-108页 |
| 参考文献 | 第108-113页 |
| 发表论文与奖励 | 第113-114页 |
| 致谢 | 第114-115页 |
