Sol-Gel前驱单体法制备PZT铁电薄膜技术与性能研究
第一章 绪 论 | 第1-15页 |
·铁电体的定义 | 第8-10页 |
·自发极化机制及铁电材料研究发展概况 | 第10-13页 |
·晶体结构、电畴及铁电疲劳 | 第13-15页 |
第二章 薄 膜 技 术 | 第15-21页 |
·薄膜技术的发展 | 第15-17页 |
·常用的薄膜制备技术及其特点 | 第17-19页 |
·薄膜的缺陷及影响 | 第19-20页 |
·尺寸效应和界面效应 | 第20-21页 |
第三章 Sol-Gel工艺与PZT铁电薄膜 | 第21-25页 |
·Sol-Gel工艺及其发展 | 第21页 |
·Sol-Gel薄膜制备原理及基本方法 | 第21-22页 |
·PZT铁电性能及相图 | 第22-24页 |
·薄膜铁电存储器的要求 | 第24-25页 |
第四章 试验分析方法及原理 | 第25-30页 |
·X射线及X衍射(XRD)分析 | 第25-26页 |
·XPS分析 | 第26-28页 |
·热重(TG)、差热(DTA)分析 | 第28-29页 |
·原子力显微镜(AFM) | 第29-30页 |
第五章 溶胶凝胶制备PZT薄膜工艺路线 | 第30-35页 |
·PZT薄膜Sol-Gel制备方案 | 第30-31页 |
·工艺路线流程图 | 第31-32页 |
·原料试剂及试验、分析设备 | 第32-34页 |
·基片的选取及清洗 | 第34-35页 |
第六章 实验结果与讨论 | 第35-69页 |
·独立前驱单体、PZT前驱体的制备试验 | 第35-41页 |
·有机溶剂选择试验 | 第36-37页 |
·无机金属锆盐的溶解与浓缩 | 第37页 |
·PZT前驱体的制备及稳定性试验 | 第37-38页 |
·前驱单体配制方法及浓度计算 | 第38-39页 |
·H2O加量对PZT溶胶形成的影响试验 | 第39-41页 |
·PZT涂膜工艺试验 | 第41-42页 |
·不同浓度的PZT前驱体溶胶试验 | 第42-43页 |
·PT/PZT/PT Sandwich结构 | 第43-46页 |
·不同金属离子掺杂试验 | 第46-52页 |
·掺杂离子前驱单体及溶胶前驱体的配制 | 第46-47页 |
·掺杂离子XRD分析 | 第47-48页 |
·金属阳离子掺杂的AFM分析 | 第48-50页 |
·金属离子掺杂后薄膜铁电性能测试分析 | 第50-52页 |
·漏电流与掺杂La3+离子浓度关系 | 第52-54页 |
·外加电压对铁电性能的影响 | 第54-55页 |
·不同退火工艺对薄膜性能、结构的影响研究 | 第55-62页 |
·快速退火工艺 | 第55-57页 |
·不同退火温度对薄膜性能、结构的影响 | 第57-59页 |
·退火晶化气氛对薄膜性能结构的影响 | 第59-60页 |
·退火晶化温度、气氛对基片电极的影响 | 第60-62页 |
·XRD、XPS、TG、DTA数据分析 | 第62-69页 |
·晶格常数a的不同计算方法 | 第62-65页 |
·晶粒尺寸大小的计算 | 第65-66页 |
·XPS对薄膜表面成分含量、损失分析 | 第66-67页 |
·热重(TG)、差热(DTA)试验分析 | 第67-69页 |
总结与展望 | 第69-71页 |
参考文献 | 第71-74页 |
致 谢 | 第74页 |