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Sol-Gel前驱单体法制备PZT铁电薄膜技术与性能研究

第一章 绪  论第1-15页
   ·铁电体的定义第8-10页
   ·自发极化机制及铁电材料研究发展概况第10-13页
   ·晶体结构、电畴及铁电疲劳第13-15页
第二章 薄 膜 技 术第15-21页
   ·薄膜技术的发展第15-17页
   ·常用的薄膜制备技术及其特点第17-19页
   ·薄膜的缺陷及影响第19-20页
   ·尺寸效应和界面效应第20-21页
第三章 Sol-Gel工艺与PZT铁电薄膜第21-25页
   ·Sol-Gel工艺及其发展第21页
   ·Sol-Gel薄膜制备原理及基本方法第21-22页
   ·PZT铁电性能及相图第22-24页
   ·薄膜铁电存储器的要求第24-25页
第四章 试验分析方法及原理第25-30页
   ·X射线及X衍射(XRD)分析第25-26页
   ·XPS分析第26-28页
   ·热重(TG)、差热(DTA)分析第28-29页
   ·原子力显微镜(AFM)第29-30页
第五章 溶胶凝胶制备PZT薄膜工艺路线第30-35页
   ·PZT薄膜Sol-Gel制备方案第30-31页
   ·工艺路线流程图第31-32页
   ·原料试剂及试验、分析设备第32-34页
   ·基片的选取及清洗第34-35页
第六章 实验结果与讨论第35-69页
   ·独立前驱单体、PZT前驱体的制备试验第35-41页
     ·有机溶剂选择试验第36-37页
     ·无机金属锆盐的溶解与浓缩第37页
     ·PZT前驱体的制备及稳定性试验第37-38页
     ·前驱单体配制方法及浓度计算第38-39页
     ·H2O加量对PZT溶胶形成的影响试验第39-41页
   ·PZT涂膜工艺试验第41-42页
   ·不同浓度的PZT前驱体溶胶试验第42-43页
   ·PT/PZT/PT Sandwich结构第43-46页
   ·不同金属离子掺杂试验第46-52页
     ·掺杂离子前驱单体及溶胶前驱体的配制第46-47页
     ·掺杂离子XRD分析第47-48页
     ·金属阳离子掺杂的AFM分析第48-50页
     ·金属离子掺杂后薄膜铁电性能测试分析第50-52页
   ·漏电流与掺杂La3+离子浓度关系第52-54页
   ·外加电压对铁电性能的影响第54-55页
   ·不同退火工艺对薄膜性能、结构的影响研究第55-62页
     ·快速退火工艺第55-57页
     ·不同退火温度对薄膜性能、结构的影响第57-59页
     ·退火晶化气氛对薄膜性能结构的影响第59-60页
     ·退火晶化温度、气氛对基片电极的影响第60-62页
   ·XRD、XPS、TG、DTA数据分析第62-69页
     ·晶格常数a的不同计算方法第62-65页
     ·晶粒尺寸大小的计算第65-66页
     ·XPS对薄膜表面成分含量、损失分析第66-67页
     ·热重(TG)、差热(DTA)试验分析第67-69页
总结与展望第69-71页
参考文献第71-74页
致  谢第74页

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