| 第一章 绪论 | 第1-13页 |
| 1-1 泡存储器 | 第10-11页 |
| 1-2 布洛赫线存储器 | 第11页 |
| 1-3 布洛赫线存储器的一些相关研究工作 | 第11-12页 |
| 1-4 本文的工作 | 第12-13页 |
| 第二章 磁畴和磁畴壁物理 | 第13-26页 |
| 2-1 磁畴和磁泡 | 第13页 |
| 2-2 磁泡的形成和磁泡的静态理论 | 第13-17页 |
| 2-2-1 磁泡的形成条件 | 第13-14页 |
| 2-2-2 磁泡的静态特性 | 第14-17页 |
| 2-3 磁畴壁和布洛赫线 | 第17-26页 |
| 2-3-1 畴壁结构 | 第17-19页 |
| 2-3-2 布洛赫线 | 第19-22页 |
| 2-3-3 布洛赫线间的相互作用 | 第22-23页 |
| 2-3-4 布洛赫点 | 第23-26页 |
| 第三章 石榴石磁泡材料的性质与制备方法 | 第26-35页 |
| 3-1 磁泡存储材料的选择 | 第26-28页 |
| 3-1-1 材料的要求 | 第26-27页 |
| 3-1-2 材料选择的历史 | 第27-28页 |
| 3-2 石榴石磁泡材料的晶体性质 | 第28-29页 |
| 3-3 石榴石磁泡材料的磁学性质 | 第29-32页 |
| 3-3-1 磁各向异性 | 第29-30页 |
| 3-3-2 磁化强度 | 第30-31页 |
| 3-3-3 泡畴迁移率和速度 | 第31页 |
| 3-3-4 缩灭场Ho的调整 | 第31页 |
| 3-3-5 矫顽力和缺陷 | 第31-32页 |
| 3-4 石榴石磁泡材料的制备方法 | 第32-35页 |
| 第四章 实验装置和相关参数的测量方法 | 第35-41页 |
| 4-1 实验装置 | 第35-36页 |
| 4-2 样品相关参数的测量方法 | 第36-41页 |
| 第五章 三类硬磁畴的分类和产生方法 | 第41-54页 |
| 5-1 三类硬磁畴的分类 | 第41-42页 |
| 5-2 三类硬磁畴的形成 | 第42-45页 |
| 5-2-1 硬磁畴的脉冲偏场形成法 | 第42-44页 |
| 5-2-1-1 单次脉冲偏场法 | 第43页 |
| 5-2-1-2 系列脉冲偏场法 | 第43-44页 |
| 5-2-2 硬磁畴的低直流偏场形成法 | 第44-45页 |
| 5-2-2-1 单次脉冲低偏场法 | 第45页 |
| 5-2-2-2 系列脉冲低偏场法 | 第45页 |
| 5-3 系列脉冲低偏场法下三类硬磁畴的形成 | 第45-54页 |
| 5-3-1 (YSmCa)_3(FeGe)_5O_(12)样品上硬磁畴的产生 | 第45-49页 |
| 5-3-1-1 实验方法 | 第45-46页 |
| 5-3-1-2 实验结果和讨论 | 第46-49页 |
| 5-3-2 (GdPrSmLuBiCa)_3(FeSi)_5O_(12)样品上硬磁畴的产生 | 第49-52页 |
| 5-3-2-1 脉冲偏场宽度的变化对枝状畴形成的影响 | 第49-50页 |
| 5-3-2-2 直流偏场的变化对枝状畴形成的影响 | 第50-52页 |
| 5-3-2-3 脉冲偏场幅度的变化对枝状畴形成的影响 | 第52页 |
| 5-3-3 本节小结 | 第52-54页 |
| 第六章 硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线的稳定性 | 第54-89页 |
| 6-1 室温下面内场对硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线的影响 | 第54-59页 |
| 6-2 非压缩态下温度对硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线的影响 | 第59-63页 |
| 6-2-1 实验方法 | 第59-62页 |
| 6-2-2 结果和讨论 | 第62-63页 |
| 6-2-3 本节小结 | 第63页 |
| 6-3 不同温度下面内场对硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线的影响 | 第63-78页 |
| 6-3-1 实验方法 | 第64-66页 |
| 6-3-2 实验结果与讨论 | 第66-77页 |
| 6-3-3 本节小结 | 第77-78页 |
| 6-4 直流偏场和面内场共同作用对ID畴壁中垂直布洛赫线的影响 | 第78-85页 |
| 6-4-1 实验方法 | 第78-81页 |
| 6-4-2 结果与讨论 | 第81-85页 |
| 6-5 直流偏场和面内场共同作用第一类哑铃畴的条泡转变 | 第85-89页 |
| 6-5-1 实验步骤 | 第85-87页 |
| 6-5-2 结果与讨论 | 第87-89页 |
| 第七章 结论 | 第89-91页 |
| 参考文献 | 第91-100页 |
| 附录 | 第100-115页 |
| 致谢 | 第115-116页 |
| 攻读博士学位期间所取得的相关科研成果 | 第116页 |
