| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-10页 |
| ·引论 | 第7页 |
| ·光开关在全光网络中的作用 | 第7-8页 |
| ·光开关与光开关的最新进展 | 第8页 |
| ·光波导开关的制作与耦合封装 | 第8-9页 |
| ·本论文的工作及意义 | 第9-10页 |
| 第二章 4×4 Ti:LiNbO3光波导开关原理分析 | 第10-19页 |
| ·LiNbO3晶体的电光调制原理 | 第10-14页 |
| ·电光特性 | 第10-12页 |
| ·不同方向外电场所引起的电光效应 | 第12-14页 |
| ·4×4光波导开关阵列及其各部分工作原理 | 第14-18页 |
| ·光波导开关的基本工作情况 | 第15-16页 |
| ·光波导开关的性能指标 | 第16-18页 |
| ·本章小结 | 第18-19页 |
| 第三章 光纤/波导耦合封装理论 | 第19-31页 |
| ·概 述 | 第19-20页 |
| ·光纤／波导耦合技术的现状 | 第20页 |
| ·端面耦合的理论和特点 | 第20-25页 |
| ·光纤波导耦合器的种类 | 第25-28页 |
| ·光纤波导耦合方法 | 第25-27页 |
| ·光纤波导耦合结构的选择 | 第27-28页 |
| ·实验耦合结构及调整方法 | 第28-29页 |
| ·光纤／波导耦合技术的发展方向 | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第四章 V型槽的设计与制备 | 第31-44页 |
| ·简介 | 第31页 |
| ·硅各向异性腐蚀的基本原理和各向异性腐蚀液 | 第31-34页 |
| ·V型槽腐蚀的实验技术 | 第34-36页 |
| ·K-I-H2O腐蚀液 | 第36-37页 |
| ·影响V型槽质量的因素及其工艺研究 | 第37-42页 |
| ·实验结果分析 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第五章 4×4 Ti:LiNbO3光开关阵列芯片制作工艺 | 第44-51页 |
| ·光刻工艺 | 第44-46页 |
| ·基片清洗 | 第44-45页 |
| ·匀胶 | 第45页 |
| ·曝光 | 第45-46页 |
| ·显影 | 第46页 |
| ·溅射和扩散 | 第46-49页 |
| ·电极制备 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第六章 光波导开关与V型槽光纤阵列对接封装实验 | 第51-56页 |
| ·对接与封装器件设计 | 第51-52页 |
| ·V形槽与光纤的封装实验 | 第52-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第七章 4×4光波导开关的参数估算与通光测试 | 第56-62页 |
| ·性能参数估算 | 第56-59页 |
| ·通光试验及插入损耗测试 | 第59-61页 |
| ·耦合实验结果 | 第61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 发表论文及参加科研情况说明 | 第65-66页 |
| 致 谢 | 第66页 |