| 中文摘要 | 第1-6页 |
| 英文摘要 | 第6-11页 |
| 第一章 引言 | 第11-22页 |
| 1．1 薄膜晶体管液晶显示器的市场分析 | 第11-14页 |
| 1．1．1 TFT-LCD的市场分析 | 第11-13页 |
| 1．1．2 信息产业中的TFT-LCD技术地位与产业特点 | 第13-14页 |
| 1．2 液晶显示器的无源驱动与行间串扰 | 第14-16页 |
| 1．3 液晶显示器的有源矩阵驱动技术 | 第16-17页 |
| 1．4 a-SiTFT-LCD技术的研究现状 | 第17-20页 |
| 1．5 本文的主要工作 | 第20-22页 |
| 第二章 a-SiTFT-LCD的结构和工作原理 | 第22-33页 |
| 2．1 a-SiTFT-LCD的组成模块 | 第22-25页 |
| 2．1．1 TFT-LCD屏 | 第22-23页 |
| 2．1．2 背照明单元 | 第23-24页 |
| 2．1．3 周边驱动电路 | 第24-25页 |
| 2．2 a-SiTFT-LCD的工作原理 | 第25-27页 |
| 2．3 a-SiTFT-LCD的工作特性分析 | 第27-29页 |
| 2．4 a-SiTFT的结构与工作原理 | 第29-33页 |
| 2．4．1 a-SiTFT的结构 | 第29-30页 |
| 2．4．2 a-SiTFT的工作原理 | 第30-33页 |
| 第三章 a-SiTFT组成膜的制备 | 第33-57页 |
| 3．1 ITO膜的制备 | 第33-35页 |
| 3．1．1 ITO膜性能对a-SiTFT性能的影响 | 第33页 |
| 3．1．2 ITO膜溅射法制备原理 | 第33-34页 |
| 3．1．3 制备工艺对ITO膜性能的影响 | 第34-35页 |
| 3．2 Al/Cr膜的制备 | 第35-36页 |
| 3．2．1 Al/Cr膜性能对a-SiTFT性能的影响 | 第35-36页 |
| 3．2．2 Al/Cr膜双层电极的溅射制备 | 第36页 |
| 3．3 SiNX膜的制备 | 第36-38页 |
| 3．3．1 SiNX性能对a-SiTFT性能的影响 | 第36-37页 |
| 3．3．2 SiNX膜的PECVD制备原理 | 第37-38页 |
| 3．3．3 SiNX性能与淀积工艺参数的关系 | 第38页 |
| 3．4 a-Si膜的制备 | 第38-53页 |
| 3．4．1 a-Si性能对a-SiTFT性能的影响 | 第38-40页 |
| 3．4．2 a-Si膜的PECVD制备原理 | 第40-41页 |
| 3．4．3 a-Si性能与工艺参数的关系 | 第41-53页 |
| 3．4．3．1 a-Si迁移率的测量 | 第41-45页 |
| 3．4．3．2 a-Si态密度的测量 | 第45-49页 |
| 3．4．3．3 a-Si氢含量的测量 | 第49-53页 |
| 3．5 低界面态薄膜的制备 | 第53-56页 |
| 3．5．1 H处理 | 第54-55页 |
| 3．5．2 改变NH_3/SiH_4流量比 | 第55-56页 |
| 3．6 n+a-Si膜的制备 | 第56-57页 |
| 第四章 a-SiTFT-LCD的结构设计 | 第57-71页 |
| 4．1 a-SiTFT结构参数的设计 | 第57-60页 |
| 4．1．1 a-SiTFT通断电流和电阻的设计 | 第57-58页 |
| 4．1．2 a-SiTFT组成膜厚度的设计 | 第58-59页 |
| 4．1．3 a-SiTFT沟道宽长比的设计 | 第59-60页 |
| 4．2 a-SiTFT像素单元的设计 | 第60-62页 |
| 4．2．1 存储电容的设计 | 第60-61页 |
| 4．2．2 偏置线的设计 | 第61页 |
| 4．2．3 开口率的设计 | 第61-62页 |
| 4．3 新型a-SiTFT组成结构的设计 | 第62-64页 |
| 4．4 液晶盒的设计 | 第64-70页 |
| 4．4．1 a-SiTFT-LCD的液晶工作模式的选取 | 第64-65页 |
| 4．4．2 TN模式的光学特性 | 第65-66页 |
| 4．4．3 a-SiTFT-LCD对液晶材料的选取 | 第66-68页 |
| 4．4．4 信号响应与保持时间的设计 | 第68-70页 |
| 4．4．5 液晶盒的组装 | 第70页 |
| 4．5 设计器件的SPICE模拟 | 第70-71页 |
| 第五章 a-SiTFT阵列制造技术 | 第71-84页 |
| 5．1 基片的洁净技术 | 第71-73页 |
| 5．1．1 清洗方法与原理 | 第71-72页 |
| 5．1．2 a-SiTFT阵列制造中的洁净技术 | 第72-73页 |
| 5．2 a-SiTFT阵列制备工艺过程与模板的制备 | 第73-75页 |
| 5．3 光刻工艺 | 第75-79页 |
| 5．3．1 光刻胶 | 第75-76页 |
| 5．3．2 光刻工艺 | 第76-79页 |
| 5．4 选择腐蚀 | 第79-84页 |
| 5．4．1 湿法腐蚀 | 第79-81页 |
| 5．4．2 干涉腐蚀 | 第81-82页 |
| 5．4．3 光刻及腐蚀缺陷 | 第82-84页 |
| 第六章 结论 | 第84-86页 |
| 参考文献 | 第86-95页 |
| 致谢 | 第95-96页 |
| 个人简历 | 第96页 |
