| 1 绪论 | 第1-19页 |
| 1．1 碳化硅材料及其应用 | 第8页 |
| 1．2 碳化硅材料工业制备历史、现状及其发展趋势 | 第8-14页 |
| 1．2．1 传统制备方法 | 第9-11页 |
| 1．2．2 国内外碳化硅材料的生产情况 | 第11-13页 |
| 1．2．3 碳化硅行业面临的问题及出路 | 第13页 |
| 1．2．4 多芯炉合成碳化硅新技术 | 第13-14页 |
| 1．3 问题的提出及研究意义 | 第14-16页 |
| 1．4 研究目的和研究内容 | 第16-17页 |
| 1．5 研究思路 | 第17页 |
| 1．6 研究方法 | 第17-18页 |
| 1．7 技术路线 | 第18-19页 |
| 2 多热源合成碳化硅炉温度场数值计算模型的建立 | 第19-45页 |
| 2．1 对温度场的简化、假设和约定 | 第19-20页 |
| 2．2 合成炉的传热学分析 | 第20-31页 |
| 2．2．1 单热源炉传热学分析 | 第20-22页 |
| 2．2．2 多热源炉传热学分析 | 第22-31页 |
| 2．3 初始条件和边界条件的确定 | 第31-32页 |
| 2．4 合成炉温度场数学模型的建立 | 第32-34页 |
| 2．4．1 单热源炉温度场的数学模型 | 第32-33页 |
| 2．4．2 多热源炉温度场的数学模型 | 第33-34页 |
| 2．5 合成炉温度场有限元几何模型的建立 | 第34-37页 |
| 2．6 合成炉温度场有限元数值计算模型的建立 | 第37-40页 |
| 2．6．1 单热源炉温度场有限元数值计算模型的建立 | 第37-39页 |
| 2．6．2 多热源炉温度场有限元数值计算模型的建立 | 第39-40页 |
| 2．7 ANSYS软件的数学基础与合成炉温度场数学模型的比较 | 第40-42页 |
| 2．8 本章小结 | 第42-45页 |
| 3 多热源合成碳化硅炉温度场ANSYS模拟及实验验证研究 | 第45-76页 |
| 3．1 ANSYS软件在多热源炉温度场分析中的应用 | 第45-48页 |
| 3．1．1 有关参数的选定 | 第45-47页 |
| 3．1．2 温度场ANSYS模拟的基本过程 | 第47-48页 |
| 3．2 实验 | 第48-49页 |
| 3．2．1 实验原料 | 第48页 |
| 3．2．2 主要设备及工艺 | 第48-49页 |
| 3．3 模拟结果及实验验证 | 第49-74页 |
| 3．3．1 单热源炉温度场的模拟结果及实验验证 | 第49-58页 |
| 3．3．2 多热源炉温度场的模拟结果及实验验证 | 第58-74页 |
| 3．4 本章小结 | 第74-76页 |
| 4 无芯炉温度场ANSYS模拟及其合成碳化硅材料的实验研究 | 第76-92页 |
| 4．1 热源数目趋于无穷时多热源炉温度场ANSYS模拟及无芯炉法的提出 | 第76-81页 |
| 4．1．1 温度分布的模拟 | 第77-78页 |
| 4．1．2 热流量及温度梯度的模拟 | 第78-80页 |
| 4．1．3 无芯炉法合成碳化硅材料的提出 | 第80页 |
| 4．1．4 无芯炉与多热源炉合成碳化硅材料的比较 | 第80-81页 |
| 4．2 无芯炉合成碳化硅材料的实验及测试 | 第81-82页 |
| 4．3 实验结果与分析讨论 | 第82-90页 |
| 4．3．1 原料配比对SiC材料合成的影响 | 第82-84页 |
| 4．3．2 供电时间对SiC材料合成的影响 | 第84页 |
| 4．3．3 供电功率对SiC材料合成的影响 | 第84-86页 |
| 4．3．4 产品的微观形态、特性及其可能的应用领域 | 第86-90页 |
| 4．4 本章小结 | 第90-92页 |
| 5 结论 | 第92-96页 |
| 致谢 | 第96-97页 |
| 参考文献 | 第97-101页 |
| 附录Ⅰ | 第101-106页 |
| 附录Ⅱ | 第106页 |
