电磁脉冲对天线系统的耦合效应研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 1 绪论 | 第8-13页 |
| ·课题研究的背景及意义 | 第8页 |
| ·国内外研究现状 | 第8-11页 |
| ·电磁脉冲杀伤载荷的发展现状 | 第8-9页 |
| ·毁伤机理及研究方法的发展现状 | 第9-10页 |
| ·防护技术的研究现状 | 第10-11页 |
| ·本文主要研究内容 | 第11-13页 |
| 2 电磁脉冲杀伤载荷及目标的易损性分析 | 第13-28页 |
| ·电磁脉冲的产生机理及描述方法 | 第13-18页 |
| ·杀伤载荷方案设计 | 第13-15页 |
| ·信号特性及表述形式 | 第15-18页 |
| ·电磁脉冲弹对空中目标的杀伤能力分析 | 第18-20页 |
| ·电磁脉冲弹杀伤区域大小 | 第18-19页 |
| ·目标处的功率密度 | 第19-20页 |
| ·耦合进目标的能量 | 第20页 |
| ·目标的易损性分析及毁伤判据 | 第20-27页 |
| ·对电子器件的作用效应的描述方法 | 第20-22页 |
| ·电磁脉冲杀伤载荷对电子器件的作用效应分析 | 第22-25页 |
| ·目标的毁伤判据 | 第25-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 3 模型的建立及仿真算法 | 第28-41页 |
| ·几何模型的创建 | 第28-36页 |
| ·UHF波段天线的设计 | 第28-30页 |
| ·L波段天线的设计 | 第30-33页 |
| ·X波段天线的设计 | 第33-36页 |
| ·毁伤数学模型的建立 | 第36-38页 |
| ·电磁场基本定律 | 第36-37页 |
| ·天线的发射功率 | 第37-38页 |
| ·同轴线中的能量损耗 | 第38页 |
| ·FDTD在电磁仿真中的应用 | 第38-40页 |
| ·天线的加载 | 第38-39页 |
| ·天线参数的提取 | 第39页 |
| ·吸收边界条件 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 4 电磁脉冲对多种频段天线的毁伤效能研究 | 第41-59页 |
| ·对UHF波段天线的毁伤效能研究 | 第41-47页 |
| ·八木天线耦合模型的建立 | 第41页 |
| ·脉宽对耦合电流和功率的影响 | 第41-42页 |
| ·入射场强对耦合电流和功率的影响 | 第42-44页 |
| ·脉宽对毁伤距离的影响 | 第44-45页 |
| ·入射方向及天线增益对耦合功率的影响 | 第45-47页 |
| ·对L波段天线的毁伤效能研究 | 第47-52页 |
| ·四臂螺旋天线耦合模型的建立 | 第47页 |
| ·脉宽对耦合电流和功率的影响 | 第47-48页 |
| ·入射场强对耦合电流和功率的影响 | 第48-49页 |
| ·脉宽对毁伤距离的影响 | 第49-50页 |
| ·入射方向和天线增益对耦合功率的影响 | 第50-52页 |
| ·对X波段天线的毁伤效能研究 | 第52-58页 |
| ·喇叭天线耦合模型的建立 | 第52-53页 |
| ·脉宽对耦合电流和功率的影响 | 第53-54页 |
| ·场强对耦合电流和功率的影响 | 第54-55页 |
| ·脉宽对毁伤距离的影响 | 第55-56页 |
| ·入射方向和天线增益对耦合功率的影响 | 第56-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 5 电磁脉冲对腔体的耦合效应及防护技术研究 | 第59-73页 |
| ·电磁脉冲与带同轴线缆的腔体耦合效应 | 第59-63页 |
| ·带同轴线耦合模型的创建 | 第59页 |
| ·脉宽对线缆耦合功率密度的影响 | 第59-60页 |
| ·入射角度对线缆耦合功率密度的影响 | 第60-63页 |
| ·同轴线缆参数对耦合效应的影响 | 第63-65页 |
| ·线缆中铜导线半径对耦合功率的影响 | 第63页 |
| ·线缆长度对耦合功率密度的影响 | 第63-65页 |
| ·腔体结构对屏蔽效能的影响 | 第65-69页 |
| ·带孔缝耦合模型的创建 | 第65页 |
| ·凸台位置对腔体中心场强的影响 | 第65-67页 |
| ·凸台形状对腔体和孔缝中心场强的影响 | 第67-68页 |
| ·凸台直径对腔体中心最大场强的影响 | 第68页 |
| ·凸台厚度对腔体中心最大场强的影响 | 第68-69页 |
| ·算法正确性的验证 | 第69-71页 |
| ·基于仿真结果的防护措施 | 第71-72页 |
| ·对天线耦合的防护措施 | 第71页 |
| ·对腔体耦合的防护措施 | 第71-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 6 总结与展望 | 第73-75页 |
| ·工作总结 | 第73页 |
| ·未来展望 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-78页 |