一种IGBT芯片的剖析
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-18页 |
| ·课题背景 | 第9-10页 |
| ·国内外功率半导体市场综述 | 第10-11页 |
| ·国内外研究概况 | 第11-16页 |
| ·穿通型IGBT（PT-IGBT） | 第12-13页 |
| ·非穿通型IGBT（NPT-IGBT） | 第13-14页 |
| ·场中止IGBT（FS-IGBT） | 第14-15页 |
| ·沟槽型IGBT（TRENCH-IGBT） | 第15-16页 |
| ·本课题的目的和意义 | 第16-17页 |
| ·课题的主要内容 | 第17-18页 |
| 第2章 IGBT的工作原理与基本理论 | 第18-24页 |
| ·IGBT的工作原理 | 第18-20页 |
| ·IGBT衬底晶向的选择 | 第20页 |
| ·IGBT的阈值电压 | 第20-21页 |
| ·IGBT的击穿电压 | 第21-23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 第3章 IGBT的结构剖析 | 第24-35页 |
| ·器件的选择与去封装 | 第24-26页 |
| ·器件的表面分析 | 第26-30页 |
| ·磨角染色法测结深 | 第30-32页 |
| ·沟槽型IGBT与平面型IGBT的比较 | 第32-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第4章 IGBT的工艺仿真 | 第35-55页 |
| ·常用器件工艺 | 第35-39页 |
| ·热氧化 | 第35-36页 |
| ·淀积薄膜 | 第36-37页 |
| ·离子注入 | 第37-38页 |
| ·光刻与刻蚀 | 第38-39页 |
| ·ATHENA工艺仿真软件 | 第39页 |
| ·主要工艺流程的确定 | 第39-40页 |
| ·IGBT的工艺仿真 | 第40-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第5章 IGBT的器件仿真 | 第55-69页 |
| ·ATLAS器件仿真软件 | 第55-58页 |
| ·基本方程 | 第55-56页 |
| ·高压器件模拟过程中常用的物理模型 | 第56-58页 |
| ·IGBT的器件仿真 | 第58-64页 |
| ·栅极特性 | 第58-59页 |
| ·导通电阻和输出特性 | 第59-60页 |
| ·击穿特性 | 第60-62页 |
| ·关断时间 | 第62-64页 |
| ·结构参数对器件性能的影响 | 第64-68页 |
| ·栅氧厚度对器件性能的影响 | 第64-65页 |
| ·N-基区厚度对器件性能的影响 | 第65-66页 |
| ·N-基区掺杂浓度对器件性能的影响 | 第66-67页 |
| ·栅槽深度对器件性能的影响 | 第67-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 结论 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 致谢 | 第75页 |
