| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-11页 |
| 1 绪论 | 第11-27页 |
| ·透明导电氧化物薄膜的研究现状 | 第11-16页 |
| ·In_20_3 基TCO 薄膜 | 第11页 |
| ·Sn0_2 基TCO 薄膜 | 第11-14页 |
| ·ZnO 基TCO 薄膜 | 第14-16页 |
| ·ZnO 的基本性质 | 第16-19页 |
| ·ZnO 的晶体结构 | 第16页 |
| ·ZnO 的基本物理参数 | 第16-17页 |
| ·ZnO 的能带结构和本征缺陷 | 第17-19页 |
| ·ZnO 薄膜的国内外研究现状 | 第19-25页 |
| ·ZnO 薄膜制备方法的研究现状 | 第19-22页 |
| ·ZnO 薄膜应用的研究现状 | 第22-25页 |
| ·本文的研究意义和研究内容 | 第25-27页 |
| ·本文的研究意义 | 第25页 |
| ·本文的研究内容 | 第25-27页 |
| 2 ZnO:Ga 薄膜的制备与表征 | 第27-41页 |
| ·射频磁控溅射的原理 | 第27-29页 |
| ·辉光放电和射频溅射 | 第27页 |
| ·磁控溅射的原理 | 第27-28页 |
| ·射频磁控溅射的优点 | 第28-29页 |
| ·ZnO:Ga 薄膜的制备方法 | 第29-31页 |
| ·磁控溅射台 | 第29页 |
| ·靶材的制备和衬底的清洗 | 第29-30页 |
| ·ZnO:Ga 薄膜的沉积过程 | 第30-31页 |
| ·ZnO:Ga 薄膜的制备条件 | 第31页 |
| ·ZnO:Ga 薄膜的表征方法 | 第31-38页 |
| ·薄膜的晶体结构测试(XRD) | 第31-33页 |
| ·薄膜表面形貌测试(SEM) | 第33页 |
| ·薄膜表面成分及化学态分析(XPS) | 第33-34页 |
| ·薄膜透射光谱测试 | 第34-35页 |
| ·薄膜光致发光谱测试(PL) | 第35页 |
| ·薄膜厚度和电学特性测试(Hall measurement) | 第35-38页 |
| ·ZnO:Ga 薄膜热电和气敏特性的测试 | 第38-41页 |
| ·薄膜塞贝克效应的测试 | 第38页 |
| ·薄膜气敏特性的测试 | 第38-41页 |
| 3 ZnO:Ga 薄膜的结构、成分和电学特性 | 第41-73页 |
| ·衬底温度对薄膜结构、成分和电学特性的影响 | 第41-49页 |
| ·衬底温度对薄膜结构特性和应力的影响 | 第41-45页 |
| ·衬底温度对薄膜成分的影响 | 第45-48页 |
| ·衬底温度对薄膜电学特性的影响 | 第48-49页 |
| ·Ga 掺杂浓度对薄膜结构和电学特性的影响 | 第49-52页 |
| ·Ga 掺杂浓度对薄膜结构特性的影响 | 第50-51页 |
| ·Ga 掺杂浓度对薄膜电学特性的影响 | 第51-52页 |
| ·溅射压强对薄膜结构和电学特性的影响 | 第52-55页 |
| ·溅射压强对薄膜结构特性的影响 | 第53-55页 |
| ·溅射压强对薄膜电学特性的影响 | 第55页 |
| ·薄膜厚度对薄膜结构和电学特性的影响 | 第55-58页 |
| ·薄膜厚度对薄膜结构特性的影响 | 第55-57页 |
| ·薄膜厚度对薄膜电学特性的影响 | 第57-58页 |
| ·溅射功率对薄膜结构和电学特性的影响 | 第58-59页 |
| ·溅射功率对薄膜结构特性的影响 | 第58页 |
| ·溅射功率对薄膜电学特性的影响 | 第58-59页 |
| ·退火对薄膜结构和电学特性的影响 | 第59-62页 |
| ·退火对薄膜结构特性的影响 | 第60-61页 |
| ·退火对薄膜电学特性的影响 | 第61-62页 |
| ·薄膜的热电、磁阻与磁热电特性 | 第62-70页 |
| ·热电效应及热电材料的研究进展 | 第62-65页 |
| ·衬底温度和退火对薄膜热电性能的影响 | 第65-68页 |
| ·溅射压强对薄膜热电性能的影响 | 第68-69页 |
| ·薄膜的磁阻和磁热电性能 | 第69-70页 |
| ·本章小结 | 第70-73页 |
| 4 ZnO:Ga 薄膜的光学特性 | 第73-103页 |
| ·衬底温度对薄膜透射光谱和光学带隙的影响 | 第73-75页 |
| ·Ga 掺杂浓度对薄膜透射光谱和光学带隙的影响 | 第75-77页 |
| ·溅射压强对薄膜透射光谱和光学带隙的影响 | 第77-79页 |
| ·薄膜厚度对薄膜透射光谱和光学带隙的影响 | 第79-80页 |
| ·溅射功率对薄膜透射光谱和光学带隙的影响 | 第80-81页 |
| ·退火对薄膜透射光谱、光学带隙和光致发光谱的影响 | 第81-86页 |
| ·退火对薄膜透射光谱和光学带隙的影响 | 第81-85页 |
| ·退火对薄膜光致发光谱的影响 | 第85-86页 |
| ·光学常数的计算 | 第86-100页 |
| ·光学常数计算方法综述 | 第86-90页 |
| ·用无约束优化方法计算薄膜的光学常数 | 第90-92页 |
| ·Swanepoel 和无约束优化方法计算结果的比较 | 第92-94页 |
| ·厚度对薄膜光学常数的影响 | 第94-97页 |
| ·Ga 掺杂浓度对薄膜光学常数的影响 | 第97-100页 |
| ·本章小结 | 第100-103页 |
| 5 ZnO:Ga 薄膜的 N0_2 气敏特性 | 第103-117页 |
| ·金属氧化物半导体气敏传感器的发展现状 | 第103-105页 |
| ·金属氧化物半导体的气敏机理 | 第105-107页 |
| ·半导体气敏传感器的主要性能指标 | 第107-108页 |
| ·ZnO:Ga 薄膜的N0_2 气敏特性 | 第108-116页 |
| ·薄膜的结构和形貌 | 第108-110页 |
| ·掺杂浓度和工作温度对薄膜的N0_2 气敏特性的影响 | 第110-111页 |
| ·薄膜对不同浓度N0_2 气体的敏感特性 | 第111-113页 |
| ·薄膜对N0_2 的气敏稳定性 | 第113-114页 |
| ·薄膜对CH_3COCH_3 的气敏性 | 第114-115页 |
| ·ZnO:Ga 薄膜气敏机理的简要分析 | 第115-116页 |
| ·本章小结 | 第116-117页 |
| 6 结论与展望 | 第117-121页 |
| ·主要结论与创新点 | 第117-119页 |
| ·后续工作及展望 | 第119-121页 |
| 致谢 | 第121-123页 |
| 参考文献 | 第123-137页 |
| 附录 | 第137-138页 |
| A 作者在攻读学位期间发表的论文目录 | 第137-138页 |
| B 作者在攻读学位期间负责和参加的科研项目目录 | 第138页 |
