稀土Dy、La、CeO2掺杂ZnO薄膜制备及特性
| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 第一章 引言 | 第11-17页 |
| §1.1 研究背景现状 | 第11-12页 |
| §1.2 ZnO薄膜的基本特性及制备方法 | 第12-16页 |
| §1.3 ZnO薄膜掺杂 | 第16-17页 |
| 第二章 金属氧化物半导体薄膜的气敏机理 | 第17-20页 |
| §2.1 吸附氧模型 | 第17-19页 |
| §2.2 表面电荷层理论 | 第19页 |
| §2.3 晶界势垒模型 | 第19-20页 |
| 第三章 实验 | 第20-23页 |
| §3.1 实验设备 | 第20页 |
| §3.2 主要实验材料及化学试剂 | 第20-21页 |
| §3.3 薄膜基本特性测试 | 第21页 |
| §3.4 衬底及蒸发源的清洁处理 | 第21页 |
| §3.5 薄膜的制备 | 第21-23页 |
| 第四章 结果与讨论 | 第23-45页 |
| §4.1 ZnO薄膜的氧化、热处理工艺 | 第23页 |
| §4.2 薄膜的结构特性 | 第23-31页 |
| §4.3 薄膜表面形貌特征及化学组分分析 | 第31-34页 |
| §4.4 薄膜的导电性能 | 第34-36页 |
| §4.5 薄膜的光学特性 | 第36-39页 |
| §4.6 ZnO薄膜的气敏特性 | 第39-45页 |
| 第五章 结论 | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 硕士期间发表学术论文 | 第51页 |
| 硕士期间参加的科研课题 | 第51页 |
