宽带射频功率放大器记忆效应的研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-13页 |
| ·射频功率放大器发展现状 | 第11-12页 |
| ·本课题研究的主要内容和意义 | 第12-13页 |
| 第二章 射频功率放大器非线性失真分析理论 | 第13-23页 |
| ·引言 | 第13页 |
| ·功率放大器的非线性 | 第13-17页 |
| ·谐波失真 | 第13-14页 |
| ·互调失真 | 第14-16页 |
| ·AM-AM 与AM-PM 变换 | 第16-17页 |
| ·放大器非线性对通信系统的影响 | 第17-18页 |
| ·非线性对信号星座和功率谱的影响 | 第17-18页 |
| ·功率效率、频谱效率与线性度 | 第18页 |
| ·非线性失真的表征 | 第18-22页 |
| ·多项式系统模型 | 第19页 |
| ·AM-AM & AM-PM 模型 | 第19-22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 射频功率放大器记忆效应理论分析 | 第23-36页 |
| ·引言 | 第23页 |
| ·记忆效应的定义及表现 | 第23-26页 |
| ·记忆效应的定义 | 第23-24页 |
| ·记忆效应的表现 | 第24-26页 |
| ·记忆效应产生的原因 | 第26-32页 |
| ·电学记忆效应 | 第26-30页 |
| ·热学记忆效应 | 第30-32页 |
| ·高阶幅度失真 | 第32-35页 |
| ·无记忆效应的窄带五阶分析 | 第33页 |
| ·有记忆效应的五阶分析 | 第33-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 BJT/FET 放大器中记忆效应分析 | 第36-64页 |
| ·非线性的仿真模型 | 第36-38页 |
| ·经验的黑盒子模型 | 第36-38页 |
| ·物理的电路级模型 | 第38页 |
| ·Volterra 级数的原理 | 第38-42页 |
| ·小信号与Volterra 级数分析 | 第39-40页 |
| ·非线性响应的直接计算 | 第40-42页 |
| ·BJT/HBT 模型 | 第42-48页 |
| ·CE BJT 放大器的线性分析 | 第42-43页 |
| ·输出电导、交叉项与温度的影响 | 第43-45页 |
| ·CE BJT 放大器中的IMD 失真 | 第45-48页 |
| ·计算IM3 响应 | 第48-57页 |
| ·作为两个级联非线性模块的BJT | 第48-52页 |
| ·BJT 的详细分析 | 第52-57页 |
| ·MESFET 模型与分析 | 第57-61页 |
| ·本章小结 | 第61-64页 |
| 第五章 线性化与记忆效应 | 第64-77页 |
| ·线性化技术 | 第64-66页 |
| ·记忆效应的仿真 | 第66-70页 |
| ·IM3 分量的归一化 | 第67页 |
| ·2D 扫描 | 第67-70页 |
| ·小结 | 第70页 |
| ·记忆效应的测量 | 第70-76页 |
| ·测试设备的校准 | 第71-72页 |
| ·测量的精度 | 第72-73页 |
| ·BJT PA 中的记忆效应 | 第73-74页 |
| ·MESFET PA 中的记忆效应 | 第74-76页 |
| ·小结 | 第76页 |
| ·本章小结 | 第76-77页 |
| 第六章 有记忆效应条件下的线性化电路 | 第77-89页 |
| ·阻抗优化 | 第78-82页 |
| ·有源负载阻抗原理 | 第78-79页 |
| ·有源负载阻抗测试电路与校准 | 第79-80页 |
| ·无预失真时最优基区包络阻抗Z BB | 第80-81页 |
| ·有预失真时最优基区包络阻抗Z BB | 第81-82页 |
| ·小结 | 第82页 |
| ·包络滤波 | 第82-84页 |
| ·包络注入 | 第84-87页 |
| ·调制频率域的补偿 | 第85-86页 |
| ·幅度域的补偿 | 第86-87页 |
| ·结论 | 第87-89页 |
| 第七章 结束语 | 第89-90页 |
| 致谢 | 第90-91页 |
| 参考文献 | 第91-94页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第94-95页 |
