| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-29页 |
| ·低温多晶硅薄膜晶体管简介 | 第10-15页 |
| ·低温多晶硅薄膜晶体管在有源矩阵液晶显示中的应用 | 第10-12页 |
| ·实验样品制备 | 第12-15页 |
| ·多晶硅薄膜晶体管可靠性研究概述 | 第15-21页 |
| ·直流应力下的多晶薄膜晶体管可靠性研究现状 | 第15-18页 |
| ·动态电应力下的多晶薄膜晶体管可靠性研究现状 | 第18-21页 |
| ·论文的研究思路、研究方法及结构安排 | 第21-25页 |
| 参考文献 | 第25-29页 |
| 第二章 栅漏端同步脉冲应力下的器件退化与机制分析 | 第29-51页 |
| ·研究背景及电应力条件 | 第29-31页 |
| ·实验退化现象 | 第31-43页 |
| ·器件退化与脉冲占空比关系 | 第31-33页 |
| ·器件退化与脉冲频率关系 | 第33-38页 |
| ·器件退化与脉冲上升沿下降沿的关系 | 第38-41页 |
| ·器件退化与温度的关系 | 第41-43页 |
| ·器件退化模型分析 | 第43-45页 |
| ·器件退化模型验证实验 | 第45-47页 |
| ·本章结论 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-51页 |
| 第三章 漏端动态电应力下器件退化研究与机制分析 | 第51-69页 |
| ·研究背景及电应力条件 | 第51-53页 |
| ·实验退化现象 | 第53-60页 |
| ·器件转移与输出的退化特性 | 第53-55页 |
| ·器件退化与温度的关系 | 第55-56页 |
| ·器件退化与器件沟道长度的关系 | 第56-57页 |
| ·器件退化与脉冲幅度的关系 | 第57-58页 |
| ·器件退化与脉冲频率的关系 | 第58页 |
| ·器件退化与脉冲上升沿下降沿的关系 | 第58-60页 |
| ·器件瞬态模拟分析 | 第60-63页 |
| ·器件退化模型分析 | 第63-64页 |
| ·器件退化模型验证实验 | 第64-66页 |
| ·高低温器件退化比较 | 第64-65页 |
| ·栅脉冲带来的器件退化 | 第65-66页 |
| ·本章结论 | 第66-69页 |
| 第四章 栅直流偏置下漏端动态电应力带来的器件退化研究与机制分析 | 第69-77页 |
| ·研究背景及电应力条件 | 第69-70页 |
| ·实验结果讨论 | 第70-73页 |
| ·器件开态电流的退化特性 | 第70-72页 |
| ·器件关态电流的退化特性 | 第72-73页 |
| ·器件瞬态模拟分析 | 第73-75页 |
| ·器件退化模型分析 | 第75-76页 |
| ·本章结论 | 第76-77页 |
| 第五章 总结及未来工作 | 第77-79页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第79-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |