| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 前言 | 第9-32页 |
| §1.1 从KB到ZB——信息爆炸与硬盘发展 | 第9-11页 |
| §1.2 从水平到垂直——硬盘磁记录技术发展 | 第11-14页 |
| §1.2.1 硬盘结构及磁记录原理 | 第11-13页 |
| §1.2.2 垂直磁记录的优势 | 第13-14页 |
| §1.3 热辅助磁记录 | 第14-17页 |
| §1.3.1 提高磁记录密度的三重矛盾 | 第14-15页 |
| §1.3.2 热辅助磁记录原理 | 第15-16页 |
| §1.3.3 热辅助磁记录的光学设计和热传递 | 第16-17页 |
| §1.4 交换耦合复合介质 | 第17-20页 |
| §1.4.1 交换耦合复合介质的原理 | 第17-18页 |
| §1.4.2 L1_0相FePt薄膜的基本性质 | 第18-20页 |
| §1.5 磁性纳米线中磁畴壁的信息存储技术 | 第20-25页 |
| §1.5.1 磁畴壁与新型内存Racetrack Memory | 第20-23页 |
| §1.5.2 纳米线中磁畴壁的类型 | 第23-24页 |
| §1.5.3 纳米线中磁畴壁的钉扎与运动 | 第24-25页 |
| §1.6 本论文主要研究内容 | 第25-26页 |
| §1.7 小结 | 第26-27页 |
| 参考文献 | 第27-32页 |
| 第二章 热辅助磁记录的研究 | 第32-44页 |
| §2.1 热辅助磁记录动态测试平台的搭建 | 第32-35页 |
| §2.2 热辅助磁记录的性能测试 | 第35-40页 |
| §2.2.1 激光加热辅助下磁信号强度的提升 | 第35-37页 |
| §2.2.2 激光加热辅助下磁记录密度的提升 | 第37-40页 |
| §2.3 低矫顽力介质中的磁头返回场擦除效应 | 第40-42页 |
| §2.3.1 热辅助磁记录在低矫顽力介质中的效果 | 第40-41页 |
| §2.3.2 环形磁头返回场的部分擦除效应 | 第41-42页 |
| §2.4 小结 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-44页 |
| 第三章 基于L1_0相FePt的垂直交换耦合介质和梯度型介质的研究 | 第44-68页 |
| §3.1 薄膜制备方法 | 第45-50页 |
| §3.1.1 薄膜生长机理 | 第45-46页 |
| §3.1.2 真空磁控溅射技术 | 第46-48页 |
| §3.1.3 Lesker CMS-18磁控溅射系统 | 第48-50页 |
| §3.2 薄膜表征手段 | 第50-52页 |
| §32.1 薄膜样品的微结构测量 | 第50-51页 |
| §3.2.2 薄膜样品的磁性测量 | 第51-52页 |
| §3.3 L1_0-FePt/[Co/Ni]_NECC介质的研究 | 第52-58页 |
| §3.3.1 L1_0-FePt/[Co/Ni]_N样品的制备 | 第52-53页 |
| §3.3.2 垂直取向的[Co/Ni]_N多层膜作为软磁层 | 第53-54页 |
| §3.3.3 [Co/Ni]_N厚度对L1_0-FePt/[Co/Ni]_N复合结构矫顽力的影响 | 第54-55页 |
| §3.3.4 交换耦合强度对L1_0-FePt/[Co/Ni]_N复合结构磁化翻转的影响 | 第55-57页 |
| §3.3.5 L1_0-FePt/[Co/Ni]_N复合结构中的非一致磁矩转动 | 第57-58页 |
| §3.3.6 结论 | 第58页 |
| §3.4 L1_0-FePt/[Co/Ni]_N ECC介质的研究 | 第58-62页 |
| §3.4.1 L1_0-FePt5/[Co0.2/Pt0.6]_n样品的制备 | 第59页 |
| §3.4.2 [Co/Pt]_n厚度对L1_0-FePt/[Co/Ni]_N矫顽力的影响 | 第59-60页 |
| §3.4.3 [Co/Pt]_N成分对L1_0-FePt/[Co/Ni]_N矫顽力的影响 | 第60-61页 |
| §3.4.4 结论 | 第61-62页 |
| §3.5 L1_0-FePt/Co/Fe梯度型介质的研究 | 第62-64页 |
| §3.5.1 L1_0-FePt/Co/Fe矫顽力随Co层厚度的变化 | 第62-63页 |
| §3.5.2 L1_0-FePt/Co/Fe翻转过程的研究 | 第63-64页 |
| §3.5.3 总结 | 第64页 |
| §3.6 小结 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
| 第四章 磁性纳米线中的磁畴壁钉扎 | 第68-82页 |
| §4.1 纳米线样品制备方法与表征 | 第68-72页 |
| §4.1.1 电子束刻蚀和Lift-off过程 | 第68-70页 |
| §4.1.2 热蒸发镀膜 | 第70页 |
| §4.1.3 扫描电子显微镜 | 第70-71页 |
| §4.1.4 Focused MOKE | 第71-72页 |
| §4.2 纳米线样品结构 | 第72-73页 |
| §4.3 磁性纳米线中磁畴壁的钉扎与脱钉扎 | 第73-75页 |
| §4.3.1 三角形凹陷结构对磁畴壁的钉扎作用 | 第73-74页 |
| §4.3.2 磁畴壁脱钉扎场的分布 | 第74-75页 |
| §4.4 磁畴壁手性对脱钉扎场的影响 | 第75-77页 |
| §4.5 运动方向对脱钉扎场的影响 | 第77-79页 |
| §4.6 小结 | 第79页 |
| 参考文献 | 第79-82页 |
| 第五章 总结 | 第82-84页 |
| 展望 | 第84-85页 |
| 在读博士期间发表及撰写的论文 | 第85-86页 |
| 致谢 | 第86-87页 |
