| 摘要 | 第1-9页 |
| ABSTRACT | 第9-13页 |
| 目录 | 第13-15页 |
| 第1章 引言 | 第15-19页 |
| 第2章 ZnO材料综述 | 第19-54页 |
| ·ZnO的结构 | 第19-22页 |
| ·ZnO的基本性质及其研究进展 | 第22-31页 |
| ·ZnO的光电性质 | 第22-25页 |
| ·ZnO的压电性质 | 第25页 |
| ·ZnO的压敏性质 | 第25-27页 |
| ·ZnO的稀磁性质 | 第27-30页 |
| ·ZnO的气敏性质 | 第30-31页 |
| ·ZnO薄膜制备方法 | 第31-35页 |
| ·磁控溅射(Magnetron Sputtering)技术 | 第31-32页 |
| ·金属有机物气相沉积(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)技术 | 第32-33页 |
| ·脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition)技术 | 第33-34页 |
| ·分子束外延(Molecular Beam Epitaxy)技术 | 第34页 |
| ·溶胶凝胶法(Sol-Gel) | 第34-35页 |
| ·喷雾热分解(Spray Pyrolysis)技术 | 第35页 |
| ·ZnO中的缺陷 | 第35-43页 |
| ·ZnO薄膜中的点缺陷 | 第36-37页 |
| ·ZnO中的线缺陷(TDs) | 第37-38页 |
| ·ZnO中的堆垛层错(Stacking Faults) | 第38-40页 |
| ·ZnO薄膜中的晶界(GBs)缺陷 | 第40-41页 |
| ·ZnO中的缺陷对其导电性和光学性能的影响 | 第41-43页 |
| ·ZnO薄膜掺杂研究概述 | 第43-51页 |
| ·以Ⅴ族元素为受主源 | 第44-46页 |
| ·以Ⅰ族元素为受主源 | 第46页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ族元素共掺杂 | 第46-48页 |
| ·过渡族金属掺杂ZnO形成稀磁半导体 | 第48-51页 |
| ·本章小结 | 第51-54页 |
| 第3章 反应离化团簇束法制备ZnO薄膜 | 第54-67页 |
| ·反应离化団簇束(RICB)法简介 | 第55-60页 |
| ·本实验团簇束的发生装置 | 第60-61页 |
| ·团簇束离化装置 | 第61-63页 |
| ·衬底安装及加热系统 | 第63页 |
| ·薄膜制备与表征 | 第63-65页 |
| ·本章小结 | 第65-67页 |
| 第4章 反应磁控溅射法制备ZnO薄膜 | 第67-82页 |
| ·基本原理 | 第67-69页 |
| ·各种溅射工艺 | 第69-74页 |
| ·实验装置 | 第74-76页 |
| ·薄膜制备 | 第76页 |
| ·薄膜表征 | 第76-80页 |
| ·本章小结 | 第80-82页 |
| 第5章 脉冲激光沉积法制备ZnO薄膜 | 第82-92页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD)原理 | 第82-84页 |
| ·脉冲激光沉积的物理过程 | 第84-86页 |
| ·脉冲激光沉积薄膜的特点 | 第86-88页 |
| ·薄膜的制备 | 第88-89页 |
| ·薄膜的表征 | 第89-91页 |
| ·本章小结 | 第91-92页 |
| 第6章 ZnO薄膜的掺杂及表征 | 第92-114页 |
| ·离子注入掺杂概述 | 第92-93页 |
| ·Sb离子注入ZnO外延膜的结构和光学性质 | 第93-99页 |
| ·实验 | 第94页 |
| ·实验结果及讨论 | 第94-99页 |
| ·Sb离子注入ZnMnO薄膜的结构和Raman光谱分析 | 第99-104页 |
| ·实验 | 第100页 |
| ·实验结果及讨论 | 第100-104页 |
| ·Mn离子注入ZnO薄膜的结构和磁性研究 | 第104-110页 |
| ·实验 | 第104-105页 |
| ·实验结果及讨论 | 第105-110页 |
| ·本章小结 | 第110-114页 |
| 总结 | 第114-116页 |
| 参考文献 | 第116-126页 |
| 攻博期间发表的科研论文 | 第126-127页 |
| 致谢 | 第127页 |
