摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-9页 |
引言 | 第12-14页 |
第1章 绪论 | 第14-35页 |
1.1 纳米光子学 | 第14-15页 |
1.2 表面等离激元 | 第15-20页 |
1.2.1 表面等离激元的基本理论 | 第15-19页 |
1.2.2 局域表面等离激元的激发方式 | 第19-20页 |
1.3 局域表面等离激元 | 第20-21页 |
1.4 等离激元效应的应用 | 第21-28页 |
1.4.1 表面等离激元效应的发现 | 第21-23页 |
1.4.2 基于局域表面等离激元的脊型天线 | 第23-26页 |
1.4.3 基于脊型天线的应用 | 第26-28页 |
1.5 本论文的主要研究内容 | 第28-30页 |
参考文献 | 第30-35页 |
第2章 脊型波导的理论研究与倏逝光场整形 | 第35-63页 |
2.1 电磁场的矢量分析方法简介 | 第35-36页 |
2.2 Bowtie型天线的电场特性模拟 | 第36-39页 |
2.3 基于波导理论的Bowtie型天线理论分析 | 第39-46页 |
2.3.1 Bowtie型天线中的模式分析 | 第39-40页 |
2.3.2 Bowtie型天线的谐振特性 | 第40-44页 |
2.3.3 Bowtie型天线谐振特性的实验研究 | 第44-46页 |
2.4 超材料与超透射现象 | 第46-57页 |
2.4.1 超材料体系中的光场传输 | 第46-47页 |
2.4.2 金属-介质多层膜系材料的各项异性分析 | 第47-50页 |
2.4.3 金属-介质多层膜系等效分析 | 第50页 |
2.4.4 针对Bowtie型天线倏逝场的超材料设计 | 第50-54页 |
2.4.5 基于超材料的长焦深曝光装置设计 | 第54-57页 |
2.5 本章小结 | 第57-59页 |
参考文献 | 第59-63页 |
第三章 基于Bowtie型天线的近场扫描光刻系统 | 第63-91页 |
3.1 光刻技术回顾与近场扫描光刻技术介绍 | 第63-66页 |
3.2 聚焦离子束加工Bowtie型天线 | 第66-68页 |
3.3 极小间距的天线加工与理论对比 | 第68-71页 |
3.4 背面加工的模板制备过程 | 第71-73页 |
3.5 曝光系统与装置 | 第73-74页 |
3.6 柔性协变台的设计与仿真 | 第74-80页 |
3.6.1 柔性协变台的设计思路 | 第75-76页 |
3.6.2 柔性平台的设计方法 | 第76-80页 |
3.7 近场扫描光刻的实验过程 | 第80-81页 |
3.8 近场扫描光刻的结果分析 | 第81-84页 |
3.9 本章总结 | 第84-86页 |
参考文献 | 第86-91页 |
第四章 基于隧穿结的电激励发光现象研究 | 第91-124页 |
4.1 基于隧穿结的电激发实验 | 第91-94页 |
4.2 非弹性隧穿机制 | 第94-95页 |
4.3 基于Bowtie天线的隧穿结设计 | 第95-107页 |
4.3.1 基于Bowtie天线隧穿结的设计原则 | 第95-99页 |
4.3.2 Bowtie型天线的加工流程 | 第99-101页 |
4.3.3 亚纳米隧穿结的产生机制 | 第101-104页 |
4.3.4 隧穿结的表征 | 第104-107页 |
4.3.5 隧穿结的形成位置 | 第107页 |
4.4 实验光路 | 第107-109页 |
4.5 电致荧光发光光谱特性研究 | 第109-118页 |
4.5.1 电致发光的光功率变化与发光效果 | 第109-110页 |
4.5.2 电致发光的后焦面成像图与偏振关系 | 第110-111页 |
4.5.3 光谱的多峰特性研究 | 第111-115页 |
4.5.4 隧穿天线局域光子态密度仿真 | 第115-118页 |
4.5.6 电致发光的效率 | 第118页 |
4.6 本章总结 | 第118-120页 |
参考文献 | 第120-124页 |
第5章 应用于纳米压印系统中的高对比度标记 | 第124-134页 |
5.1 纳米压印系统与对准技术 | 第124-125页 |
5.2 应用于纳米压印系统中的莫尔条纹对准装置 | 第125-126页 |
5.3 高衍射效率型对准光栅设计 | 第126-129页 |
5.4 高对比度标度的制备与实验 | 第129-131页 |
5.5 本章总结 | 第131-132页 |
参考文献 | 第132-134页 |
第6章 论文总结与展望 | 第134-138页 |
6.1 论文总结 | 第134-136页 |
6.2 工作展望 | 第136-138页 |
致谢 | 第138-139页 |
在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第139-140页 |