| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-20页 |
| 1.1 存储器的背景和发展 | 第8页 |
| 1.2 新型非挥发性存储器 | 第8-11页 |
| 1.2.1 铁电存储器(FeRAM) | 第9页 |
| 1.2.2 磁存储器(MRAM) | 第9-10页 |
| 1.2.3 相变存储器(PRAM) | 第10-11页 |
| 1.2.4 阻变存储器(RRAM) | 第11页 |
| 1.3 阻变存储器(RRAM)的发展及研究现状 | 第11-12页 |
| 1.4 阻变存储器(RRAM)的概念 | 第12-14页 |
| 1.4.1 阻变存储器(RRAM)的基本结构及操作步骤 | 第12-13页 |
| 1.4.2 阻变存储器(RRAM)的性能指标 | 第13-14页 |
| 1.5 阻变存储器(RRAM)存储机制 | 第14-18页 |
| 1.5.1 离子阻变类型 | 第15-16页 |
| 1.5.2 电子阻变类型 | 第16-18页 |
| 1.6 离子型阻变器件的发展 | 第18页 |
| 1.7 研究内容及研究意义 | 第18-20页 |
| 第二章 薄膜制备技术以及表征技术 | 第20-26页 |
| 2.1 薄膜沉积设备介绍及其原理 | 第20-22页 |
| 2.1.1 磁控溅射设备和离子束溅射设备 | 第20-21页 |
| 2.1.2 超高真空磁控溅射系统 | 第21-22页 |
| 2.2 薄膜表征设备介绍及其原理 | 第22-24页 |
| 2.2.1 原子力显微镜 | 第22-23页 |
| 2.2.2 椭圆偏振光谱仪 | 第23页 |
| 2.2.3 X射线光电子能谱仪 | 第23-24页 |
| 2.3 薄膜测试设备介绍及其原理 | 第24-26页 |
| 2.3.1 半导体参数分析仪 | 第24-26页 |
| 第三章 不同金属插层对氧化钽阻变存储器的阻变特性研究 | 第26-40页 |
| 3.1 不同氧分压对未插层阻变存储器的性能影响 | 第26-29页 |
| 3.2 不同厚度对未插层阻变存储器的性能影响 | 第29-31页 |
| 3.3 不同金属插层的氧化钽阻变存储器的性能分析 | 第31-35页 |
| 3.4 不同金属插层的氧化钽阻变存储器的传输机理分析 | 第35-39页 |
| 3.5 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 不同插Ti层厚度对氧化钽结构阻变存储器的影响 | 第40-49页 |
| 4.1 不同插Ti层厚度对氧化钽结构阻变存储器的性能影响 | 第40-45页 |
| 4.2 不同插Ti层厚度的氧化钽阻变存储器的传输机理分析 | 第45-47页 |
| 4.3 本章小节 | 第47-49页 |
| 第五章 总结与展望 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-55页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56页 |
