| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 气敏传感器概述 | 第9-10页 |
| 1.1.1 研究背景 | 第9页 |
| 1.1.2 气敏传感器的发展及分类 | 第9-10页 |
| 1.2 SnO_2气敏材料概述 | 第10-14页 |
| 1.2.1 SnO_2的基本物理性质 | 第11页 |
| 1.2.2 SnO_2的气敏机理 | 第11-12页 |
| 1.2.3 SnO_2的制备 | 第12-14页 |
| 1.3 计算材料学研究现状与发展 | 第14-15页 |
| 1.4 论文主要工作和安排 | 第15-17页 |
| 第二章 理论基础 | 第17-25页 |
| 2.1 引言 | 第17页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第17-21页 |
| 2.2.1 薛定谔方程 | 第17-18页 |
| 2.2.2 近似方法 | 第18-19页 |
| 2.2.3 Hohenberg-Kohn定理 | 第19-20页 |
| 2.2.4 Kohn-Sham方程 | 第20-21页 |
| 2.3 交换关联能泛函 | 第21-22页 |
| 2.3.1 局域密度近似(LDA) | 第21-22页 |
| 2.3.2 广义梯度密度近似(GGA) | 第22页 |
| 2.4 物理量意义 | 第22-24页 |
| 2.4.1 能带结构 | 第22-23页 |
| 2.4.2 电子态密度 | 第23页 |
| 2.4.3 Mulliken集居数 | 第23-24页 |
| 2.5 软件介绍 | 第24-25页 |
| 第三章 Zn掺杂SnO_2晶体的第一性原理研究 | 第25-36页 |
| 3.1 前言 | 第25页 |
| 3.2 SnO_2晶体结构的构建及优化 | 第25-29页 |
| 3.2.1 纯净的SnO_2晶体结构 | 第25-26页 |
| 3.2.2 计算参数设定 | 第26页 |
| 3.2.3 结果分析 | 第26-29页 |
| 3.3 Zn掺杂的模型构建及优化 | 第29-34页 |
| 3.3.1 构建Zn掺杂模型 | 第29-30页 |
| 3.3.2 结果分析 | 第30-34页 |
| 3.4 本章小结 | 第34-36页 |
| 第四章 SnO_2(110)表面吸附氧的第一性原理研究 | 第36-48页 |
| 4.1 前言 | 第36页 |
| 4.2 SnO_2(110)表面结构及优化 | 第36-39页 |
| 4.2.1 SnO_2(110)切面模型 | 第36-38页 |
| 4.2.2 结果分析 | 第38-39页 |
| 4.3 表面吸附模型 | 第39-41页 |
| 4.3.1 O_2分子模型的建立 | 第39页 |
| 4.3.2 还原(110)面结构模型 | 第39-40页 |
| 4.3.3 O_2吸附模型 | 第40-41页 |
| 4.4 结果及分析 | 第41-47页 |
| 4.4.1 氧化(110)面和还原(110)面结构优化 | 第41-42页 |
| 4.4.2 吸附模型优化结构分析 | 第42-44页 |
| 4.4.3 最佳吸附模型确定 | 第44-45页 |
| 4.4.4 吸附模型态密度分析 | 第45-46页 |
| 4.4.5 吸附模型集居数分析 | 第46-47页 |
| 4.5 小结 | 第47-48页 |
| 第五章 SnO_2薄膜制备 | 第48-56页 |
| 5.1 引言 | 第48页 |
| 5.2 实验过程 | 第48-51页 |
| 5.2.1 薄膜制备 | 第48-50页 |
| 5.2.2 薄膜表征 | 第50-51页 |
| 5.3 SnO_2薄膜分析 | 第51-55页 |
| 5.3.1 退火温度对薄膜影响 | 第51-53页 |
| 5.3.2 Zn掺杂对薄膜影响 | 第53-55页 |
| 5.4 小结 | 第55-56页 |
| 第六章 总结与展望 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-60页 |
| 附录 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |