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微观结构及缺陷对YSZ涂层的阻尼性能影响研究

摘要第6-7页
Abstract第7-8页
第1章 绪论第12-22页
    1.1 引言第12页
    1.2 ZrO_2涂层的国内外综述第12-16页
        1.2.1 氧化锆涂层第12-13页
        1.2.2 阻尼涂层研究现状第13-15页
        1.2.3 涂层阻尼表征第15-16页
    1.3 阻尼性能的表征第16-17页
    1.4 分子动力学方法第17-19页
    1.5 选题依据第19页
    1.6 课题的研究内容及研究目的意义第19-22页
第2章 实验原理和方法第22-32页
    2.1 引言第22页
    2.2 电子束物理气相沉积(EB-PV D)技术第22-23页
        2.2.1 EB-PVD原理第22-23页
        2.2.2 EB-PVD技术的优缺点第23页
    2.3 EB-PVD设备第23-24页
    2.4 实验方案路线第24-25页
    2.5 实验材料第25页
    2.6 YSZ涂层的制备第25-27页
    2.7 涂层微观结构表征方法第27-29页
        2.7.1 表面形貌检测第27-28页
        2.7.2 化学成分分析第28页
        2.7.3 物相分析第28-29页
    2.8 涂层试样的阻尼性能测试第29-30页
    2.9 本章小结第30-32页
第3章 YSZ涂层的表征与分析第32-50页
    3.1 引言第32页
    3.2 YSZ涂层表面形貌分析第32-38页
        3.2.1 基片温度对涂层表面形貌的影响第32-35页
        3.2.2 蒸发束流对涂层表面形貌的影响第35-37页
        3.2.3 涂层断面微观形貌第37-38页
    3.3 YSZ涂层物相分析第38-43页
        3.3.1 物相随束流变化第38-40页
        3.3.2 物相随温度变化第40-41页
        3.3.3 涂层晶粒尺寸第41-43页
    3.4 YSZ涂层化学成分分析第43-46页
    3.5 缺陷生成原因第46-48页
    3.6 本章小结第48-50页
第4章 YSZ涂层的阻尼机理研究第50-64页
    4.1 引言第50-52页
    4.2 阻尼测试第52-55页
        4.2.1 阻尼测试参数设定第52-53页
        4.2.2 阻尼测试结果第53-55页
    4.3 YSZ涂层损耗因子的变化规律第55-57页
        4.3.1 基片温度对损耗因子的影响第55-56页
        4.3.2 蒸发束流对损耗因子的影响第56-57页
    4.4 YSZ涂层储能模量的变化规律第57-59页
        4.4.1 基片温度对储能模量的影响第57-58页
        4.4.2 蒸发束流对储能模量的影响第58-59页
    4.5 微观结构对YSZ涂层阻尼性能的影响第59-62页
        4.5.1 物相对阻尼的影响第59-61页
        4.5.2 缺陷对阻尼的影响第61-62页
    4.6 本章小结第62-64页
第5章 缺陷结构的分子动力学研究第64-76页
    5.1 引言第64-66页
    5.2 分子模型的建立第66-67页
        5.2.1 分子动力学的基本原理第66页
        5.2.2 分子动力学研究的一般方法第66-67页
    5.3 分子动力学模型建立第67-70页
        5.3.1 边界条件第67页
        5.3.2 势函数第67-68页
        5.3.3 热力学系综第68-69页
        5.3.4 变量调控第69-70页
        5.3.5 模型设计第70页
    5.4 金属氧化物模型的搭建第70-72页
        5.4.1 无缺陷金属氧化物晶型的搭建第70-72页
        5.4.2 模型空位模拟第72页
    5.5 驰豫分析第72-73页
    5.6 加载与卸载方式第73页
    5.7 模型结果分析第73-75页
    5.8 能量变化及阻尼机理分析第75页
    5.9 本章小结第75-76页
第6章 结论及展望第76-78页
    6.1 结论第76-77页
    6.2 展望第77-78页
参考文献第78-84页
致谢第84-85页
附录第85页

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