| 中文摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-19页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 磁电阻效应 | 第8-17页 |
| 1.2.1 磁电阻效应的简介 | 第8-9页 |
| 1.2.2 磁性材料中的磁电阻效应 | 第9-11页 |
| 1.2.3 铁磁/半导体自旋注入的磁电阻效应 | 第11-13页 |
| 1.2.4 非磁性材料的磁电阻效应 | 第13-17页 |
| 1.3 本课题的研究内容 | 第17页 |
| 参考文献 | 第17-19页 |
| 第二章 器件的制备以及测量 | 第19-27页 |
| 2.1 引言 | 第19页 |
| 2.2 器件的制备 | 第19-23页 |
| 2.2.1 微纳加工技术 | 第19-20页 |
| 2.2.2 离子注入技术 | 第20-21页 |
| 2.2.3 磁控溅射法制备坡莫合金薄膜 | 第21-23页 |
| 2.3 器件的测量 | 第23-26页 |
| 2.3.1 能量色散X射线光谱仪 | 第23页 |
| 2.3.2 磁光克尔测量系统 | 第23-24页 |
| 2.3.3 输运测量系统 | 第24-26页 |
| 参考文献 | 第26-27页 |
| 第三章 非磁性pn结中由空间电荷导致的大磁电阻效应 | 第27-36页 |
| 3.1 引言 | 第27-28页 |
| 3.2 pn结磁电阻效应的理论模型 | 第28-34页 |
| 3.3 本章小结 | 第34页 |
| 参考文献 | 第34-36页 |
| 第四章 周期点阵砷化镓中pn结耦合引发的磁光电效应增强 | 第36-46页 |
| 4.1 引言 | 第36-37页 |
| 4.2 周期点阵砷化镓的器件结构以及电输运特性 | 第37-38页 |
| 4.3 周期点阵砷化镓器件的光电压随磁场大小的依赖关系 | 第38-39页 |
| 4.4 周期点阵砷化镓器件磁光电效应随外磁场的角度依赖关系 | 第39-41页 |
| 4.5 周期点阵砷化镓器件磁光电效应的温度依赖 | 第41-44页 |
| 4.6 本章小结 | 第44页 |
| 参考文献 | 第44-46页 |
| 第五章 Si/Ni_(80)Fe_(20)肖特基结中光热效应的磁场调制 | 第46-54页 |
| 5.1 引言 | 第46-47页 |
| 5.2 Si/Ni_(80)Fe_(20)肖特基结的制备 | 第47-48页 |
| 5.3 Si/Ni_(80)Fe_(20)肖特基结热电压的光调制 | 第48-49页 |
| 5.4 Si/Ni_(80)Fe_(20)肖特基结热电压随磁场大小的依赖关系 | 第49-50页 |
| 5.5 Si/Ni_(80)Fe_(20)肖特基结热电压随磁场角度的依赖关系 | 第50-51页 |
| 5.6 Si/Ni_(80)Fe_(20)肖特基结中各向异性磁塞贝克效应的温度依赖关系 | 第51-52页 |
| 5.7 本章小结 | 第52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 第六章 总结与展望 | 第54-56页 |
| 6.1 结论 | 第54页 |
| 6.2 展望 | 第54-56页 |
| 研究生期间的研究成果 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57页 |
