| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| §1.1 引言 | 第9-15页 |
| §1.1.1 拓扑绝缘体 | 第10-11页 |
| §1.1.2 Dirac半金属 | 第11-12页 |
| §1.1.3 Weyl半金属 | 第12页 |
| §1.1.4 Node-line半金属 | 第12-13页 |
| §1.1.5 选题依据和主要 | 第13-15页 |
| 第二章 密度泛函理论基础与方法 | 第15-26页 |
| §2.1 多粒子体系薛定谔方程 | 第15页 |
| §2.2 Born-Oppenheimer近似 | 第15-16页 |
| §2.3 Hohenberg-Kohn定理 | 第16-17页 |
| §2.4 Kohn-Sham方程 | 第17-18页 |
| §2.5 局域密度近似和广义梯度近似(GGA和LDA) | 第18-19页 |
| §2.6 赝势法 | 第19-22页 |
| §2.7 杂化泛函理论(HSE) | 第22-23页 |
| §2.8 自旋轨道耦合(SOC) | 第23-26页 |
| 第三章 Ⅱ-Ⅵ和Ⅲ-Ⅴ族化合物电子能带结构的第一性原理计算 | 第26-35页 |
| §3.1 引言 | 第26-27页 |
| §3.2 模型及方法 | 第27-28页 |
| §3.3 电子能带结构 | 第28-31页 |
| §3.4 分析与讨论 | 第31页 |
| §3.5 结论 | 第31-35页 |
| 第四章 压强及掺杂对Hg-Ⅵ和Tl-Ⅴ化合物拓扑相变的调控 | 第35-50页 |
| §4.1 引言 | 第35-36页 |
| §4.2 压强对Hg-Ⅵ和Tl-Ⅴ化合物拓扑相变的调控 | 第36-41页 |
| §4.2.1 压强对HgTe拓扑相的调控 | 第36-39页 |
| §4.2.2 压强对TlAs拓扑相的调控 | 第39-41页 |
| §4.2.3 小结 | 第41页 |
| §4.3 掺杂对Hg-Ⅵ和Tl-Ⅴ化合物拓扑相变的调控 | 第41-44页 |
| §4.3.1 Tes掺杂对拓扑相的调控 | 第42-44页 |
| §4.4 HgTe_xS_(1-x)在不同压强下的拓扑相 | 第44-47页 |
| §4.5 “新”材料TlP的性质 | 第47-49页 |
| §4.6 结论 | 第49-50页 |
| 第五章 Hg-Ⅵ和Tl-Ⅴ化合物手性调控的研究 | 第50-56页 |
| §5.1 引言 | 第50页 |
| §5.2 方法与模型 | 第50-54页 |
| §5.3 结论 | 第54-56页 |
| 第六章 Ⅱ-Ⅳ-Ⅰ_2 -Ⅵ_4族化合物性能的研究 | 第56-69页 |
| §6.1 引言 | 第57页 |
| §6.2 计算方法和模型 | 第57页 |
| §6.3 几何结构 | 第57-58页 |
| §6.4 电子结构 | 第58-64页 |
| §6.4.1 Ⅱ-Ⅳ-Ⅰ_2 -Ⅵ_4化合物的d电子性质 | 第60-63页 |
| §6.4.2 Ⅱ-Ⅳ-Ⅰ_2 -Ⅵ_4半导体化合物的光学性质 | 第63-64页 |
| §6.5 结论 | 第64-69页 |
| 第七章 总结与展望 | 第69-71页 |
| §7.1 总结 | 第69-70页 |
| §7.2 展望 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
