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600V高压MOSFET器件技术研究

摘要第5-6页
ABSTRACT第6页
符号对照表第10-11页
缩略语对照表第11-14页
第一章 绪论第14-20页
    1.1 论文研究的意义第14-15页
    1.2 国内外研究发展现状第15-16页
        1.2.1 国外研究发展现状第15页
        1.2.2 国内研究发展现状第15-16页
    1.3 研究技术基础第16-17页
    1.4 论文研究目标第17-18页
    1.5 论文研究方案第18-19页
        1.5.1 终端结构的设计第18-19页
        1.5.2 制备技术部分第19页
        1.5.3 器件测试分析部分第19页
        1.5.4 拟解决的关键问题第19页
    1.6 小结第19-20页
第二章 高压MOSFET工作的基本原理第20-32页
    2.1 器件的工作原理第20-22页
    2.2 器件基本参数第22-26页
        2.2.1 导通电阻第22-23页
        2.2.2 阈值电压第23-24页
        2.2.3 漏源电流第24页
        2.2.4 击穿电压第24-25页
        2.2.5 开关特性第25-26页
    2.3 高压MOSFET的终端结构第26-30页
        2.3.1 金属场板的结构及原理第27-28页
        2.3.2 电场限制环的结构与原理第28-29页
        2.3.3 终端曲面的刻蚀技术第29-30页
    2.4 小结第30-32页
第三章 高压MOSFET的参数设计第32-50页
    3.1 器件的基本参数设计第32-49页
        3.1.1 导通电阻的设计第32-40页
        3.1.2 本论文采用的终端结构第40-49页
    3.2 小结第49-50页
第四章 器件的工艺设计及加工第50-68页
    4.1 主结参数设计第50页
    4.2 元胞区设计第50-51页
    4.3 工艺流程设计第51-57页
        4.3.1 工艺加工调整过程第52-55页
        4.3.2 环侧壁的腐蚀第55页
        4.3.3 高质量栅氧的制备第55-56页
        4.3.4 多晶硅的淀积、掺杂均匀性第56-57页
        4.3.5 JFET注入第57页
    4.4 背面金属化第57页
    4.5 封装方案第57-60页
    4.6 可靠性设计第60-62页
        4.6.1 设计的可靠性第60-61页
        4.6.2 硅片级可靠性第61页
        4.6.3 封装的可靠性第61-62页
    4.7 测试方案第62-66页
    4.8 小结第66-68页
第五章 结论第68-70页
参考文献第70-72页
致谢第72-73页
作者简介第73-74页

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