600V高压MOSFET器件技术研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 符号对照表 | 第10-11页 |
| 缩略语对照表 | 第11-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-20页 |
| 1.1 论文研究的意义 | 第14-15页 |
| 1.2 国内外研究发展现状 | 第15-16页 |
| 1.2.1 国外研究发展现状 | 第15页 |
| 1.2.2 国内研究发展现状 | 第15-16页 |
| 1.3 研究技术基础 | 第16-17页 |
| 1.4 论文研究目标 | 第17-18页 |
| 1.5 论文研究方案 | 第18-19页 |
| 1.5.1 终端结构的设计 | 第18-19页 |
| 1.5.2 制备技术部分 | 第19页 |
| 1.5.3 器件测试分析部分 | 第19页 |
| 1.5.4 拟解决的关键问题 | 第19页 |
| 1.6 小结 | 第19-20页 |
| 第二章 高压MOSFET工作的基本原理 | 第20-32页 |
| 2.1 器件的工作原理 | 第20-22页 |
| 2.2 器件基本参数 | 第22-26页 |
| 2.2.1 导通电阻 | 第22-23页 |
| 2.2.2 阈值电压 | 第23-24页 |
| 2.2.3 漏源电流 | 第24页 |
| 2.2.4 击穿电压 | 第24-25页 |
| 2.2.5 开关特性 | 第25-26页 |
| 2.3 高压MOSFET的终端结构 | 第26-30页 |
| 2.3.1 金属场板的结构及原理 | 第27-28页 |
| 2.3.2 电场限制环的结构与原理 | 第28-29页 |
| 2.3.3 终端曲面的刻蚀技术 | 第29-30页 |
| 2.4 小结 | 第30-32页 |
| 第三章 高压MOSFET的参数设计 | 第32-50页 |
| 3.1 器件的基本参数设计 | 第32-49页 |
| 3.1.1 导通电阻的设计 | 第32-40页 |
| 3.1.2 本论文采用的终端结构 | 第40-49页 |
| 3.2 小结 | 第49-50页 |
| 第四章 器件的工艺设计及加工 | 第50-68页 |
| 4.1 主结参数设计 | 第50页 |
| 4.2 元胞区设计 | 第50-51页 |
| 4.3 工艺流程设计 | 第51-57页 |
| 4.3.1 工艺加工调整过程 | 第52-55页 |
| 4.3.2 环侧壁的腐蚀 | 第55页 |
| 4.3.3 高质量栅氧的制备 | 第55-56页 |
| 4.3.4 多晶硅的淀积、掺杂均匀性 | 第56-57页 |
| 4.3.5 JFET注入 | 第57页 |
| 4.4 背面金属化 | 第57页 |
| 4.5 封装方案 | 第57-60页 |
| 4.6 可靠性设计 | 第60-62页 |
| 4.6.1 设计的可靠性 | 第60-61页 |
| 4.6.2 硅片级可靠性 | 第61页 |
| 4.6.3 封装的可靠性 | 第61-62页 |
| 4.7 测试方案 | 第62-66页 |
| 4.8 小结 | 第66-68页 |
| 第五章 结论 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 作者简介 | 第73-74页 |
