摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第13-23页 |
1.1 研究背景及意义 | 第13-15页 |
1.2 功率放大器晶体管的工艺概述 | 第15-16页 |
1.3 高效率E类功率放大器的研究现状 | 第16-18页 |
1.4 超宽带功率放大器的研究现状 | 第18-21页 |
1.5 论文的主要研究内容 | 第21-22页 |
1.6 论文的组织结构 | 第22-23页 |
第2章 射频功率放大器的理论基础 | 第23-38页 |
2.1 射频功率放大器的主要性能指标 | 第23-27页 |
2.1.1 输出功率 | 第23页 |
2.1.2 效率 | 第23-24页 |
2.1.3 功率增益和增益平坦度 | 第24-25页 |
2.1.4 稳定性 | 第25页 |
2.1.5 线性度 | 第25-27页 |
2.1.6 工作频段和带宽 | 第27页 |
2.2 功率放大器的分类及其特点 | 第27-34页 |
2.2.1 线性功率放大器 | 第27-30页 |
2.2.2 开关类功率放大器 | 第30-34页 |
2.3 功率放大器的负载线理论 | 第34页 |
2.4 CMOS工艺对射频功率放大器设计的限制 | 第34-37页 |
2.5 小结 | 第37-38页 |
第3章 2.4GHz CMOS高效率E类功率放大器设计 | 第38-51页 |
3.1 引言 | 第38-39页 |
3.2 提出的电路结构 | 第39-40页 |
3.3 电路分析 | 第40-47页 |
3.3.1 输入匹配分析 | 第40-41页 |
3.3.2 驱动级的电路分析 | 第41-42页 |
3.3.3 自偏置技术 | 第42-44页 |
3.3.4 功率级电路的大信号分析 | 第44-47页 |
3.4 电路仿真结果分析 | 第47-49页 |
3.5 版图设计 | 第49-50页 |
3.6 与相关论文的性能对比 | 第50页 |
3.7 小结 | 第50-51页 |
第4章 低功耗CMOS超宽带功率放大器的电路设计 | 第51-64页 |
4.1 引言 | 第51-52页 |
4.2 提出的电路结构 | 第52-53页 |
4.3 电路分析 | 第53-59页 |
4.3.1 输入匹配分析 | 第53-55页 |
4.3.2 电压增益分析 | 第55-57页 |
4.3.3 衬底偏置技术 | 第57-59页 |
4.4 电路仿真结果分析 | 第59-62页 |
4.5 本电路的版图设计 | 第62页 |
4.6 与相关论文的性能比较 | 第62-63页 |
4.7 小结 | 第63-64页 |
总结与展望 | 第64-66页 |
参考文献 | 第66-72页 |
致谢 | 第72-73页 |
附录A (攻读硕士学位期间所发表的学术论文目录) | 第73-74页 |
附录B (攻读硕士学位期间所参与的科研活动) | 第74页 |