| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-25页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 电子封装陶瓷基板材料概述 | 第12-16页 |
| 1.2.1 电子封装基板材料的发展及性能要求 | 第12-13页 |
| 1.2.2 常用封装陶瓷基板性能比较 | 第13-14页 |
| 1.2.3 氮化铝陶瓷基板概况 | 第14-16页 |
| 1.3 陶瓷表面金属化方法 | 第16-18页 |
| 1.3.1 薄膜法 | 第16-17页 |
| 1.3.2 厚膜法 | 第17页 |
| 1.3.3 化学镀法 | 第17-18页 |
| 1.3.4 直接覆铜法 | 第18页 |
| 1.4 氮化铝陶瓷直接覆铜法概述 | 第18-23页 |
| 1.4.1 氮化铝直接覆铜(AlN-DBC)技术的发展 | 第18-19页 |
| 1.4.2 氮化铝直接覆铜(AlN-DBC)技术的关键工艺 | 第19-21页 |
| 1.4.3 氮化铝直接覆铜工艺参数对结合强度的影响 | 第21-22页 |
| 1.4.4 氮化铝直接覆铜基板的特性与发展趋势 | 第22-23页 |
| 1.5 研究背景及主要内容 | 第23-25页 |
| 第2章 实验方法 | 第25-31页 |
| 2.1 实验设计 | 第25页 |
| 2.2 实验原料与设备 | 第25-26页 |
| 2.2.1 主要实验原料 | 第25-26页 |
| 2.2.2 主要实验设备 | 第26页 |
| 2.3 实验过程 | 第26-28页 |
| 2.3.1 无氧铜片高温预氧化工艺 | 第26-27页 |
| 2.3.2 氮化铝陶瓷基片预氧化工艺 | 第27页 |
| 2.3.3 金属/陶瓷的覆接工艺 | 第27-28页 |
| 2.4 实验表征方法 | 第28页 |
| 2.4.1 X射线衍射仪 | 第28页 |
| 2.4.2 金相显微镜 | 第28页 |
| 2.4.3 环境扫描电子显微镜及X射线能量色散谱仪 | 第28页 |
| 2.5 氮化铝陶瓷直接覆铜基板的性能测试 | 第28-31页 |
| 2.5.1 基板结合强度测试方法 | 第28-29页 |
| 2.5.2 基板抗热震性的测试方法 | 第29-31页 |
| 第3章 无氧铜片高温预氧化研究 | 第31-44页 |
| 3.1 引言 | 第31页 |
| 3.2 预氧化工艺条件的选择 | 第31-33页 |
| 3.3 铜片预氧化产物 | 第33-34页 |
| 3.4 预氧化工艺对氧化层厚度的影响 | 第34-40页 |
| 3.4.1 预氧化温度对氧化层厚度的影响 | 第34-36页 |
| 3.4.2 氧含量对氧化层厚度的影响 | 第36-38页 |
| 3.4.3 预氧化时间对氧化层厚度的影响 | 第38-40页 |
| 3.5 预氧化层微观结构调控 | 第40-43页 |
| 3.5.1 预氧化温度对预氧化层微观结构的影响 | 第40-42页 |
| 3.5.2 氧含量对预氧化层微观结构的影响 | 第42-43页 |
| 3.6 小结 | 第43-44页 |
| 第4章 AlN陶瓷基片预氧化研究 | 第44-55页 |
| 4.1 引言 | 第44页 |
| 4.2 AlN基片预氧化产物分析 | 第44-46页 |
| 4.3 氧化温度对AlN陶瓷基片预氧化层表面形貌的影响 | 第46-51页 |
| 4.3.1 AlN陶瓷基片表面形貌 | 第46页 |
| 4.3.2 氧化温度和时间对AlN陶瓷基片预氧化层表面形貌的影响 | 第46-51页 |
| 4.4 氧化层厚度随氧化工艺的变化 | 第51-53页 |
| 4.5 小结 | 第53-55页 |
| 第5章 覆铜工艺及基板性能研究 | 第55-68页 |
| 5.1 引言 | 第55-56页 |
| 5.2 覆接工艺条件的确定 | 第56-59页 |
| 5.2.1 覆接温度 | 第56-57页 |
| 5.2.2 覆接时间 | 第57-59页 |
| 5.3 基板截面与断面的表征 | 第59-62页 |
| 5.4 铜片预氧化工艺对结合强度的影响 | 第62-65页 |
| 5.4.1 预氧化温度对结合强度的影响 | 第63-64页 |
| 5.4.2 氧含量对结合强度的影响 | 第64页 |
| 5.4.3 预氧化时间对结合强度的影响 | 第64-65页 |
| 5.5 基板抗热震性能的测试 | 第65-66页 |
| 5.6 小结 | 第66-68页 |
| 结论 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 附录A 攻读学位期间所发表的学术论文目录 | 第75页 |
