垂直ZnO纳米棒阵列的水溶液法可控生长及N掺杂ZnO薄膜的电学机制研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 引言 | 第10-11页 |
| 1 绪论 | 第11-22页 |
| ·ZnO材料的基本性质 | 第11-12页 |
| ·ZnO纳米结构的物理性质 | 第12-15页 |
| ·力学性质 | 第12页 |
| ·压电效应和极性面 | 第12-13页 |
| ·电学性质 | 第13页 |
| ·光学性质 | 第13-14页 |
| ·磁学性质 | 第14页 |
| ·化学气敏性质 | 第14-15页 |
| ·ZnO纳米器件研究进展 | 第15-18页 |
| ·纳米传感器 | 第15页 |
| ·纳米激光器和电致发光器件 | 第15-17页 |
| ·纳米发电机 | 第17-18页 |
| ·ZnO薄膜的生长及p型掺杂研究 | 第18-21页 |
| ·ZnO薄膜的生长方法 | 第18-19页 |
| ·ZnO薄膜的p型掺杂研究进展 | 第19-21页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第21-22页 |
| 2 ZnO材料的制备与表征 | 第22-29页 |
| ·本论文中ZnO材料的制备方法 | 第23-24页 |
| ·低温水溶液法生长ZnO纳米结构 | 第23-24页 |
| ·MOCVD法生长ZnO薄膜 | 第24页 |
| ·相关表征方法 | 第24-29页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第24-25页 |
| ·光致发光谱(PL) | 第25-26页 |
| ·拉曼光谱 | 第26页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第26-27页 |
| ·X射线吸收精细结构谱(XAFS) | 第27页 |
| ·霍尔效应测试 | 第27-28页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第28-29页 |
| 3 垂直ZnO纳米棒阵列的水溶液法可控生长研究 | 第29-43页 |
| ·引言 | 第29页 |
| ·实验与相关表征方法 | 第29-30页 |
| ·生长参数对化学溶液法制备ZnO纳米棒的影响 | 第30-37页 |
| ·结构和形貌分析 | 第30-34页 |
| ·ZnO纳米棒的生长机理 | 第34-35页 |
| ·光学性质 | 第35-37页 |
| ·衬底对化学溶液法制备ZnO纳米棒的影响 | 第37-41页 |
| ·结构和形貌分析 | 第37-39页 |
| ·光学性质 | 第39-41页 |
| ·小结 | 第41-43页 |
| 4 N掺杂ZnO薄膜的电学机制研究 | 第43-49页 |
| ·引言 | 第43-44页 |
| ·实验与相关表征方法 | 第44页 |
| ·结果和讨论部分 | 第44-47页 |
| ·小结 | 第47-49页 |
| 结论 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-55页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-58页 |
