TC4钛合金上制备C轴取向AlN薄膜研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 论文研究背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 钛合金简介 | 第10-12页 |
| 1.2.1 钛合金分类 | 第10-11页 |
| 1.2.2 钛合金的应用 | 第11-12页 |
| 1.3 AlN材料的简介 | 第12-18页 |
| 1.3.1 AlN的晶体结构 | 第12-13页 |
| 1.3.2 AlN薄膜的材料特性 | 第13-14页 |
| 1.3.3 AlN薄膜的一般制备方法 | 第14-18页 |
| 1.4 研究现状与发展前景 | 第18-20页 |
| 1.5 主要研究内容 | 第20-21页 |
| 第二章 AlN薄膜的制备与样品的表征方法 | 第21-33页 |
| 2.1 AlN薄膜的择优取向生长 | 第21-27页 |
| 2.1.1 薄膜的生长模型 | 第21-24页 |
| 2.1.2 AlN薄膜择优取向生长机理 | 第24-27页 |
| 2.2 中频磁控溅射系统 | 第27-29页 |
| 2.2.1 磁控反应溅射的基本原理 | 第27-28页 |
| 2.2.2 中频磁控反应溅射的特点 | 第28-29页 |
| 2.3 AlN薄膜的表征方法 | 第29-33页 |
| 2.3.1 X射线衍射分析（XRD） | 第29-31页 |
| 2.3.2 原子力显微镜分析（AFM） | 第31-32页 |
| 2.3.3 扫描电子显微镜分析（SEM） | 第32-33页 |
| 第三章 在TC4衬底上制备AlN薄膜的研究 | 第33-52页 |
| 3.1 在Si(100)基片上直接沉积AlN薄膜 | 第33-36页 |
| 3.2 在TC4基片上直接沉积AlN薄膜 | 第36-40页 |
| 3.3 溅射参数对AlN薄膜结晶取向的影响 | 第40-50页 |
| 3.3.1 溅射气压的影响 | 第40-43页 |
| 3.3.2 溅射功率的影响 | 第43-45页 |
| 3.3.3 溅射靶基距的影响 | 第45-48页 |
| 3.3.4 衬底温度的影响 | 第48-50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-52页 |
| 第四章 两步法在TC4基片上制备AlN薄膜 | 第52-63页 |
| 4.1 溅射时间对薄膜质量的影响 | 第52-54页 |
| 4.2 TC4基片上两步法制备AlN薄膜 | 第54-59页 |
| 4.2.1 恒温时间对薄膜质量的影响 | 第54-57页 |
| 4.2.2 自然降温时间对薄膜质量的影响 | 第57-59页 |
| 4.3 优化工艺所制备AlN薄膜的表征 | 第59-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 结论 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第69-70页 |
