| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9-10页 |
| 第一章 引言 | 第15-23页 |
| 1.1 研究背景 | 第15-18页 |
| 1.1.1 NBTI老化效应 | 第17-18页 |
| 1.1.2 EM老化效应 | 第18页 |
| 1.2 纳米数字电路老化预测与防护面临的挑战 | 第18-20页 |
| 1.2.1 老化预测模型建立问题 | 第18-20页 |
| 1.2.2 异构MPSoC可靠度优化问题 | 第20页 |
| 1.3 本文研究内容总结 | 第20-22页 |
| 1.3.1 基于NBTI空穴俘获释放机制的老化预测模型 | 第21页 |
| 1.3.2 缓解异构MPSoC电迁移效应的任务调度算法 | 第21-22页 |
| 1.4 本文组织结构 | 第22-23页 |
| 第二章 数字电路老化建模与防护 | 第23-30页 |
| 2.1 数字电路老化与故障分类 | 第23-24页 |
| 2.1.1 数字集成电路老化 | 第23-24页 |
| 2.1.2 数字集成电路故障分类 | 第24页 |
| 2.2 晶体管级模型研究及应用 | 第24-26页 |
| 2.2.1 不考虑占空比的晶体管级模型 | 第24-25页 |
| 2.2.2 考虑占空比的晶体管级模型 | 第25-26页 |
| 2.3 数字电路老化失效防护 | 第26-29页 |
| 2.3.1 基于参数调整的老化缓解 | 第26-27页 |
| 2.3.2 基于输入向量控制的电路老化恢复 | 第27-28页 |
| 2.3.3 采用任务分配算法缓解MPSoC老化 | 第28-29页 |
| 2.4 小结 | 第29-30页 |
| 第三章 基于NBTI空穴俘获释放机制的老化预测模型 | 第30-39页 |
| 3.1 TDDP模型建立原因分析 | 第30-32页 |
| 3.1.1 用于设置时序余量的关键路径定义 | 第31页 |
| 3.1.2 针对关键路径设置时序余量 | 第31-32页 |
| 3.1.3 RD模型的缺点 | 第32页 |
| 3.2 TDDP模型建立过程 | 第32-36页 |
| 3.2.1 阈值电压变化模型 | 第33-34页 |
| 3.2.2 TDDP模型建立 | 第34页 |
| 3.2.3 TDDP模型内部参数确定 | 第34-35页 |
| 3.2.4 RD延迟模型参数拟合 | 第35-36页 |
| 3.3 实验与结果 | 第36-38页 |
| 3.4 小结 | 第38-39页 |
| 第四章 缓解异构MPSoC电迁移效应的任务调度算法 | 第39-51页 |
| 4.1 异构MPSoC可靠度 | 第39-41页 |
| 4.1.1 MPSoC简介 | 第39-40页 |
| 4.1.2 异构MPSoC可靠度优化问题 | 第40-41页 |
| 4.2 异构MPSoC可靠度模型建立 | 第41-44页 |
| 4.2.1 功耗模型 | 第41页 |
| 4.2.2 温度模型 | 第41-42页 |
| 4.2.3 MTTF模型 | 第42页 |
| 4.2.4 跳变概率 | 第42-43页 |
| 4.2.5 目标优化模型 | 第43-44页 |
| 4.3 cross任务调度算法 | 第44-46页 |
| 4.3.1 任务图与任务链表生成 | 第44-45页 |
| 4.3.2 调度平台的确定 | 第45页 |
| 4.3.3 cross算法描述 | 第45-46页 |
| 4.4 实验与结果 | 第46-50页 |
| 4.4.1 MPSoC负载时间比较 | 第47-48页 |
| 4.4.2 MTTF差异性计算 | 第48-50页 |
| 4.5 小结 | 第50-51页 |
| 第五章 总结与展望 | 第51-53页 |
| 5.1 本文贡献总结 | 第51页 |
| 5.2 未来工作展望 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-58页 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及研究成果 | 第58-59页 |
