| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-25页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 存储器的发展 | 第12-17页 |
| 1.2.1 非易失性存储器 | 第12-15页 |
| 1.2.2 电阻式存储器 | 第15-17页 |
| 1.3 薄膜的制备 | 第17-19页 |
| 1.3.1 常用的薄膜制备方法 | 第17-19页 |
| 1.3.2 脉冲激光沉积（PLD）法制备薄膜的优势 | 第19页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第19-21页 |
| 参考文献 | 第21-25页 |
| 第2章 实验表征仪器及电学测试仪器 | 第25-31页 |
| 2.1 实验表征仪器 | 第25-27页 |
| 2.1.1 X射线衍射仪（XRD） | 第25-26页 |
| 2.1.2 原子力显微镜（AFM） | 第26-27页 |
| 2.2 电学测试系统 | 第27-28页 |
| 2.2.1 Keithley 2400仪器 | 第27-28页 |
| 2.2.2 Keithley 4200-SCS仪器 | 第28页 |
| 2.3 铁电测试仪 | 第28-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 参考文献 | 第30-31页 |
| 第3章 Pt/BTO/NSTO器件的制备及其I-V特性 | 第31-47页 |
| 3.1 Pt/BTO/NSTO器件的制备 | 第31-33页 |
| 3.1.1 BTO薄膜的制备 | 第31页 |
| 3.1.2 BTO薄膜的XRD表征 | 第31-32页 |
| 3.1.3 Pt/BTO/NSTO器件的制备 | 第32-33页 |
| 3.2 Pt/BTO/NSTO器件的I-V测试 | 第33-44页 |
| 3.2.1 负微分电阻（负阻）现象 | 第35-38页 |
| 3.2.2 Pt/BTO/NSTO器件的可调性 | 第38-42页 |
| 3.2.3 器件的保持性和循环性 | 第42-43页 |
| 3.2.4 负阻以及可调双极性电阻开关的定性解释 | 第43-44页 |
| 3.3 本章小结 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-47页 |
| 第4章 光照下的I-V特性以及器件的C-V、I-Vpulse、P-V测试 | 第47-53页 |
| 4.1 光照对Pt/BTO/NSTO器件I-V特性的影响 | 第47页 |
| 4.2 Pt/BTO/NSTO器件的电容-电压（C-V）测试 | 第47-48页 |
| 4.3 Pt/BTO/NSTO器件的电流-脉冲电压（I-Vpulse）测试 | 第48-49页 |
| 4.4 Pt/BTO/NSTO器件的极化强度-电压（P-V）测试 | 第49-50页 |
| 4.5 本章小结 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-53页 |
| 总结 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第55-56页 |
