| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 太赫兹波简介 | 第10-11页 |
| 1.2 太赫兹波通信技术简介 | 第11-12页 |
| 1.3 太赫兹调控技术简介 | 第12-18页 |
| 1.4 论文研究内容 | 第18-19页 |
| 第二章 太赫兹测试系统的构建 | 第19-31页 |
| 2.1 太赫兹时域光谱技术简述 | 第19-21页 |
| 2.2 光纤透射式太赫兹时域光谱系统的搭建 | 第21-28页 |
| 2.2.1 系统搭建与调试 | 第21-24页 |
| 2.2.2 数据处理软件 | 第24-28页 |
| 2.3 太赫兹波空间传输测试平台的搭建 | 第28-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 基于掺金硅的太赫兹波调制技术的研究 | 第31-51页 |
| 3.1 基于半导体的光控太赫兹调制技术的研究 | 第31-39页 |
| 3.1.1 光作用半导体的电学性能 | 第31-32页 |
| 3.1.2 半导体硅的太赫兹调制特性研究 | 第32-37页 |
| 3.1.3 其他半导体材料的太赫兹调制特性研究 | 第37-39页 |
| 3.2 基于掺金Si的太赫兹调制技术研究 | 第39-44页 |
| 3.2.1 掺金Si材料的制备 | 第39-40页 |
| 3.2.2 掺金Si材料的太赫兹调制性能研究 | 第40-43页 |
| 3.2.3 掺金Si材料少数载流子寿命的研究 | 第43-44页 |
| 3.3 基于局部掺金Si的太赫兹调制技术研究 | 第44-50页 |
| 3.3.1 局部掺金Si材料的制备 | 第44-46页 |
| 3.3.2 局部掺金Si少数载流子寿命的研究 | 第46页 |
| 3.3.3 局部掺金Si材料的太赫兹调制性能研究 | 第46-50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 掺金硅与超材料复合器件的太赫兹调制特性研究 | 第51-60页 |
| 4.1 超材料结构单元的设计与仿真 | 第51-53页 |
| 4.2 超材料与掺金Si复合器件的制备 | 第53-54页 |
| 4.3 超材料与掺金Si复合器件的太赫兹性能研究 | 第54-59页 |
| 4.3.1 THz时域谱测试 | 第54-58页 |
| 4.3.2 单频点动态调制测试 | 第58-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 全光控太赫兹调制器的集成及其应用研究 | 第60-66页 |
| 5.1 全光控太赫兹调制器的集成 | 第60页 |
| 5.2 全光控太赫兹调制器的应用 | 第60-65页 |
| 5.2.1 编码模块设计 | 第62页 |
| 5.2.2 解码模块设计 | 第62-63页 |
| 5.2.3 系统调试与验证 | 第63-65页 |
| 5.3 本章小结 | 第65-66页 |
| 第六章 全文结论与展望 | 第66-68页 |
| 6.1 结论 | 第66-67页 |
| 6.2 展望 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-74页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第74-75页 |