铌酸锂低半波电压调制器研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-17页 |
| 1.1 研究背景 | 第11-12页 |
| 1.2 LN电光调制器的国内外研究进展 | 第12-14页 |
| 1.3 本论文的研究内容及意义 | 第14-15页 |
| 1.3.1 LN低半波电压调制器 | 第14-15页 |
| 1.3.2 LN光波导F-P腔 | 第15页 |
| 1.4 本论文的研究目标及内容 | 第15-17页 |
| 第二章 反射型LN低半波电压调制器的基本原理 | 第17-32页 |
| 2.1 LN晶体的电光效应 | 第17-19页 |
| 2.2 铌酸锂光波导分析 | 第19-24页 |
| 2.2.1 退火质子交换LN光波导的折射率分布 | 第19-20页 |
| 2.2.2 渐变折射率LN光波导设计 | 第20-23页 |
| 2.2.3 单模LN光波导设计 | 第23-24页 |
| 2.3 反射型LN低半波电压调制器 | 第24-28页 |
| 2.3.1 LN相位调制器 | 第24-26页 |
| 2.3.2 LN强度调制器 | 第26-27页 |
| 2.3.3 LN低半波电压相位调制器的基本原理 | 第27-28页 |
| 2.3.4 LN低半波电压强度调制器的基本原理 | 第28页 |
| 2.4 LN光波导F-P腔 | 第28-31页 |
| 2.5 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 退火质子交换LN光波导的制作与测试 | 第32-44页 |
| 3.1 退火质子交换LN光波导的工艺流程 | 第32-35页 |
| 3.2 单模LN光波导的制作工艺参数研究 | 第35-38页 |
| 3.2.1 质子交换LN光波导特性分析 | 第35-38页 |
| 3.2.2 退火后的LN光波导特性分析 | 第38页 |
| 3.3 LN光波导的耦合测试 | 第38-41页 |
| 3.4 低损耗LN光波导的制作工艺研究 | 第41-43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 反射型LN低半波电压调制器的制作与测试 | 第44-59页 |
| 4.1 反射型LN调制器参数设计及掩膜版设计 | 第44-47页 |
| 4.1.1 反射型LN相位调制器参数设计 | 第44页 |
| 4.1.2 反射型LN强度调制器参数设计 | 第44-45页 |
| 4.1.3 器件掩膜版的设计 | 第45-47页 |
| 4.2 器件的制作与测试 | 第47-55页 |
| 4.2.1 反射型LN电光调制器的制作 | 第47-49页 |
| 4.2.2 LN强度调制器电光调制特性测试 | 第49-51页 |
| 4.2.3 LN调制器半波电压测试 | 第51-55页 |
| 4.3 LN光波导F-P腔制作及测试 | 第55-58页 |
| 4.3.1 LN光波导F-P腔的制作 | 第55-56页 |
| 4.3.2 LN光波导F-P腔传输特性测试 | 第56-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 总结与展望 | 第59-61页 |
| 5.1 论文总结 | 第59-60页 |
| 5.2 工作展望 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
