| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 闪烁体的发展及应用 | 第10-13页 |
| 1.2 闪烁体探测器 | 第13-14页 |
| 1.3 CsI:Tl闪烁体 | 第14-18页 |
| 1.3.1 CsI:Tl晶体的优点及应用 | 第15-16页 |
| 1.3.2 CsI:Tl晶体国内外发展状况 | 第16-18页 |
| 1.4 本文选题思想及内容安排 | 第18-19页 |
| 第二章 CsI:Tl的光转换机理及余辉效应 | 第19-29页 |
| 2.1 CsI:Tl的光转换特性 | 第19-23页 |
| 2.1.1 CsI:Tl的光转换机理 | 第19-21页 |
| 2.1.2 CsI:Tl薄膜中的荧光传输 | 第21-22页 |
| 2.1.3 CsI:Tl光转换特性表征参数 | 第22-23页 |
| 2.2 余辉效应 | 第23-28页 |
| 2.2.1 余辉产生机理 | 第23-24页 |
| 2.2.2 CsI:Tl余辉的产生机理 | 第24-26页 |
| 2.2.3 CsI:Tl余辉的抑制 | 第26-28页 |
| 2.3 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 CsI:Tl晶体的能带结构模拟仿真 | 第29-40页 |
| 3.1 第一性原理的定义 | 第29-30页 |
| 3.2 仿真基本理论和方法 | 第30-32页 |
| 3.2.1 Born-Oppenheimer近似 | 第30-31页 |
| 3.2.2 密度泛函理论( DFT ) | 第31-32页 |
| 3.3 纯CsI以及其超晶胞的建立 | 第32-34页 |
| 3.3.1 结构优化前的收敛性测试 | 第32-33页 |
| 3.3.2 CsI超晶胞的建立 | 第33-34页 |
| 3.4 CsI:Tl晶体的能带结构仿真分析 | 第34-37页 |
| 3.5 Tl与Eu共掺CsI的能带结构仿真及余辉抑制分析 | 第37-38页 |
| 3.6 本章小结 | 第38-40页 |
| 第四章 薄膜制备工艺对CsI:Tl晶体的光转换效率影响 | 第40-52页 |
| 4.1 薄膜制备方法选定 | 第40-41页 |
| 4.2 实验材料及装置 | 第41-42页 |
| 4.3 测试仪器 | 第42-45页 |
| 4.4 CsI:Tl薄膜发光特性 | 第45-46页 |
| 4.5 制备工艺对发光特性的影响 | 第46-51页 |
| 4.5.1 CsI:Tl薄膜微观形貌分析 | 第46-48页 |
| 4.5.2 沉积速率对CsI:Tl薄膜发光特性的影响 | 第48-49页 |
| 4.5.3 薄膜厚度对CsI:Tl薄膜发光特性的影响 | 第49-50页 |
| 4.5.4 预沉积对CsI:Tl薄膜发光特性的影响 | 第50-51页 |
| 4.6 本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 CsI:Tl薄膜余辉性能的研究 | 第52-63页 |
| 5.1 荧光寿命测试原理 | 第52-53页 |
| 5.2 荧光寿命测定中的数据处理 | 第53-54页 |
| 5.3 沉积速率对CsI:Tl薄膜余辉的影响 | 第54-57页 |
| 5.4 掺Eu浓度对CsI:Tl薄膜余辉的影响 | 第57-62页 |
| 5.4.1 掺Eu的CsI:Tl薄膜的稳态谱分析 | 第59-60页 |
| 5.4.2 掺Eu的CsI:Tl薄膜的余辉特性分析 | 第60-62页 |
| 5.5 本章小结 | 第62-63页 |
| 第六章 总结 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 攻硕期间的研究成果 | 第69-70页 |
