高压氮化镓绝缘栅型光电导开关的关键工艺研究
| 摘要 | 第3-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 宽禁带光电导开关进展 | 第9-11页 |
| 1.2 GaN工艺与器件发展现状 | 第11-16页 |
| 1.2.1 GaN工艺发展现状 | 第11-15页 |
| 1.2.2 GaN器件发展现状 | 第15-16页 |
| 1.3 研究内容与意义 | 第16-19页 |
| 2 U-IGPCSS制程方案设计 | 第19-31页 |
| 2.1 器件结构与工作机理 | 第19-21页 |
| 2.2 材料与工艺方案选择 | 第21-27页 |
| 2.2.1 衬底调研与选择 | 第21-23页 |
| 2.2.2 掺杂工艺选择 | 第23页 |
| 2.2.3 欧姆接触方案选择 | 第23-24页 |
| 2.2.4 沟槽刻蚀工艺选择 | 第24-25页 |
| 2.2.5 栅绝缘介质选择 | 第25-27页 |
| 2.3 总体工艺制程设计 | 第27-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-31页 |
| 3 沟槽工艺设计与仿真 | 第31-39页 |
| 3.1 仿真工具简介与工艺仿真模型选取 | 第31-32页 |
| 3.2 沟槽形状的优化 | 第32-34页 |
| 3.2.1 在y方向上的外形优化设计 | 第32-34页 |
| 3.2.2 在x-z平面的外形优化选择 | 第34页 |
| 3.3 MISFET元胞工艺仿真 | 第34-36页 |
| 3.4 本章小结 | 第36-39页 |
| 4 U-IGPCSS静、动态仿真及其灵敏参数优化 | 第39-57页 |
| 4.1 Atlas模块与器件仿真物理模型 | 第39-43页 |
| 4.1.1 器件仿真方程 | 第39页 |
| 4.1.2 器件仿真电物理模型 | 第39-41页 |
| 4.1.3 器件仿真光物理模型 | 第41-43页 |
| 4.2 静态特性仿真结果与分析 | 第43-46页 |
| 4.3 动态特性仿真结果与分析 | 第46-49页 |
| 4.4 参数优化 | 第49-54页 |
| 4.4.1 沟槽深度优化 | 第49-50页 |
| 4.4.2 漂移区厚度与浓度的优化 | 第50-52页 |
| 4.4.3 栅绝缘层厚度的优化 | 第52-54页 |
| 4.5 结构改进设想与可行性验证 | 第54页 |
| 4.6 本章小结 | 第54-57页 |
| 5 工艺与关键参数实验 | 第57-67页 |
| 5.1 沟槽湿法刻蚀实验 | 第57-60页 |
| 5.2 氩等离子体刻蚀实验 | 第60-62页 |
| 5.3 激光入射晶向对比实验 | 第62-63页 |
| 5.4 点光源和线光源对比触发实验 | 第63-65页 |
| 5.5 本章小结 | 第65-67页 |
| 6 结论与展望 | 第67-69页 |
| 6.1 本文研究工作总结 | 第67-68页 |
| 6.2 未来工作展望 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-79页 |
| 附录 | 第79页 |
