| 摘要 | 第10-13页 | 
| Abstract | 第13-15页 | 
| 第一章 绪论 | 第16-42页 | 
| 1.1 引言 | 第16-17页 | 
| 1.2 GaN的单晶结构 | 第17-18页 | 
| 1.3 GaN单晶的生长方法 | 第18-26页 | 
| 1.3.1 高压溶液生长法生长GaN单晶 | 第18-20页 | 
| 1.3.2 助溶剂法生长GaN单晶 | 第20-21页 | 
| 1.3.3 氨热法生长GaN晶体 | 第21-22页 | 
| 1.3.4 氢化物气相外延法生长GaN晶体 | 第22-26页 | 
| 1.4 GaN晶体的基本性质 | 第26-27页 | 
| 1.5 非极性GaN晶体的研究意义及研究进展 | 第27-31页 | 
| 1.6 GaN晶体的测试分析手段 | 第31-34页 | 
| 1.6.1 扫描电子显微镜 | 第31页 | 
| 1.6.2 高分辨X射线衍射 | 第31-32页 | 
| 1.6.3 拉曼散射 | 第32页 | 
| 1.6.4 光致发光光谱 | 第32-33页 | 
| 1.6.5 X射线光电子谱 | 第33页 | 
| 1.6.6 背散射电子衍射 | 第33-34页 | 
| 1.7 本文的选题依据和主要研究内容 | 第34-35页 | 
| 参考文献 | 第35-42页 | 
| 第二章 原料气体流量对HVPE生长GaN单晶的影响 | 第42-55页 | 
| 2.1 引言 | 第42-43页 | 
| 2.2 实验部分 | 第43-44页 | 
| 2.3 NH_3流量对GaN晶体表面形貌的影响 | 第44-47页 | 
| 2.4 NH_3流量对GaN晶体生长速率的影响 | 第47-48页 | 
| 2.5 NH_3流量对GaN单晶质量的影响 | 第48-50页 | 
| 2.6 NH_3流量对GaN晶体中残余应力的影响 | 第50-52页 | 
| 2.7 NH_3流量对GaN晶体光学性质的影响 | 第52-53页 | 
| 2.8 本章小结 | 第53页 | 
| 参考文献 | 第53-55页 | 
| 第三章 设计使用两步腐蚀衬底生长自支撑GaN单晶 | 第55-75页 | 
| 3.1 引言 | 第55-56页 | 
| 3.2 实验部分 | 第56-57页 | 
| 3.3 两步腐蚀衬底的制备和调控 | 第57-61页 | 
| 3.3.1 电化学腐蚀MOCVD-GaN | 第57-59页 | 
| 3.3.2 磷酸二次腐蚀MOCVD-GaN | 第59-61页 | 
| 3.4 两步腐蚀衬底HVPE生长GaN单晶和自剥离过程 | 第61-63页 | 
| 3.5 两步腐蚀衬底对单晶性能的影响 | 第63-70页 | 
| 3.5.1 两步腐蚀衬底对GaN单晶结晶质量的影响 | 第63-66页 | 
| 3.5.2 两步腐蚀衬底对GaN单晶残余应力的影响 | 第66-69页 | 
| 3.5.3 两步腐蚀衬底对GaN单晶光学性质的影响 | 第69-70页 | 
| 3.6 本章小结 | 第70页 | 
| 参考文献 | 第70-75页 | 
| 第四章 不同晶面GaN的加工及其性质研究 | 第75-89页 | 
| 4.1 引言 | 第75页 | 
| 4.2 实验部分 | 第75-79页 | 
| 4.2.1 GaN晶体的生长方法 | 第75-76页 | 
| 4.2.2 不同晶面GaN的定向与加工 | 第76-78页 | 
| 4.2.3 GaN晶体性能的表征方法 | 第78-79页 | 
| 4.3 不同晶面GaN的表征与分析 | 第79-86页 | 
| 4.3.1 不同晶面GaN的物相分析 | 第79-80页 | 
| 4.3.2 不同晶面GaN的表面元素成分分析 | 第80-81页 | 
| 4.3.3 不同晶面GaN的拉曼散射分析 | 第81-83页 | 
| 4.3.4 不同晶面GaN的高分辨X射线分析 | 第83-85页 | 
| 4.3.5 不同晶面GaN的光学性能分析 | 第85-86页 | 
| 4.4 本章小结 | 第86-87页 | 
| 参考文献 | 第87-89页 | 
| 第五章 不同晶面GaN的电催化性能研究 | 第89-111页 | 
| 5.1 引言 | 第89-90页 | 
| 5.2 实验部分 | 第90-92页 | 
| 5.2.1 试剂材料 | 第90页 | 
| 5.2.2 材料表征 | 第90页 | 
| 5.2.3 电化学测试 | 第90-92页 | 
| 5.3 结果与讨论 | 第92-107页 | 
| 5.3.1 GaN单晶材料酸性条件电催化产氢性能 | 第92-97页 | 
| 5.3.2 GaN单晶材料碱性条件电催化产氢性能 | 第97-101页 | 
| 5.3.3 GaN单晶材料电催化产氧性能 | 第101-106页 | 
| 5.3.4 电催化析氢过程的密度泛函计算 | 第106-107页 | 
| 5.4 本章小结 | 第107-108页 | 
| 参考文献 | 第108-111页 | 
| 第六章 总结与展望 | 第111-114页 | 
| 6.1 总结 | 第111-113页 | 
| 6.2 本文创新点 | 第113页 | 
| 6.3 有待解决的问题和展望 | 第113-114页 | 
| 致谢 | 第114-115页 | 
| 攻读博士学位期间发表的论文 | 第115-125页 | 
| 学位论文评闳及答辩情况表 | 第125页 |