功率VDMOS器件结构与优化设计研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-17页 |
| ·研究背景 | 第7-8页 |
| ·VDMOS器件的结构和基本工作原理 | 第8-10页 |
| ·VDMOS器件的结构特点 | 第8-9页 |
| ·VDMOS器件的工作原理 | 第9-10页 |
| ·VDMOS器件发展历程 | 第10-13页 |
| ·VDMOS器件的主要应用领域及发展趋势 | 第13-15页 |
| ·本文工作及内容安排 | 第15-17页 |
| 第二章 VDMOS器件的理论模型和设计方法 | 第17-29页 |
| ·VDMOS器件基本结构 | 第17-20页 |
| ·VDMOS工作原理 | 第20-21页 |
| ·VDMOS器件的主要参数指标 | 第21-23页 |
| ·VDMOS的设计方法 | 第23-26页 |
| ·VDMOS纵向结构的设计 | 第23-24页 |
| ·VDMOS横向结构的设计 | 第24-26页 |
| ·SOI简介 | 第26页 |
| ·本章小结 | 第26-29页 |
| 第三章 VDMOS器件结构的设计和模拟 | 第29-53页 |
| ·纵向参数设计 | 第29-32页 |
| ·阈值电压Vt | 第30-31页 |
| ·漏源击穿电压BVDS | 第31-32页 |
| ·横向单元图形设计 | 第32-36页 |
| ·元胞图形的优化 | 第33-34页 |
| ·条形元胞P阱和P阱间距的优化 | 第34页 |
| ·正方形元胞P阱和P阱间距的优化 | 第34-35页 |
| ·六角形元胞P阱和P阱间距的优化 | 第35-36页 |
| ·导通电阻的优化设计 | 第36-43页 |
| ·沟道电阻Rch的优化设计 | 第37-38页 |
| ·积累层电阻Ra的优化设计 | 第38-39页 |
| ·结型管电阻RJ的优化设计 | 第39-40页 |
| ·漂移区电阻Re的优化设计 | 第40-41页 |
| ·器件模拟 | 第41-42页 |
| ·讨论 | 第42-43页 |
| ·终端结构设计 | 第43-48页 |
| ·场板的设计 | 第43-46页 |
| ·场限环的设计 | 第46-47页 |
| ·等位环的设计 | 第47-48页 |
| ·寄生电容 | 第48-51页 |
| ·栅漏电容Cgd研究 | 第48-51页 |
| ·讨论 | 第51页 |
| ·综合结论 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 VDMOS版图和工艺设计 | 第53-67页 |
| ·VDMOS终端结构设计 | 第53-56页 |
| ·w12.5A60V终端结构示意图及尺寸表 | 第53-54页 |
| ·w110A100V终端结构示意图及尺寸表 | 第54-55页 |
| ·w12.5A500V终端结构示意图及尺寸表 | 第55-56页 |
| ·VDMOS版图设计 | 第56-60页 |
| ·版图结构 | 第56-57页 |
| ·版图设计 | 第57-60页 |
| ·版图制造 | 第60页 |
| ·工艺设计 | 第60-63页 |
| ·工艺生产中遇到的问题与改进 | 第63-64页 |
| ·外延质量问题在工艺生产中带来的问题 | 第63-64页 |
| ·工艺加工中带来的问题 | 第64页 |
| ·本章小结 | 第64-67页 |
| 第五章 结束语 | 第67-69页 |
| ·结论 | 第67页 |
| ·展望 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 作者在读期间研究成果 | 第75-76页 |
