| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第23-49页 |
| 1.1 引言 | 第23-44页 |
| 1.1.1 研究背景 | 第23-24页 |
| 1.1.2 国内外研究现状与评述 | 第24-44页 |
| 1.2 研究目标和主要研究内容 | 第44-45页 |
| 1.2.1 关键的科学问题与研究目标 | 第44页 |
| 1.2.2 研究的主要内容 | 第44-45页 |
| 1.3 研究技术路线 | 第45-49页 |
| 1.3.1 脱氢枞基三甲基溴化铵的合成 | 第45页 |
| 1.3.2 脱氢枞基三甲基溴化铵引导合成介孔硅基材料 | 第45-46页 |
| 1.3.3 松香基三甲基氯化铵引导合成介孔氧化铝 | 第46-47页 |
| 1.3.4 脱氢枞基三甲基溴化铵引导合成锆基介孔材料 | 第47页 |
| 1.3.5 脱氢枞基三甲基溴化铵引导合成介孔二氧化钛 | 第47-48页 |
| 1.3.6 介孔材料负载WO_3催化甘油脱水 | 第48-49页 |
| 第二章 松香基表面活性剂的合成与表征 | 第49-55页 |
| 2.1 前言 | 第49页 |
| 2.2 实验部分 | 第49-52页 |
| 2.2.1 药品 | 第49-50页 |
| 2.2.2 实验仪器 | 第50页 |
| 2.2.3 表面活性剂合成方法 | 第50-51页 |
| 2.2.4 表面活性剂表征仪器与方法 | 第51-52页 |
| 2.3 脱氢枞基三甲基溴化铵的结构鉴定 | 第52-54页 |
| 2.3.1 脱氢枞基三甲基溴化铵的MS表征 | 第52-53页 |
| 2.3.2 脱氢枞基三甲基溴化铵的~1H-NMR表征 | 第53页 |
| 2.3.3 脱氢枞基三甲基溴化铵的元素分析 | 第53-54页 |
| 2.4 工业用松香基三甲基氯化铵的性质 | 第54页 |
| 2.5 本章小结 | 第54-55页 |
| 第三章 脱氢枞基三甲基溴化铵引导合成硅基介孔材料 | 第55-88页 |
| 3.1 前言 | 第55-56页 |
| 3.2 实验部分 | 第56-58页 |
| 3.2.1 药品 | 第56页 |
| 3.2.2 实验仪器 | 第56页 |
| 3.2.3 材料的合成方法 | 第56-57页 |
| 3.2.4 介孔材料表征仪器与表征方法 | 第57-58页 |
| 3.3 氨水介质中介孔二氧化硅的合成 | 第58-70页 |
| 3.3.1 TEOS添加量对材料结构的影响 | 第58-59页 |
| 3.3.2 NH_3×H_2O添加量对材料结构的影响 | 第59-61页 |
| 3.3.3 不同晶化温度对材料结构的影响 | 第61-62页 |
| 3.3.4 不同搅拌时间对材料结构的影响 | 第62-63页 |
| 3.3.5 煅烧对材料结构的影响 | 第63-65页 |
| 3.3.6 不同模板剂合成的介孔二氧化硅的结构比较 | 第65-66页 |
| 3.3.7 介孔二氧化硅的N_2吸附-脱附表征 | 第66-68页 |
| 3.3.8 介孔二氧化硅的TEM表征 | 第68-69页 |
| 3.3.9 介孔二氧化硅的SEM表征 | 第69-70页 |
| 3.4 不同碱性介质中介孔二氧化硅的合成 | 第70-72页 |
| 3.4.1 氢氧化钠介质中介孔二氧化硅的合成 | 第70-71页 |
| 3.4.2 四甲基氢氧化铵介质中介孔二氧化硅的合成 | 第71-72页 |
| 3.5 硅酸钠为硅源合成介孔二氧化硅 | 第72-80页 |
| 3.5.1 HCl添加量对材料结构的影响 | 第73-74页 |
| 3.5.2 DTAB添加量对材料结构的影响 | 第74-75页 |
| 3.5.3 煅烧对材料结构的影响 | 第75-76页 |
| 3.5.4 介孔二氧化硅的N_2吸附-脱附表征 | 第76-78页 |
| 3.5.5 介孔二氧化硅的TEM表征 | 第78-80页 |
| 3.5.6 介孔二氧化硅的SEM表征 | 第80页 |
| 3.6 铝掺杂有序介孔二氧化硅的合成 | 第80-87页 |
| 3.6.1 不同合成方法对材料结构的影响 | 第81页 |
| 3.6.2 煅烧对材料结构的影响 | 第81-83页 |
| 3.6.3 铝掺杂介孔二氧化硅的N2吸附-脱附表征 | 第83-84页 |
| 3.6.4 铝掺杂介孔二氧化硅的TEM表征 | 第84-85页 |
| 3.6.5 铝掺杂介孔二氧化硅的SEM表征 | 第85-86页 |
| 3.6.6 铝掺杂对材料水热稳定性的影响 | 第86-87页 |
| 3.7 本章小结 | 第87-88页 |
| 第四章 松香基三甲基氯化铵引导合成介孔氧化铝 | 第88-124页 |
| 4.1 前言 | 第88-89页 |
| 4.2 实验部分 | 第89-92页 |
| 4.2.1 药品 | 第89页 |
| 4.2.2 实验仪器 | 第89-90页 |
| 4.2.3 材料的合成方法 | 第90-91页 |
| 4.2.4 介孔材料表征仪器与表征方法 | 第91-92页 |
| 4.3 碳酸铵沉淀法合成介孔氧化铝 | 第92-96页 |
| 4.3.1 介孔 γ-Al_2O_3的XRD表征 | 第92-93页 |
| 4.3.2 介孔 γ-Al_2O_3的TEM表征 | 第93-94页 |
| 4.3.3 介孔 γ-Al_2O_3的N_2吸附-脱附表征 | 第94-96页 |
| 4.4 氨水沉淀法合成介孔氧化铝 | 第96-101页 |
| 4.4.1 介孔 γ-Al_2O_3的XRD表征 | 第96-99页 |
| 4.4.2 介孔 γ-Al_2O_3的TEM表征 | 第99页 |
| 4.4.3 介孔 γ-Al_2O_3的N_2吸附-脱附表征 | 第99-101页 |
| 4.4.4 介孔 γ-Al_2O_3的TG-DSC表征 | 第101页 |
| 4.5 尿素水热-均匀沉淀法合成纤维状介孔氧化铝 | 第101-107页 |
| 4.5.1 纤维状介孔氧化铝的XRD表征 | 第102-104页 |
| 4.5.2 纤维状介孔氧化铝的N_2吸附-脱附表征 | 第104-106页 |
| 4.5.3 纤维状介孔氧化铝的场发射扫描电镜表征 | 第106-107页 |
| 4.6 碳酸铵沉淀-陈化法合成纤维状介孔氧化铝 | 第107-117页 |
| 4.6.1 纤维状介孔氧化铝的XRD表征 | 第108-109页 |
| 4.6.2 纤维状介孔氧化铝的N_2吸附-脱附表征 | 第109-111页 |
| 4.6.3 纤维状介孔氧化铝的场发射扫描电镜表征 | 第111-112页 |
| 4.6.4 纤维状介孔氧化铝的TEM表征 | 第112-113页 |
| 4.6.5 氧化铝纤维状形貌形成机理 | 第113-117页 |
| 4.7 氯离子对氧化铝晶相转变的影响 | 第117-123页 |
| 4.7.1 NaCl添加量和添加方式对氧化铝晶相的影响 | 第118-120页 |
| 4.7.2 添加不同氯化物对氧化铝晶相的影响 | 第120-122页 |
| 4.7.3 NaCl的添加对氧化铝由无定形相转变为 γ-Al_2O_3晶相的影响 | 第122-123页 |
| 4.8 本章小结 | 第123-124页 |
| 第五章 脱氢枞基三甲基溴化铵引导合成锆基介孔材料 | 第124-145页 |
| 5.1 前言 | 第124-125页 |
| 5.2 实验部分 | 第125-127页 |
| 5.2.1 药品 | 第125页 |
| 5.2.2 实验仪器 | 第125页 |
| 5.2.3 材料的合成方法 | 第125-126页 |
| 5.2.4 介孔材料表征仪器与表征方法 | 第126-127页 |
| 5.3 硫酸锆为锆源合成介孔二氧化锆 | 第127-130页 |
| 5.3.1 物料比不同对Zr(SO_4)_2/DTAB复合物结构的影响 | 第127-128页 |
| 5.3.2 水热处理对Zr(SO_4)_2/DTAB复合物结构的影响 | 第128-129页 |
| 5.3.3 煅烧对Zr(SO_4)_2/DTAB复合物结构的影响 | 第129页 |
| 5.3.4 Zr(SO_4)_2/DTAB复合物的TEM表征 | 第129-130页 |
| 5.4 四方相纳米晶介孔二氧化锆的合成 | 第130-139页 |
| 5.4.1 DTAB添加量对四方相纳米晶介孔二氧化锆结构的影响 | 第130-134页 |
| 5.4.2 煅烧对四方相纳米晶介孔二氧化锆结构的影响 | 第134-139页 |
| 5.5 圆角立方体状单斜相纳米晶介孔二氧化锆的合成 | 第139-143页 |
| 5.5.1 材料的XRD表征 | 第139-140页 |
| 5.5.2 材料的场发射扫描电镜表征 | 第140-141页 |
| 5.5.3 材料的TEM表征 | 第141-142页 |
| 5.5.4 材料的N_2吸附-脱附表征 | 第142-143页 |
| 5.6 本章小结 | 第143-145页 |
| 第六章 脱氢枞基三甲基溴化铵引导合成介孔二氧化钛 | 第145-155页 |
| 6.1 前言 | 第145-146页 |
| 6.2 实验部分 | 第146-147页 |
| 6.2.1 药品 | 第146页 |
| 6.2.2 实验仪器 | 第146页 |
| 6.2.3 材料的合成方法 | 第146-147页 |
| 6.2.4 介孔材料表征仪器与表征方法 | 第147页 |
| 6.3 层状有序介孔二氧化钛的合成 | 第147-150页 |
| 6.3.1 DTAB添加量不同对介孔二氧化钛结构的影响 | 第147-148页 |
| 6.3.2 不同水热温度对介孔二氧化钛结构的影响 | 第148-149页 |
| 6.3.3 煅烧对介孔二氧化钛结构的影响 | 第149页 |
| 6.3.4 层状有序介孔二氧化钛的TEM表征 | 第149-150页 |
| 6.4 挥发诱导自组装法合成均匀介孔二氧化钛 | 第150-154页 |
| 6.4.1 不同DTAB添加量对介孔二氧化钛结构的影响 | 第150-151页 |
| 6.4.2 煅烧对介孔二氧化钛结构的影响 | 第151-152页 |
| 6.4.3 介孔二氧化钛的TEM表征 | 第152-153页 |
| 6.4.4 介孔二氧化钛的N_2吸附-脱附表征 | 第153-154页 |
| 6.5 本章小结 | 第154-155页 |
| 第七章 介孔材料在甘油催化脱水中的应用 | 第155-163页 |
| 7.1 前言 | 第155-156页 |
| 7.2 实验部分 | 第156-157页 |
| 7.2.1 药品 | 第156页 |
| 7.2.2 实验仪器 | 第156页 |
| 7.2.3 催化剂的合成与活性评价 | 第156-157页 |
| 7.3 硅基介孔材料负载WO_3催化甘油脱水 | 第157-159页 |
| 7.4 介孔氧化铝负载WO_3催化甘油脱水 | 第159-160页 |
| 7.5 介孔二氧化锆负载WO_3催化甘油脱水 | 第160-161页 |
| 7.6 本章小结 | 第161-163页 |
| 第八章 结论与讨论 | 第163-166页 |
| 8.1 结论 | 第163-165页 |
| 8.2 讨论 | 第165页 |
| 8.3 展望 | 第165-166页 |
| 参考文献 | 第166-173页 |
| 在读期间的学术研究 | 第173-174页 |
| 致谢 | 第174页 |
