介质覆盖基片集成波导缝隙天线研究
| 摘要 | 第12-14页 |
| Abstract | 第14-15页 |
| 第一章 绪论 | 第16-32页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第16-19页 |
| 1.1.1 传统金属波导缝隙天线简介 | 第16-17页 |
| 1.1.2 基片集成波导缝隙天线的研究意义 | 第17-19页 |
| 1.2 研究历史及现状 | 第19-28页 |
| 1.2.1 波导缝隙天线的兴起和飞速发展 | 第20-21页 |
| 1.2.2 波导缝隙天线的成熟和广泛应用 | 第21-22页 |
| 1.2.3 基片集成波导缝隙天线的兴起 | 第22-28页 |
| 1.3 本文主要工作及章节安排 | 第28-32页 |
| 1.3.1 主要工作与创新点 | 第29-30页 |
| 1.3.2 章节安排 | 第30-32页 |
| 第二章 介质覆盖基片集成波导单缝特性分析 | 第32-54页 |
| 2.1 基片集成波导特性分析 | 第32-36页 |
| 2.1.1 SIW等效分析方法 | 第32-34页 |
| 2.1.2 SIW损耗特性 | 第34-36页 |
| 2.2 单缝特性求解方法 | 第36-47页 |
| 2.2.1 矩量法求解步骤 | 第36-40页 |
| 2.2.2 外部区域矩阵元素求解 | 第40-44页 |
| 2.2.3 方法验证 | 第44-47页 |
| 2.3 单缝特性研究 | 第47-52页 |
| 2.3.1 等效并联元件假设验证 | 第47-49页 |
| 2.3.2 覆盖介质对缝隙性能的影响 | 第49-51页 |
| 2.3.3 波导高度和填充介质对缝隙性能的影响 | 第51-52页 |
| 2.4 本章小结 | 第52-54页 |
| 第三章 介质覆盖平面基片集成波导缝隙阵列设计理论 | 第54-79页 |
| 3.1 平面阵列方向图综合 | 第54-57页 |
| 3.1.1 Taylor综合法 | 第54-56页 |
| 3.1.2 单元方向图 | 第56-57页 |
| 3.2 波导缝隙阵列设计流程 | 第57-61页 |
| 3.2.1 设计方程及其迭代求解方法 | 第57-59页 |
| 3.2.2 混合加权方法 | 第59-61页 |
| 3.2.3 多层介质覆盖情形 | 第61页 |
| 3.3 介质覆盖缝隙阵列互耦分析 | 第61-71页 |
| 3.3.1 内部互耦分析 | 第61-65页 |
| 3.3.2 外部互耦分析 | 第65-71页 |
| 3.4 低副瓣SIW缝隙阵列设计与实验验证 | 第71-78页 |
| 3.5 本章小结 | 第78-79页 |
| 第四章 覆盖介质层参数优化设计 | 第79-97页 |
| 4.1 遗传算法简介 | 第79-81页 |
| 4.2 优化介质层参数以提高增益 | 第81-85页 |
| 4.3 优化介质层参数以降低副瓣 | 第85-89页 |
| 4.4 优化介质层参数以扩展带宽 | 第89-95页 |
| 4.5 本章小结 | 第95-97页 |
| 第五章 介质覆盖单脉冲阵列和扫描阵列设计 | 第97-121页 |
| 5.1 单脉冲SIW缝隙阵列 | 第98-114页 |
| 5.1.1 天线整体结构 | 第98-100页 |
| 5.1.2 辐射阵面设计 | 第100-104页 |
| 5.1.3 馈电网络 | 第104-111页 |
| 5.1.4 介质覆盖单脉冲SIW缝隙阵列 | 第111-114页 |
| 5.2 扫描SIW缝隙阵列 | 第114-120页 |
| 5.2.1 Rotman透镜设计方法 | 第114-119页 |
| 5.2.2 介质覆盖扫描阵列设计 | 第119-120页 |
| 5.3 本章小结 | 第120-121页 |
| 第六章 介质覆盖扇面基片集成波导缝隙阵列设计理论 | 第121-149页 |
| 6.1 扇形阵列方向图综合 | 第122-124页 |
| 6.2 设计方程推导 | 第124-134页 |
| 6.2.1 第一设计方程 | 第124-128页 |
| 6.2.2 第二设计方程 | 第128-133页 |
| 6.2.3 迭代设计流程 | 第133-134页 |
| 6.3 阵列外部互耦计算 | 第134-142页 |
| 6.4 阵列设计与验证 | 第142-148页 |
| 6.4.1 辐射阵面设计 | 第143-144页 |
| 6.4.2 紧凑功分器设计 | 第144-146页 |
| 6.4.3 相位补偿方案 | 第146-148页 |
| 6.5 本章小结 | 第148-149页 |
| 第七章 全文总结及展望 | 第149-151页 |
| 致谢 | 第151-153页 |
| 参考文献 | 第153-163页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第163-164页 |
