| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-27页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 TFT 的基本原理 | 第13-14页 |
| 1.3 TFT 的制备方法 | 第14-16页 |
| 1.4 溶液法的介绍 | 第16-17页 |
| 1.5 溶液法制备 TFT 的现状 | 第17-25页 |
| 1.5.1 基于 ZnO 一元氧化物 TFT 的制备 | 第17-18页 |
| 1.5.2 基于 IZO、ZTO 二元氧化物 TFT 的制备 | 第18-19页 |
| 1.5.3 基于 IGZO、HIZO 多元复合氧化物 TFT 的制备 | 第19-22页 |
| 1.5.4 基于 High-k 绝缘层氧化物 TFT 的制备 | 第22-24页 |
| 1.5.5 溶液法制备 TFT 的应用 | 第24-25页 |
| 1.6 课题的来源 | 第25页 |
| 1.7 论文目的和内容安排 | 第25-27页 |
| 第二章 实验方法及测试方法 | 第27-34页 |
| 2.1 实验方案 | 第27页 |
| 2.2 工艺过程 | 第27-31页 |
| 2.2.1 溶液法制备 TFT 有源层 | 第27-29页 |
| 2.2.2 溶液法制备 TFT 绝缘层 | 第29-30页 |
| 2.2.3 真空方法辅助制备导电层及绝缘层 | 第30-31页 |
| 2.2.4 衬底的清洗 | 第31页 |
| 2.3 表征及测试方法 | 第31-33页 |
| 2.3.1 溶胶性能的表征方法 | 第31页 |
| 2.3.2 薄膜性能的表征方法 | 第31-32页 |
| 2.3.3 器件性能的测试方法 | 第32-33页 |
| 2.4 小结 | 第33-34页 |
| 第三章 溶液法制备 IZO TFT 及 HIZO TFT | 第34-45页 |
| 3.1 铟锌氧化物薄膜晶体管 IZO TFT | 第34-39页 |
| 3.1.1 IZO 薄膜的制备 | 第34页 |
| 3.1.2 IZO 薄膜的性能 | 第34-37页 |
| 3.1.3 IZO TFT 器件的制备 | 第37页 |
| 3.1.4 IZO TFT 器件的性能 | 第37-39页 |
| 3.2 铪铟锌氧化物薄膜晶体管 HIZO-TFT | 第39-44页 |
| 3.2.1 HIZO TFT 器件的制备 | 第39页 |
| 3.2.2 铪含量对 HIZO-TFT 性能的影响 | 第39-40页 |
| 3.2.3 最优铪含量的 HIZO 薄膜性能的表征 | 第40-43页 |
| 3.2.4 退火温度对 HIZO-TFT 性能的影响 | 第43-44页 |
| 3.3 小结 | 第44-45页 |
| 第四章 溶液法制备 High-k 薄膜晶体管 | 第45-54页 |
| 4.1 High-k 材料的介绍 | 第45-46页 |
| 4.2 High-k ZrO_2薄膜的制备及性能表征 | 第46-49页 |
| 4.2.1 氧氯化锆溶胶及 ZrO_2薄膜的性能 | 第46-49页 |
| 4.3 High-k ZrO_2HIZO TFT 器件的制备 | 第49-52页 |
| 4.3.1 High-k ZrO_2TFT 的结构 | 第49-50页 |
| 4.3.2 High-k ZrO_2TFT 的性能 | 第50-52页 |
| 4.4 小结 | 第52-54页 |
| 第五章 结论与展望 | 第54-56页 |
| 5.1 结论 | 第54-55页 |
| 5.2 展望 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-64页 |
| 作者在攻读硕士学位期间所作的项目 | 第64-65页 |
| 作者在攻读硕士学位期间公开发表的论文和专利 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
