| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 硅材料在光电子学领域中的应用概况 | 第9-10页 |
| 1.2 硅材料中的电光效应及其应用 | 第10-15页 |
| 1.2.1 载流子色散效应 | 第11-14页 |
| 1.2.2 克尔效应 | 第14页 |
| 1.2.3 弗朗茨-凯尔迪什效应 | 第14页 |
| 1.2.4 量子限制斯塔克效应 | 第14-15页 |
| 1.3 硅材料中应力诱导的线性电光效应 | 第15-17页 |
| 1.4 本论文的研究意义及主要内容 | 第17-19页 |
| 第2章 二阶非线性光学效应的理论基础 | 第19-27页 |
| 2.1 普克尔斯效应的基本理论 | 第19-25页 |
| 2.1.1 折射率椭球几何法描述普克尔斯效应 | 第20-24页 |
| 2.1.2 麦克斯韦方程解析法描述普克尔斯效应 | 第24-25页 |
| 2.2 光整流效应 | 第25-27页 |
| 第3章 硅材料场致二阶非线性光学效应的理论分析 | 第27-39页 |
| 3.1 琼斯矩阵 | 第27-30页 |
| 3.2 硅材料分别沿不同方向施加电场后的对称性的改变 | 第30-39页 |
| 3.2.1 电场沿[001]晶向时硅的对称性的改变 | 第31-35页 |
| 3.2.2 直流电场沿[0(?)1]晶向时硅材料对称性的改变 | 第35-39页 |
| 第4章 硅材料场致二阶非线性光学效应的实验研究 | 第39-54页 |
| 4.1 硅材料晶面表层的场致线性电光效应 | 第39-45页 |
| 4.1.1 场致线性电光效应测试系统 | 第39-40页 |
| 4.1.2 静态工作点的含义 | 第40-42页 |
| 4.1.3 光学元件的空间取向 | 第42-45页 |
| 4.2 硅材料晶面表层的场致光整流效应 | 第45-50页 |
| 4.3 硅材料表面电场分布状况的研究 | 第50-54页 |
| 第5章 结论 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-63页 |
| 作者简介 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
