| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 光电探测材料的发展 | 第9-11页 |
| 1.3 量子点光电探测材料及其研究意义 | 第11-17页 |
| 1.3.1 量子点光电探测材料的发展 | 第11-13页 |
| 1.3.2 量子点探测材料的制备方法 | 第13-14页 |
| 1.3.3 实验室的前期工作 | 第14-15页 |
| 1.3.4 量子点探测材料的性能表征参数 | 第15-17页 |
| 1.4 本论文的来源及主要工作 | 第17-18页 |
| 第二章 实验概述 | 第18-28页 |
| 2.1 离子束溅射仪的基本结构及工作原理 | 第18-20页 |
| 2.1.1 溅射腔体的结构简介 | 第18-19页 |
| 2.1.2 离子枪的工作原理 | 第19-20页 |
| 2.2 基片的清洗 | 第20-22页 |
| 2.3 实验的方案及流程 | 第22-23页 |
| 2.4 样品表征方法 | 第23-28页 |
| 2.4.1 原子力显微镜(AFM) | 第23-25页 |
| 2.4.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第25-26页 |
| 2.4.3 拉曼光谱(Raman spectra) | 第26-28页 |
| 第三章 SiO_2/Si基片上离子束溅射制备量子点阵的研究 | 第28-42页 |
| 3.1 引言 | 第28页 |
| 3.2 实验过程 | 第28-29页 |
| 3.3 SOI基与SiO_2/Si基上量子点制备的对比研究 | 第29-32页 |
| 3.4 生长参数对Ge量子点性能的影响 | 第32-40页 |
| 3.4.1 生长温度对Ge量子点性能的影响 | 第32-34页 |
| 3.4.2 Si沟道层厚度对Ge量子点结晶性的影响 | 第34-36页 |
| 3.4.3 Si沟道层厚度对Ge原子迁移的影响 | 第36-40页 |
| 3.5 本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 电极的制备研究 | 第42-51页 |
| 4.1 引言 | 第42页 |
| 4.2 金属电极的制备方法 | 第42-44页 |
| 4.2.1 物理气相沉积法制备 | 第42-44页 |
| 4.2.2 化学法制备 | 第44页 |
| 4.3 实验过程 | 第44-47页 |
| 4.3.1 电极的设计 | 第44-45页 |
| 4.3.2 生长设备的介绍 | 第45-46页 |
| 4.3.3 实验过程 | 第46-47页 |
| 4.4 实验结果与讨论 | 第47-50页 |
| 4.5 本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 Ge量子点光电探测材料的性能测试 | 第51-59页 |
| 5.1 引言 | 第51页 |
| 5.2 测试设备 | 第51-52页 |
| 5.3 结果分析 | 第52-58页 |
| 5.3.1 Ge量子点探测材料的电学性质研究 | 第52-56页 |
| 5.3.2 Ge量子点探测材料的光学性质研究 | 第56-58页 |
| 5.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第六章 总结与展望 | 第59-61页 |
| 6.1 总结 | 第59-60页 |
| 6.2 展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 附录 硕士学位期间发表的文章及参与的项目 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
