| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 晶体硅中的复合发光 | 第11-12页 |
| 1.3 提高硅基材料发光性能的方法 | 第12-15页 |
| 1.3.1 多孔硅 | 第12-13页 |
| 1.3.2 能带工程 | 第13页 |
| 1.3.3 缺陷工程 | 第13-15页 |
| 1.4 发光模型 | 第15-16页 |
| 1.4.1 量子限制模型 | 第15页 |
| 1.4.2 表面态模型 | 第15-16页 |
| 1.4.3 缺陷发光中心模型 | 第16页 |
| 1.4.4 量子限制-发光中心模型 | 第16页 |
| 1.4.5 界面态模型 | 第16页 |
| 1.4.6 直接跃迁发光模型 | 第16页 |
| 1.5 绝缘体上硅(Silicon On Insulater,SOI) | 第16-18页 |
| 1.5.1 注氧隔离技术(SIMOX) | 第17页 |
| 1.5.2 键合和背面腐蚀技术(BESOI) | 第17页 |
| 1.5.3 智能剥离技术(Smart-cut) | 第17-18页 |
| 1.6 课题组前期研究 | 第18页 |
| 1.7 本论文的主要工作 | 第18-20页 |
| 1.7.1 Si~+自注入SOI改性材料中发光中心性质的研究 | 第18-19页 |
| 1.7.2 低能量Si~+自注入SOI退火材料在可见发光的性能 | 第19-20页 |
| 第二章 实验概述 | 第20-36页 |
| 2.1 实验方案 | 第20-21页 |
| 2.2 SRIM模拟软件简介 | 第21-23页 |
| 2.3 Shiraki清洗工艺 | 第23-24页 |
| 2.4 实验仪器简介 | 第24-26页 |
| 2.4.1 MEVVA源离子注入机 | 第24-25页 |
| 2.4.2 快速退火炉 | 第25-26页 |
| 2.5 主要表征技术简介 | 第26-31页 |
| 2.5.1 X射线衍射 | 第26-27页 |
| 2.5.2 拉曼光谱 | 第27-29页 |
| 2.5.3 光致发光光谱 | 第29-30页 |
| 2.5.4 原子力显微镜 | 第30-31页 |
| 2.5.5 扫描电子显微镜 | 第31页 |
| 2.6 离子注入 | 第31-36页 |
| 第三章 低Si~+自注入SOI改性材料中发光中心性质的研究 | 第36-46页 |
| 3.1 引言 | 第36-37页 |
| 3.2 实验 | 第37页 |
| 3.3 结果和讨论 | 第37-43页 |
| 3.3.1 不同退火温度下的光致发光 | 第37-43页 |
| 3.4 结论 | 第43-46页 |
| 第四章 低能量Si~+自注入SOI改性材料的可见发光研究 | 第46-64页 |
| 4.1 引言 | 第46-47页 |
| 4.2 实验 | 第47-49页 |
| 4.3 结果和讨论 | 第49-62页 |
| 4.3.1 SRIM软件对Si~+注入SOI模拟分析 | 第49-50页 |
| 4.3.2 Raman光谱对结晶性的分析 | 第50-55页 |
| 4.3.3 PL光谱研究 | 第55-59页 |
| 4.3.4 AFM表面形貌演变机理分析 | 第59-62页 |
| 4.4 结论 | 第62-64页 |
| 第五章 总结与展望 | 第64-66页 |
| 5.1 本文主要的研究工作 | 第64页 |
| 5.2 已取得的结果 | 第64-65页 |
| 5.3 展望 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-76页 |
| 研究生期间主持、参与项目及发表论文、获奖情况 | 第76-78页 |
| 致谢 | 第78页 |
