| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第14-26页 |
| 1.1 传统的存储技术 | 第14-17页 |
| 1.1.1 随机存储器 | 第14-16页 |
| 1.1.2 Flash存储器 | 第16-17页 |
| 1.2 新型存储技术 | 第17-21页 |
| 1.2.1 相变存储器 | 第17-18页 |
| 1.2.2 磁阻式存储器 | 第18-19页 |
| 1.2.3 铁电存储器 | 第19-20页 |
| 1.2.4 阻变式存储器 | 第20-21页 |
| 1.3 阻变存储器的研究进展 | 第21-23页 |
| 1.3.1 阻变特性物理机制的研究 | 第22-23页 |
| 1.3.2 电极、阻变层材料的研究 | 第23页 |
| 1.4 ZnO基薄膜 | 第23-24页 |
| 1.5 本论文的研究目的和主要内容 | 第24-26页 |
| 1.5.1 本论文的研究目标 | 第24-25页 |
| 1.5.2 本论文的主要内容 | 第25-26页 |
| 第二章 实验方法及表征手段 | 第26-35页 |
| 2.1 实验器材 | 第26-27页 |
| 2.2 薄膜制备方法 | 第27-29页 |
| 2.2.1 凝胶-溶胶(sol-gel)法 | 第27页 |
| 2.2.2 金属络合反应与银墨水制备 | 第27页 |
| 2.2.3 旋涂(spin-coating)法 | 第27-28页 |
| 2.2.4 喷墨打印(ink-jet printing)法 | 第28-29页 |
| 2.3 薄膜、器件的表征方法与原理 | 第29-35页 |
| 2.3.1 薄膜表面形貌、成分与扫描电子显微镜、能量色散谱 | 第29-31页 |
| 2.3.2 物相与X射线衍射 | 第31页 |
| 2.3.3 反应温度与热重分析和示差扫描量热法 | 第31-32页 |
| 2.3.4 方块电阻与四探针测试仪 | 第32-34页 |
| 2.3.5 I-V特性曲线与半导体特征分析系统 | 第34-35页 |
| 第三章 薄膜的制备 | 第35-50页 |
| 3.1 ZnO基材料薄膜的制备 | 第35-43页 |
| 3.1.1 引言 | 第35页 |
| 3.1.2 ZnO基材料溶液的配制及稳定剂的影响 | 第35-40页 |
| 3.1.3 ZnO基材料薄膜的制备 | 第40-43页 |
| 3.2 银电极的制备 | 第43-49页 |
| 3.2.1 引言 | 第44页 |
| 3.2.2 银导电墨水的制备 | 第44-46页 |
| 3.2.3 银电极的制备 | 第46-49页 |
| 3.3 本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 ZnO基阻变存储器的制备与阻变特性研究 | 第50-68页 |
| 4.1 ZnO基薄膜的阻变特性 | 第50-55页 |
| 4.1.1 引言 | 第50页 |
| 4.1.2 阻变器件制备 | 第50-51页 |
| 4.1.3 器件的测试 | 第51页 |
| 4.1.4 结果与分析 | 第51-55页 |
| 4.1.5 本节小结 | 第55页 |
| 4.2 IGZO阻变层厚度对阻变特性的影响 | 第55-60页 |
| 4.2.1 引言 | 第55页 |
| 4.2.2 实验过程 | 第55-56页 |
| 4.2.3 结果与分析 | 第56-59页 |
| 4.2.4 本节小结 | 第59-60页 |
| 4.3 衬底对阻变特性的影响 | 第60-62页 |
| 4.3.1 引言 | 第60页 |
| 4.3.2 实验过程 | 第60页 |
| 4.3.3 结果与分析 | 第60-62页 |
| 4.4 IGZO阻变存储器可靠性测试 | 第62-66页 |
| 4.5 本章小结 | 第66-68页 |
| 总结与展望 | 第68-71页 |
| 特色与创新之处 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-78页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文与参与项目 | 第78-80页 |
| 致谢 | 第80页 |