| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-39页 |
| 1.1 铁电体和铁电薄膜 | 第13-18页 |
| 1.1.1 铁电体的基本概念 | 第13-15页 |
| 1.1.2 铁电薄膜的研究热点 | 第15-18页 |
| 1.2 钛酸钡薄膜/镍基片集成结构 | 第18-22页 |
| 1.2.1 钛酸钡薄膜/镍基片集成结构的研究意义 | 第18页 |
| 1.2.2 钛酸钡的晶体结构 | 第18-20页 |
| 1.2.3 在Ni基片上制备BTO铁电薄膜面临的挑战和研究进展 | 第20-22页 |
| 1.3 高分子辅助沉积法的研究进展 | 第22-24页 |
| 1.4 铁电薄膜的漏电问题研究 | 第24-37页 |
| 1.4.1 铁电薄膜漏电流导电机制简介 | 第25-34页 |
| 1.4.2 铁电薄膜漏电问题的研究进展 | 第34-37页 |
| 1.5 本论文的主要贡献和结构安排 | 第37-39页 |
| 第二章 BTO/Ni集成结构的制备与表征 | 第39-56页 |
| 2.1 BaTiO_3薄膜常规制备方法 | 第39-42页 |
| 2.1.1 物理沉积法 | 第39-41页 |
| 2.1.2 化学沉积法 | 第41-42页 |
| 2.2 BaTiO_3薄膜常规表征与分析方法 | 第42-45页 |
| 2.2.1 X射线衍射分析法 | 第42-43页 |
| 2.2.2 原子力显微镜 | 第43-44页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜 | 第44-45页 |
| 2.2.4 薄膜介电性能的测试 | 第45页 |
| 2.3 高分子辅助沉积法（Polymer-Assisted Deposition, PAD） | 第45-47页 |
| 2.4 用PAD法在Ni基片上制备BTO薄膜的工艺过程及分析表征 | 第47-55页 |
| 2.4.1 PAD法制备BTO/Ni集成结构的工艺 | 第47-52页 |
| 2.4.2 BTO/Ni集成结构的基本物理性能分析表征 | 第52-55页 |
| 2.5 本章小结 | 第55-56页 |
| 第三章 BTO/Ni集成结构的漏电流导电机制研究 | 第56-71页 |
| 3.1 BTO/Ni集成结构漏电流的测试 | 第56-58页 |
| 3.2 BTO/Ni集成结构正负偏压下漏电流导电机制研究 | 第58-64页 |
| 3.2.1 Au为负偏压下BTO/Ni集成结构的漏电流导电机制研究 | 第58-60页 |
| 3.2.2 Au为正偏压下BTO/Ni集成结构的漏电流导电机制研究 | 第60-64页 |
| 3.3 PAD法和PLD法对BTO/Ni集成结构漏电性能的影响对比 | 第64-69页 |
| 3.4 本章小结 | 第69-71页 |
| 第四章 不同缓冲层厚度对BTO/Ni集成结构的漏电性能的影响 | 第71-86页 |
| 4.1 不同缓冲层厚度对BTO/Ni集成结构的介电性能的影响 | 第71-77页 |
| 4.1.1 基本思路 | 第71-73页 |
| 4.1.2 不同缓冲层厚度对晶体结构的影响 | 第73-74页 |
| 4.1.3 不同缓冲层厚度对介电常数和介电损耗的影响 | 第74-77页 |
| 4.1.4 不同缓冲层厚度对极化强度的影响 | 第77页 |
| 4.2 不同缓冲层厚度对BTO/Ni集成结构的漏电机制的影响 | 第77-80页 |
| 4.3 不同缓冲层厚度效应起源分析 | 第80-84页 |
| 4.3.1 不同缓冲层厚度对集成结构介电、铁电性能影响的起源分析 | 第80-82页 |
| 4.3.2 不同缓冲层厚度对集成结构漏电性能影响的起源分析 | 第82-84页 |
| 4.4 本章小结 | 第84-86页 |
| 第五章 快速升温热退火对BTO/Ni集成结构的漏电性能的影响 | 第86-103页 |
| 5.1 快速升温热退火工艺方法介绍 | 第86-87页 |
| 5.2 快速升温热退火对BTO/Ni集成结构介电、铁电性能的影响 | 第87-91页 |
| 5.3 快速升温热退火对BTO/Ni集成结构的漏电性能的影响 | 第91-99页 |
| 5.3.1 低电场强度下的漏电流 | 第91-92页 |
| 5.3.2 负偏压下BTO/Ni集成结构的漏电流导电机制分析 | 第92-97页 |
| 5.3.3 正偏压下BTO/Ni集成结构的漏电流导电机制分析 | 第97-99页 |
| 5.4 快速升温热退火效应起源分析 | 第99-101页 |
| 5.5 本章小结 | 第101-103页 |
| 第六章 化学计量比对BTO/Ni集成结构的漏电性能的影响 | 第103-110页 |
| 6.1 改变前驱体溶液化学计量比的基本思路 | 第103页 |
| 6.2 不同化学计量比对BTO/Ni集成结构的电性能的影响 | 第103-109页 |
| 6.2.1 不同化学计量比对BTO/Ni集成结构的介电性能的影响 | 第103-106页 |
| 6.2.2 不同化学计量比对BTO/Ni集成结构的漏电性能的影响 | 第106-108页 |
| 6.2.3 不同化学计量比效应起源分析 | 第108-109页 |
| 6.3 本章小结 | 第109-110页 |
| 第七章 结论 | 第110-112页 |
| 7.1 结论 | 第110-111页 |
| 7.2 后续工作展望 | 第111-112页 |
| 致谢 | 第112-113页 |
| 参考文献 | 第113-123页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第123-125页 |
