摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-9页 |
第一章 绪论 | 第12-17页 |
1.1 研究背景及意义 | 第12-13页 |
1.2 前人研究情况和本论文的研究内容 | 第13-16页 |
1.2.1 八面体中 3d~9离子自旋哈密顿参量的理论研究 | 第13-14页 |
1.2.2 八面体中nd~7离子自旋哈密顿参量的理论研究 | 第14-15页 |
1.2.3 四角畸变四面体中 3d~9离子自旋哈密顿参量的理论研究 | 第15页 |
1.2.4 八面体中 3d~9离子Knight位移的理论研究 | 第15-16页 |
1.3 本文的基本框架 | 第16-17页 |
第二章 晶体场和电子顺磁共振理论 | 第17-41页 |
2.1 晶体场理论 | 第17-36页 |
2.1.1 基本假设 | 第18页 |
2.1.2 晶体场中体系的哈密顿量 | 第18页 |
2.1.3 晶场势能 | 第18-25页 |
2.1.4 晶场耦合方案 | 第25-27页 |
2.1.5 能量矩阵的建立 | 第27-31页 |
2.1.6 晶体场模型 | 第31-33页 |
2.1.7 晶体中dN离子的共价性 | 第33-35页 |
2.1.8 Jahn-Teller效应 | 第35-36页 |
2.2 电子顺磁共振理论 | 第36-41页 |
2.2.1 电子顺磁共振的基本原理 | 第36-37页 |
2.2.2 电子顺磁共振谱的线宽和线型 | 第37-38页 |
2.2.3 自旋哈密顿参量简介 | 第38-40页 |
2.2.4 自旋哈密顿理论 | 第40-41页 |
第三章 3d~9离子自旋哈密顿参量的理论研究 | 第41-69页 |
3.1 3d~9组态的晶场能级 | 第41-43页 |
3.2 四角伸长八面体中 3d~9离子自旋哈密顿参量微扰公式的建立 | 第43-47页 |
3.2.1 传统晶体场模型公式 | 第44页 |
3.2.2 离子簇模型处理 | 第44-45页 |
3.2.3 本工作改进的离子簇模型计算 | 第45-46页 |
3.2.4 四角伸长八面体中 3d~9离子自旋哈密顿参量的微扰公式 | 第46-47页 |
3.3 四角畸变四面体中 3d~9离子自旋哈密顿参量微扰公式的建立 | 第47-49页 |
3.4 斜方(正交)伸长八面体中 3d~9离子自旋哈密顿参量微扰公式 | 第49-51页 |
3.5 应用 | 第51-69页 |
3.5.1 四角伸长八面体中自旋哈密顿参量的理论研究 | 第51-57页 |
3.5.2 LaCuO_3-δ 中Cu~(2+)自旋哈密顿参量和角度畸变的理论研究 | 第57-58页 |
3.5.3 斜方(正交)伸长八面体中 3d~9离子自旋哈密顿参量的理论研究 | 第58-62页 |
3.5.4 讨论 | 第62-69页 |
第四章 八面体中低自旋d~7离子自旋哈密顿参量的理论研究 | 第69-79页 |
4.1 伸长(压缩)八面体中低自旋 3d~7(4d~7)离子自旋哈密顿参量的研究 | 第69-72页 |
4.2 应用 | 第72-79页 |
4.2.1 La_2Ni_(0.5)Li_(0.5)O_4中Ni~(3+)中心自旋哈密顿参量的理论研究 | 第72-73页 |
4.2.2 NH4Cl中Pd3+和Pd+中心自旋哈密顿参量的理论研究 | 第73-77页 |
4.2.3 讨论 | 第77-79页 |
第五章 八面体中 3d~9(Cu2+)离子Knight位移的理论研究 | 第79-93页 |
5.1 核磁共振(NMR)和Knight位移简介 | 第79-80页 |
5.2 伸长八面体中 3d~9(Cu~(2+))离子Knight位移的理论研究 | 第80-82页 |
5.3 应用 | 第82-93页 |
5.3.1 CuGeO_3中Cu~(2+)离子Knight位移的理论研究 | 第82-85页 |
5.3.2 钇系高温超导体中Cu~(2+)离子Knight位移的理论研究 | 第85-87页 |
5.3.3 铋系和铊系高温超导体中Cu~(2+)离子Knight位移的理论研究 | 第87-88页 |
5.3.4 汞系高温超导体中Cu~(2+)离子Knight位移的理论研究 | 第88-89页 |
5.3.5 讨论 | 第89-93页 |
第六章 总结与展望 | 第93-96页 |
6.1 本文的主要工作 | 第93-94页 |
6.2 特色和创新点 | 第94-95页 |
6.3 下一步工作的展望 | 第95-96页 |
致谢 | 第96-97页 |
参考文献 | 第97-117页 |
攻博期间取得的研究成果 | 第117-119页 |