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3d~9离子自旋哈密顿参量和Knight位移的理论研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-9页
第一章 绪论第12-17页
    1.1 研究背景及意义第12-13页
    1.2 前人研究情况和本论文的研究内容第13-16页
        1.2.1 八面体中 3d~9离子自旋哈密顿参量的理论研究第13-14页
        1.2.2 八面体中nd~7离子自旋哈密顿参量的理论研究第14-15页
        1.2.3 四角畸变四面体中 3d~9离子自旋哈密顿参量的理论研究第15页
        1.2.4 八面体中 3d~9离子Knight位移的理论研究第15-16页
    1.3 本文的基本框架第16-17页
第二章 晶体场和电子顺磁共振理论第17-41页
    2.1 晶体场理论第17-36页
        2.1.1 基本假设第18页
        2.1.2 晶体场中体系的哈密顿量第18页
        2.1.3 晶场势能第18-25页
        2.1.4 晶场耦合方案第25-27页
        2.1.5 能量矩阵的建立第27-31页
        2.1.6 晶体场模型第31-33页
        2.1.7 晶体中dN离子的共价性第33-35页
        2.1.8 Jahn-Teller效应第35-36页
    2.2 电子顺磁共振理论第36-41页
        2.2.1 电子顺磁共振的基本原理第36-37页
        2.2.2 电子顺磁共振谱的线宽和线型第37-38页
        2.2.3 自旋哈密顿参量简介第38-40页
        2.2.4 自旋哈密顿理论第40-41页
第三章 3d~9离子自旋哈密顿参量的理论研究第41-69页
    3.1 3d~9组态的晶场能级第41-43页
    3.2 四角伸长八面体中 3d~9离子自旋哈密顿参量微扰公式的建立第43-47页
        3.2.1 传统晶体场模型公式第44页
        3.2.2 离子簇模型处理第44-45页
        3.2.3 本工作改进的离子簇模型计算第45-46页
        3.2.4 四角伸长八面体中 3d~9离子自旋哈密顿参量的微扰公式第46-47页
    3.3 四角畸变四面体中 3d~9离子自旋哈密顿参量微扰公式的建立第47-49页
    3.4 斜方(正交)伸长八面体中 3d~9离子自旋哈密顿参量微扰公式第49-51页
    3.5 应用第51-69页
        3.5.1 四角伸长八面体中自旋哈密顿参量的理论研究第51-57页
        3.5.2 LaCuO_3-δ 中Cu~(2+)自旋哈密顿参量和角度畸变的理论研究第57-58页
        3.5.3 斜方(正交)伸长八面体中 3d~9离子自旋哈密顿参量的理论研究第58-62页
        3.5.4 讨论第62-69页
第四章 八面体中低自旋d~7离子自旋哈密顿参量的理论研究第69-79页
    4.1 伸长(压缩)八面体中低自旋 3d~7(4d~7)离子自旋哈密顿参量的研究第69-72页
    4.2 应用第72-79页
        4.2.1 La_2Ni_(0.5)Li_(0.5)O_4中Ni~(3+)中心自旋哈密顿参量的理论研究第72-73页
        4.2.2 NH4Cl中Pd3+和Pd+中心自旋哈密顿参量的理论研究第73-77页
        4.2.3 讨论第77-79页
第五章 八面体中 3d~9(Cu2+)离子Knight位移的理论研究第79-93页
    5.1 核磁共振(NMR)和Knight位移简介第79-80页
    5.2 伸长八面体中 3d~9(Cu~(2+))离子Knight位移的理论研究第80-82页
    5.3 应用第82-93页
        5.3.1 CuGeO_3中Cu~(2+)离子Knight位移的理论研究第82-85页
        5.3.2 钇系高温超导体中Cu~(2+)离子Knight位移的理论研究第85-87页
        5.3.3 铋系和铊系高温超导体中Cu~(2+)离子Knight位移的理论研究第87-88页
        5.3.4 汞系高温超导体中Cu~(2+)离子Knight位移的理论研究第88-89页
        5.3.5 讨论第89-93页
第六章 总结与展望第93-96页
    6.1 本文的主要工作第93-94页
    6.2 特色和创新点第94-95页
    6.3 下一步工作的展望第95-96页
致谢第96-97页
参考文献第97-117页
攻博期间取得的研究成果第117-119页

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