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室温下射频溅射制备AZO薄膜及其性能研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第1章 绪论第9-22页
    1.1 透明导电薄膜第9-17页
        1.1.1 透明导电薄膜概述第9-10页
        1.1.2 透明导电氧化物薄膜的简介及其应用第10-12页
        1.1.3 TCO薄膜的透明导电机理第12-15页
        1.1.4 TCO薄膜的材料体系第15-17页
    1.2 ZnO透明导电氧化物第17-18页
        1.2.1 ZnO的晶体结构和基本性质第17-18页
        1.2.2 ZnO-TCO薄膜的掺杂第18页
    1.3 铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜的性质和研究现状第18-20页
    1.4 论文的研究意义第20-21页
    1.5 论文的研究内容第21-22页
第2章 AZO薄膜样品的制备及测试表征第22-34页
    2.1 磁控溅射技术第22-24页
        2.1.1 磁控溅射简介第22-23页
        2.1.2 磁控溅射设备第23-24页
    2.2 薄膜样品制备过程第24-25页
    2.3 薄膜的生长第25-28页
        2.3.1 薄膜的生长阶段第25-26页
        2.3.2 溅射法制备ZnO的生长机制第26-28页
    2.4 薄膜的测试表征第28-31页
        2.4.1 薄膜厚度第28-29页
        2.4.2 薄膜结构第29页
        2.4.3 薄膜形貌第29-30页
        2.4.4 薄膜光学性能第30页
        2.4.5 薄膜电学性能第30-31页
    2.5 相关重要参数的计算第31-34页
        2.5.1 晶格常数第31页
        2.5.2 晶粒尺寸第31-32页
        2.5.3 薄膜中应力和应变第32页
        2.5.4 性能指数第32-34页
第3章 AZO薄膜的室温制备及性能优化第34-49页
    3.1 背景介绍第34-35页
    3.2 工作气压的影响第35-39页
    3.3 溅射功率的影响第39-44页
    3.4 沉积时间的影响第44-47页
    3.5 本章小结第47-49页
第4章 使用SiO_2缓冲层时AZO薄膜的制备及性能优化第49-56页
    4.1 SiO_2薄膜缓冲层的制备第50页
    4.2 使用SiO_2缓冲层后对薄膜性能的影响第50-55页
    4.3 本章小结第55-56页
第5章 总结与展望第56-58页
    5.1 总结第56-57页
    5.2 展望第57-58页
致谢第58-59页
参考文献第59-64页
攻读硕士学位期间发表的论文第64页

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