| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-20页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 MoO_3概述 | 第12-14页 |
| 1.2.1 MoO_3的晶体结构 | 第12-14页 |
| 1.2.2 MoO_3的相关性质 | 第14页 |
| 1.3 MoO_3薄膜的制备 | 第14-19页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第19-20页 |
| 第二章 试验方法与装置介绍 | 第20-32页 |
| 2.1 原子层沉积的原理 | 第20-21页 |
| 2.2 实验设备简介 | 第21-25页 |
| 2.2.1 原子层沉积设备简介 | 第21-24页 |
| 2.2.2 薄膜退火设备简介 | 第24-25页 |
| 2.2.3 薄膜氢化和硒化处理设备简介 | 第25页 |
| 2.3 薄膜的表征和测试 | 第25-29页 |
| 2.3.1 椭偏仪 | 第25-27页 |
| 2.3.2 X射线衍射仪 | 第27页 |
| 2.3.3 扫描电子显微镜 | 第27-28页 |
| 2.3.4 X射线光电子能谱 | 第28页 |
| 2.3.5 拉曼光谱分析 | 第28-29页 |
| 2.4 薄膜晶体管的制备工艺与测试 | 第29-31页 |
| 2.4.1 光刻设备 | 第29-30页 |
| 2.4.2 薄膜刻蚀设备 | 第30页 |
| 2.4.3 电子束沉积设备 | 第30-31页 |
| 2.4.4 薄膜晶体管的测试设备 | 第31页 |
| 2.5 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 三氧化钼薄膜的ALD生长及性能研究 | 第32-52页 |
| 3.1 ALD生长MoO_3薄膜的条件设定 | 第32-33页 |
| 3.2 ALD自限制生长MoO_3薄膜 | 第33-37页 |
| 3.2.1 ALD温度窗口 | 第33-36页 |
| 3.2.2 ALD Mo源最佳脉冲时间 | 第36页 |
| 3.2.3 ALD氧源最佳脉冲时间 | 第36-37页 |
| 3.3 退火对MoO_3薄膜微观结构的影响 | 第37-47页 |
| 3.4 氢化对薄膜微观结构的影响 | 第47-51页 |
| 3.5 本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 MOO_3-X薄膜场效应晶体管 | 第52-60页 |
| 4.1 MoO_3薄膜的电子状态 | 第52-55页 |
| 4.1.1 MoO_3禁带宽度的变化 | 第52-53页 |
| 4.1.2 MoO_3的电子输运特性 | 第53-55页 |
| 4.2 薄膜场效应晶体管的性能参数 | 第55-56页 |
| 4.3 α-MoO_(3-x)薄膜晶体管的制备 | 第56-57页 |
| 4.4 α-MoO_(3-x)薄膜场效应晶体管的电学性能 | 第57-59页 |
| 4.5 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 三氧化钼薄膜的硒化研究 | 第60-67页 |
| 5.1 硒化处理对薄膜微观结构的影响 | 第61-66页 |
| 5.2 本章小结 | 第66-67页 |
| 第六章 结论和展望 | 第67-69页 |
| 6.1 结论 | 第67-68页 |
| 6.2 后续展望 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 攻硕学位期间取得的成果 | 第74-75页 |