| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 氧化铝陶瓷金属化及钎焊的研究现状 | 第13-18页 |
| 1.1.1 氧化铝陶瓷金属化研究现状 | 第13-15页 |
| 1.1.2 氧化铝陶瓷与金属钎焊的研究现状 | 第15-18页 |
| 1.2 课题的主要研究内容 | 第18-20页 |
| 1.2.1 陶瓷金属化的主要研究内容 | 第18页 |
| 1.2.2 陶瓷与可伐合金钎焊的主要研究内容 | 第18-19页 |
| 1.2.3 论文研究的主要工作量 | 第19-20页 |
| 2 实验材料、设备及工艺 | 第20-31页 |
| 2.1 实验材料 | 第20-21页 |
| 2.2 实验设备及过程 | 第21-26页 |
| 2.2.1 实验设备 | 第21-22页 |
| 2.2.2 实验过程 | 第22-26页 |
| 2.2.2.1 银金属化层实验的过程设计 | 第22页 |
| 2.2.2.2 氧化铝陶瓷与可伐合金钎焊实验的过程设计 | 第22-24页 |
| 2.2.2.3 银金属化实验流程 | 第24页 |
| 2.2.2.4 氧化铝陶瓷与可伐合金的钎焊工艺程序 | 第24-26页 |
| 2.3 微观分析及性能测试 | 第26-31页 |
| 2.3.1 微观分析 | 第26页 |
| 2.3.2 银金属化层电气性能分析 | 第26-30页 |
| 2.3.2.1 银金属化层电阻率分析 | 第26-27页 |
| 2.3.2.2 银金属化方阻测试分析 | 第27-28页 |
| 2.3.2.3 银金属化层附着力测试分析 | 第28-30页 |
| 2.3.3 钎焊接头样品的气密性测试 | 第30-31页 |
| 3 氧化铝陶瓷表面金属化工艺研究 | 第31-63页 |
| 3.1 引言 | 第31页 |
| 3.2 氧化铝陶瓷银金属化工艺 | 第31-33页 |
| 3.2.1 氧化铝陶瓷的处理 | 第31页 |
| 3.2.2 丝网印刷 | 第31-32页 |
| 3.2.3 银金属化层的烧结 | 第32-33页 |
| 3.3 烧结保温时间对金属化层性能的影响 | 第33-48页 |
| 3.3.1 烧结保温时间对银金属化层微观形貌的影响 | 第34-38页 |
| 3.3.1.1 烧结保温时间对中温银浆金属化层微观形貌的影响 | 第34-36页 |
| 3.3.1.2 烧结保温时间对高温银钯浆金属化层微观形貌的影响 | 第36-38页 |
| 3.3.2 烧结保温时间对银金属化层表面电阻率的影响 | 第38-42页 |
| 3.3.2.1 烧结保温时间对中温银浆金属化层的电阻率的影响 | 第38-40页 |
| 3.3.2.2 烧结保温时间对高温银钯浆金属化层的电阻率的影响 | 第40-42页 |
| 3.3.3 烧结保温时间对银金属化层方阻的影响 | 第42-44页 |
| 3.3.3.1 烧结保温时间对中温银浆金属化层方阻的影响 | 第42-43页 |
| 3.3.3.2 烧结保温时间对高温银钯浆金属化层方阻的影响 | 第43-44页 |
| 3.3.4 烧结保温时间对银金属化层附着力的影响 | 第44-48页 |
| 3.3.4.1 烧结保温时间对中温银浆金属化层附着力的影响 | 第44-46页 |
| 3.3.4.2 烧结保温时间对高温银浆金属化层附着力的影响 | 第46-48页 |
| 3.4 不同氢氧化钠预处理对银金属化层的影响 | 第48-56页 |
| 3.4.1 不同氢氧化钠预处理对银金属化层微观相貌的影响 | 第48-50页 |
| 3.4.1.1 不同氢氧化钠预处理对中温银浆金属化层微观形貌的影响 | 第48-49页 |
| 3.4.1.2 不同氢氧化钠预处理对高温银浆金属化层微观形貌的影响 | 第49-50页 |
| 3.4.2 不同氢氧化钠预处理对银金属化层表面电阻率的影响 | 第50-52页 |
| 3.4.2.1 不同氢氧化钠预处理对中温银浆金属化层的电阻率的影响 | 第50-51页 |
| 3.4.2.2 不同氢氧化钠预处理对高温银浆金属化层的电阻率的影响 | 第51-52页 |
| 3.4.3 不同氢氧化钠预处理对银金属化层方阻的影响 | 第52-54页 |
| 3.4.3.1 不同氢氧化钠预处理对中温银浆金属化层方阻的影响 | 第52-53页 |
| 3.4.3.2 不同氢氧化钠预处理对高温银浆金属化层方阻的影响 | 第53-54页 |
| 3.4.4 不同氢氧化钠预处理对银金属化层附着力的影响 | 第54-56页 |
| 3.4.4.1 不同氢氧化钠预处理对中温银浆金属化层附着力的影响 | 第54-55页 |
| 3.4.4.2 不同氢氧化钠预处理对高温银浆金属化层的电阻率的影响 | 第55-56页 |
| 3.5 冷热循环对银金属化层的影响 | 第56-59页 |
| 3.5.1 冷热循环对中温银浆金属化层的电阻率和方阻的影响 | 第56-58页 |
| 3.5.2 冷热循环对高温银钯浆金属化层的电阻率和方阻的影响 | 第58-59页 |
| 3.6 不同基板腐蚀浓度下金属层分离陶瓷基板时的断口形貌 | 第59-61页 |
| 3.6.1 中温银浆金属层分离陶瓷基板时的断口形貌 | 第59-60页 |
| 3.6.2 高温银钯浆金属层分离陶瓷基板时的断口形貌与陶瓷基板断口形貌的影响 | 第60-61页 |
| 3.7 氧化铝陶瓷表面银金属化形成机制 | 第61-62页 |
| 3.8 本章小结 | 第62-63页 |
| 4 钎焊工艺对接头界面形貌结构和气密性的影响 | 第63-72页 |
| 4.1 引言 | 第63页 |
| 4.2 间接钎焊法对接头界面形貌的影响 | 第63-67页 |
| 4.2.1 氧化铝陶瓷 /钼锰金属化层 /焊料层界面形貌分析 | 第63-66页 |
| 4.2.2 氧化铝陶瓷 /焊料层/可伐合金层界面形貌分析 | 第66-67页 |
| 4.3 直接钎焊工艺对接头界面形貌结构的影响 | 第67-69页 |
| 4.4 钎焊后密封接头的气密性和绝缘性分析 | 第69-71页 |
| 4.5 本章小结 | 第71-72页 |
| 结论 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-80页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文及研究成果 | 第80页 |
