| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第14-27页 |
| 1.1 新型二维纳米材料的研究进展 | 第15-20页 |
| 1.1.1 Graphene的研究进展 | 第15-16页 |
| 1.1.2 BN的研究进展 | 第16-18页 |
| 1.1.3 Mo S2的研究进展 | 第18-19页 |
| 1.1.4 Germanane的研究进展 | 第19-20页 |
| 1.2 电子结构调控的方法和意义 | 第20-24页 |
| 1.2.1 掺杂调控和意义 | 第21-22页 |
| 1.2.2 空位调控和意义 | 第22页 |
| 1.2.3 基底调控和意义 | 第22-23页 |
| 1.2.4 其它形式的调控和意义 | 第23-24页 |
| 1.3 选题的目的和意义 | 第24-25页 |
| 1.4 本论文的结构安排 | 第25-27页 |
| 第二章 理论计算方法 | 第27-36页 |
| 2.1 计算方法 | 第27-28页 |
| 2.2 计算理论 | 第28-33页 |
| 2.2.1 基本近似方法 | 第29-30页 |
| 2.2.2 HOHENBERG-KOHN定理和KOHN-SHAM方程 | 第30-31页 |
| 2.2.3 交换相关势 | 第31-32页 |
| 2.2.4 赝势近似 | 第32-33页 |
| 2.3 计算软件包 | 第33-34页 |
| 2.4 计算步骤 | 第34-36页 |
| 第三章 Si替位对于graphene电子结构的调控研究 | 第36-45页 |
| 3.1 引言 | 第36页 |
| 3.2 计算方法 | 第36-37页 |
| 3.3 参数测试 | 第37-39页 |
| 3.4 结果和讨论 | 第39-44页 |
| 3.4.1 替位结构的内聚能 | 第39页 |
| 3.4.2 替位结构的形成过程 | 第39-40页 |
| 3.4.3 替位结构的几何结构 | 第40-41页 |
| 3.4.4 替位结构的电子结构 | 第41-42页 |
| 3.4.5 替位结构的应用 | 第42-44页 |
| 3.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 磁性金属原子替位对于BN电子结构的调控研究 | 第45-54页 |
| 4.1 引言 | 第45-46页 |
| 4.2 计算方法 | 第46页 |
| 4.3 参数测试 | 第46-48页 |
| 4.4 结果和讨论 | 第48-53页 |
| 4.4.1 替位结构的能聚能 | 第48-49页 |
| 4.4.2 替位结构的几何结构 | 第49-50页 |
| 4.4.3 替位结构的电子结构 | 第50-53页 |
| 4.5 本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 空位对于MoS2电子结构的调控研究 | 第54-68页 |
| 5.1 引言 | 第54-55页 |
| 5.2 计算方法 | 第55页 |
| 5.3 参数测试 | 第55-57页 |
| 5.4 结果和讨论 | 第57-67页 |
| 5.4.1 MoS_2 | 第57-58页 |
| 5.4.2 原子空位 | 第58-60页 |
| 5.4.2.1 原子空位的形成能 | 第58-59页 |
| 5.4.2.2 原子空位的几何结构 | 第59页 |
| 5.4.2.3 原子空位的电子结构 | 第59-60页 |
| 5.4.3 空位簇 | 第60-64页 |
| 5.4.3.1 空位簇的形成能 | 第60-61页 |
| 5.4.3.2 空位簇的几何结构 | 第61-62页 |
| 5.4.3.3 空位簇的电子结构 | 第62-64页 |
| 5.4.4 空位簇的耦合 | 第64-67页 |
| 5.5 本章小结 | 第67-68页 |
| 第六章 空位对于germanane电子结构的调控研究 | 第68-81页 |
| 6.1 引言 | 第68页 |
| 6.2 计算方法 | 第68-69页 |
| 6.3 参数测试 | 第69-71页 |
| 6.4 结果和讨论 | 第71-80页 |
| 6.4.1 Germanane | 第71页 |
| 6.4.2 氢空位 | 第71-73页 |
| 6.4.2.1 氢空位的形成能 | 第71-72页 |
| 6.4.2.2 氢空位的几何结构 | 第72页 |
| 6.4.2.3 氢空位的电子结构 | 第72-73页 |
| 6.4.3 空位簇 | 第73-80页 |
| 6.4.3.1 空位簇的形成能 | 第73-74页 |
| 6.4.3.2 空位簇的几何结构 | 第74-76页 |
| 6.4.3.3 空位簇的电子结构 | 第76-80页 |
| 6.5 本章小结 | 第80-81页 |
| 第七章 ZnO基底对于graphene电子结构的调控研究 | 第81-90页 |
| 7.1 引言 | 第81-82页 |
| 7.2 计算方法 | 第82页 |
| 7.3 参数测试 | 第82-84页 |
| 7.4 结果和讨论 | 第84-89页 |
| 7.4.1 Graphene在ZnO表面的几何结构 | 第84页 |
| 7.4.2 Graphene在ZnO表面的电子结构 | 第84-86页 |
| 7.4.3 间距对graphene带隙的影响 | 第86-88页 |
| 7.4.4 间距对graphene有效质量的影响 | 第88-89页 |
| 7.5 本章小结 | 第89-90页 |
| 第八章 Co(111)基底对于BN电子结构的调控研究 | 第90-100页 |
| 8.1 引言 | 第90页 |
| 8.2 计算方法 | 第90-91页 |
| 8.3 参数测试 | 第91-93页 |
| 8.4 结果和讨论 | 第93-98页 |
| 8.4.1 BN在Co(111)表面的吸附能 | 第93-94页 |
| 8.4.2 BN在Co(111)表面的几何结构 | 第94-95页 |
| 8.4.3 BN在Co(111)表面的应力曲线和吸附能曲线 | 第95-96页 |
| 8.4.4 BN在Co(111)表面的电子结构 | 第96-98页 |
| 8.5 本章小结 | 第98-100页 |
| 第九章 全文总结与创新性以及展望 | 第100-103页 |
| 9.1 全文总结与创新性 | 第100-102页 |
| 9.2 后续工作展望 | 第102-103页 |
| 致谢 | 第103-104页 |
| 参考文献 | 第104-115页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第115-117页 |
