| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 锡氧化物的晶体结构与物理性质 | 第12-14页 |
| 1.2.1 SnO的晶体结构与物理性质 | 第12页 |
| 1.2.2 SnO_2的晶体结构与物理性质 | 第12-14页 |
| 1.3 锡氧化物的应用简介 | 第14-16页 |
| 1.3.1 SnO的应用 | 第14页 |
| 1.3.2 SnO_2的应用 | 第14-16页 |
| 1.4 锡氧化物的研究现状 | 第16-17页 |
| 1.5 本课题的选题意义和研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 锡氧化物薄膜的制备工艺及分析测试方法 | 第19-32页 |
| 2.1 常用锡氧化物薄膜材料的制备方法简介 | 第19-21页 |
| 2.1.1 脉冲激光沉积法 | 第19页 |
| 2.1.2 金属有机物化学气相沉积法 | 第19-20页 |
| 2.1.3 分子束外延法 | 第20页 |
| 2.1.4 原子层沉积法 | 第20-21页 |
| 2.2 脉冲激光沉积技术(PLD) | 第21-25页 |
| 2.2.1 PLD技术概述 | 第21-22页 |
| 2.2.2 PLD技术的原理 | 第22-23页 |
| 2.2.3 PLD设备简介 | 第23-25页 |
| 2.2.4 PLD技术的特点 | 第25页 |
| 2.3 锡氧化物薄膜的PLD法制备工艺 | 第25-27页 |
| 2.4 锡氧化物薄膜的表征手段 | 第27-32页 |
| 2.4.1 X射线衍射(XRD) | 第27-29页 |
| 2.4.2 原子力显微镜(AFM) | 第29页 |
| 2.4.3 扫描电子显微镜(SEM) | 第29-30页 |
| 2.4.4 X射线光电子能谱(XPS) | 第30页 |
| 2.4.5 紫外可见光分光光度计(UV-Vis-NIR) | 第30-32页 |
| 第三章 不同衬底温度下外延生长锡氧化物研究 | 第32-41页 |
| 3.1 衬底温度对SnO薄膜结构、光学性能的影响 | 第32-36页 |
| 3.2 衬底温度对SnO_2薄膜结构、光学性能的影响 | 第36-40页 |
| 3.3 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 膜厚对SnO_2外延薄膜的结构及光学带隙的影响 | 第41-52页 |
| 4.1 膜厚对SnO_2外延薄膜结构的影响 | 第41-47页 |
| 4.2 膜厚对SnO_2外延薄膜表面形貌的影响 | 第47-48页 |
| 4.3 膜厚对SnO_2外延薄膜光学性能的影响 | 第48-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 Si取代SnO_2薄膜的结构及光学带隙调控研究 | 第52-62页 |
| 5.1 Si取代对SnO_2薄膜结构的影响 | 第52-57页 |
| 5.2 Si取代对SnO_2薄膜表面形貌的影响 | 第57-58页 |
| 5.3 Si取代对SnO_2薄膜光学带隙的调控作用 | 第58-60页 |
| 5.4 本章小结 | 第60-62页 |
| 结论 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 附录 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
